Mikrovlnná integrovaná technika ( M I T )

1. druhý dielektrický substrát vázaná vedení první dielektrický substrát Mikrovlnná integrovaná technika (MIT) 1

2. Historie vzniku mikrovlnné integrované techniky • Klasická vlnovodová a koaxiální technika–rozvoj za 2. světové války a po jejím konci při rozvoji radiolokace Výhody: vyměnitelnost dílů a pasivních či aktivních obvodů, mechanická robustnost; vysoká jakost obvodů, nízké ztráty, dobrý odvod tepla, zpracování vysokých výkonů; možnost dostavení a doladění obvodu; Nevýhody: drahá kusová výroba, velké rozměry, váha, příkon, spotřeba materiálu; konstrukční neslučitelnost s miniaturními aktivními součástkami; omezené kmitočtové pásmo. 2

3. Mikrovlnné páskové obvody–počátkem 50. let přechod od koaxiálních struktur k plochým páskovým strukturám, především k symetrickému páskovému vedení se vzdu-chovým dielektrikem.    Přechod od koaxiálního vedení k symetrickému páskovému vedení 3

4. Přechod k pevným nízkoztrátovým dielektrickým materiálům s vysokou permitivitou počátkem 60. let - MIKROVLNNÉ INTEGROVANÉ OBVODY (MIO, MIC). • 1960–1980 prudký rozvoj hybridní mikrovlnné integrace až po pásmo milimetrových vln. • Od 70. let se paralelně s hybridní integrací rozvíjí technika monolitických mikrovlnných integrovaných obvodů (MMIO, MMIC). • Od konce 80. let intenzivní přechod ke kombinovaným a složeným MIO pro milimetrová vlnová pásma včetně rozvoje příslušné polovodičové techniky. 4

5. Mikrovlnnýintegrovaný obvod • planární uspořádání obvodů • malé rozměry, malá hmotnost • nízká spotřeba surovin (kovů, polovodičů, di-elektrik, magnetik) • menší pracnost, vyšší reprodukovatelnost vý-roby, sériovost, nižší výrobní náklady • vyšší spolehlivost a stabilnost parametrů obvodu • větší širokopásmovost obvodů • kompatibilnost montáže s polovodičovými prvky 5

6. Mikrovlnnýintegrovaný obvod Výhody MIO • pracuje v mikrovlnném pásmu kmitočtů; • vyznačuje se planární strukturou (převážně); • obvykle slučuje činnost několika dílčích obvodů spojených uvnitř MIO bez přístupu uživatele; • má malou hmotnost a malé rozměry.

7. „klasické“ L , C , R hybridní (HMIO) nesymetrické mikropáskové z krátkých úseků vedení L , C , R koplanární štěrbinové monolitické C , R monolitické (MMIO) kombinované pro mm vlny objemové MIO ploutvová vedení MIKROVLNNÉ INTEGROVANÉ OBVODY (MIO) se soustředěnými parametry l << g s rozloženými parametry l>>g symetrické mikropáskové planární vlnovody 8

8. Hybridní mikrovlnnéintegrované obvody Pasivní mikrovlnné obvody se vytvářejí nanesením vodivých pásků na pevnou dielektrickou podložku (tzv. substrát) ve tvaru vytvářeného obvodu (tzv. vodivý motiv). Polovodičové a další součástky jsou do obvodu vsazovány (zapouzdřené či nezapouzdřené) jako diskrétní prvky (tzv. čipy), a to pájením nebo ultrazvukovým svařováním. Hybridní technologie MIO umožňuje vzájemně nezávislou optimalizaci použitých aktivních součástek a pasivních mikropáskových obvodů. Hybridní mikrovlnné integrované obvody a subsystémy (HMIO) představují dnes nejrozšířenější a běžně využívanou formu mikrovlnné integrace až do kmitočtů cca 26 GHz, příp. i výše. 9

9. Základní typy pasivních hybridních mikrovlnných integrovaných struktur (příčné průřezy) • Symetrické mikropáskové vedení stripline • Nesymetrické mikropáskové vedení (otevřené) microstrip • Stíněné nesymetrické mikropásko-vé vedení shielded microstrip 10

10. Obrácené (inverzní) nesymetrické mikropáskové vedení inverted microstrip • Mikropáskové vedení se zavěše-ným substrátem (s vysokým Q) suspended microstrip • Mikropáskové vedení s překryvnou dielektrickou vrstvou microstrip with overlay 11

11. Koplanární vedení coplanar strips (CPS) nesymetrické symetrické • Koplanární vlnovod coplanar waveguide (CPW) nesymetrický symetrický • Koplanární vlnovod s horní stínicí deskou 12

12. Koplanární vlnovod s pokoveným substrátem conductor-backed CPW • Oboustranně stíněný koplanární vlnovod • Vícevrstvý koplanární vlnovod multilayer CPW 13

13. Štěrbinové vedení slotline koplanární vedení • Vázaná mikropásková vedení coupled microstrips • Vázaná štěrbinová vedení • Vázané koplanární vlnovody 14

14. Některé technologické otázky hybridních MIO Základní požadavky na dielektrické substráty HMIO • vysoká relativní permitivita r(konstantní v použitém rozsahu kmitočtů a teplot); • co nejmenší činitel dielektrických ztrát tgδ (jeho kmitočtová a teplotní stálost); • homogennost, izotropnost, vysoká tepelná vodivost; • rozměrová stabilnost (teplotní, vlhkostní, během výrobního procesu, stárnutím); • schopnost povrchové metalizace, adheze vůči nanášeným kovům; • konstantní tloušťka podložky, hladký povrch; • dobré fyzikální, chemické a mechanické vlastnosti (pevnost, křehkost, pružnost, opracovatelnost). 15

15. 16

16. Dva základní problémy řešení planárních struktur : Značné rozptylové elektromagnetické pole kolem páskových vodičů - nelze zanedbat. Příčná nehomogennost většiny struktur  šíří se hybridní elektromagnetická vlna HEM s disperzí - nelze řešit přesně analyticky. Přibližné (avšak dostatečně přesné) řešení: místo hybridní vlny HEM se předpokládá, že se ve struktuře šíří tzv. vlna kvazi-TEM Relativně jednoduché matematické zpracování názorné a dobře interpretovatelné výsledky pro analýzu a syntézu kmitočtové omezení na „nižší“ GHz pásma (lze korigovat disperzními modely). 17

17. vodivý pásek h vodivá zemnicí deska dielektrická podložka (substrát) Nesymetrické mikropáskové vedení (microstrip) nejčastěji používaný typ hybridní přenosové struktury 1. problém Řeší se příčně homogenní nesymetrické páskové vedení s čistou vlnou TEM. Řeší se Laplaceova rovnice Δ = 0 metodou konformního zobrazení. 18

18. wef w wef=wef (w, h) podle použité zobrazovací funkce konformní transformace Všechny parametry nesymetrického páskového vedení se určují jako parametry jeho konformně sdruženého obrazu bez rozptylového pole a přepočítají se zpět do původní struktury. Efektivní šířka nesymetrického mikropáskového vedení s nulovou tloušťkou horního pásku (t = 0) pro úzké mikropáskové vedení w/h  1 pro široké mikropáskové vedení w/h  1 19

19. w wef 0 0 h h 2. problém Hybridní elektromagnetickou vlnu HEM lze na relativně nízkých mikrovlnných kmitočtech aproximovat tzv. vlnou kvazi-TEM. Mikro-páskové vedení se pak řeší pro vlnu kvazi-TEM (viz 1. problém). Příčná nehomogennost mikropáskového vedení na dielektrické podložce se respektuje zavedením pojmu efektivní permitivita. ef konformní transformace ef= ef (r, w, h) podle použité zobrazovací funkce 20

20. Efektivní permitivita nesymetrického mikropáskového vedení (její relativní hodnota) pro úzké mikropáskové vedení w/h  1 pro široké mikropáskové vedení w/h  1 Relativní hodnota efektivní permitivity nesymetrického mikropás-kového vedení může nabývat pouze hodnot w/h   w/h  0 21

21. Fázová a skupinová rychlost vlny kvazi-TEM na nesymetrickém mikropáskovém vedení a její délka vlny závisejí na rozměrech w a h vedení, neboť Charakteristická impedance (vlnová impedance) nesymetrického mikropáskového vedení Pásmo jednovidovosti vidu kvazi-TEM je rozsah kmitočtů, kdy se v mikropáskovém vedení ještě nevybudí nejnižší vlnovodový vid TE10 22

22. Na vyšších kmitočtech (cca od 6 ÷ 8 GHz) se začíná uplatňovat disperze základní elektromagnetické vlny v nesymetrickém mikro-páskovém vedení, tj. délka vlny, konstanta šíření, charakteristická impedance vedení a další parametry začínají záviset na kmitočtu. Pro respektování disperze vlny HEM na vyšších kmitočtech se zavádějí tzv. disperzní modely, jakožto kmitočtové korekce aproximace kvazi-TEM. Zavádí se: • kmitočtově závislá (korigovaná) efektivní permitivita ef(f ) • kmitočtově závislá (korigovaná) efektivní šířka vedení wef(f) Platnost základní aproximace kvazi-TEM do 3 až 6 GHz (dle typu mikropáskové struktury)  kmitočtově korigovaná aproximace kvazi-TEM do 18 až 20 GHz u hybridních přenosových struktur, do 60 až 80 GHz u některých speciálních miniaturních monolitických struktur 23

23. vzduch kovová deska štěrbina dielektrický substrát vzduch Štěrbinové vedení (slotline) Výhody: snadné paralelní připojování součástek; možnost dosažení vysokých hodnot Z0 (až 300 Ω); výhodné vlastnosti v kombinaci s mikropáskovým vedením: nejčastější použití 24

24. vzduch kovová deska štěrbina dielektrický substrát vzduch Štěrbinové vedení (slotline) Nevýhody: obtížné sériové připojování součástek; velkádisperze,nelzepoužít aproximaci kvazi-TEM; větší rozměry stínicích krytů

25. H H E E lichý vid sudý vid Mikropásková vázaná vedení (coupled microstrips) Jde o systém N = 3 páskových vo-dičů, v němž se mohou současně šířit N – 1 = 2 dominantní vidy HEM, které na nižších kmitočtech aproxi-mujeme dvěma vidy kvazi-TEM: sudý (even) vid, lichý (odd) vid. Tyto vidy odpovídají soufázovému a protifázovému buzení obou mikropásků vázaných vedení. 26

26. Kvalitativní porovnání různých typů hybridních mikropáskových přenosových struktur 27

27. Srovnání vlastností základních typů mikrovlnných struktur při kmitočtu kolem 10 GHz 28

28. MIO se soustředěnými parametry Podmínkou „soustředěnosti“ parametrů je dosažení velmi malých rozměrů prvku (obvodu) l<<g (aspoň o jeden řád). Při užití fotolitografických postupů lze tyto prvky použít až do kmitočtů kolem 60 GHz. Výhody: • vysoký stupeň miniaturizace a integrace • malá váha, nízká spotřeba materiálů • dobrá reprodukovatelnost, vysoká sériovost výroby  nízká cena • jednoduchost konstrukce  vysoká spolehlivost • poměrně velká širokopásmovost (elektrické vlast-nosti se neopakují s kmitočtem) 29

29. MIO se soustředěnými parametry Podmínkou „soustředěnosti“ parametrů je dosažení velmi malých rozměrů prvku (obvodu) l<<g (aspoň o jeden řád). Při užití fotolitografických postupů lze tyto prvky použít až do kmitočtů kolem 60 GHz. Nevýhody: • náročná (miniaturní) technologie • značné ztráty v obvodu vlivem parazitních vlast-ností, nízké Q • omezení pracovního pásma kmitočtů shora (do-sažitelnost malých rozměrů, klesající hodnota Q, změna charakteru prvku)

30. meandrové vedení kruhová spirála oblouk (kruhová smyčka) vedení „S“ kvadratická spirála Induktory v „klasické“ podobě (L jednotky až stovky nH, Q » 100) 31

31. L Soustředěnost parametrů jen do určitého kmitočtu Kvadratický spirálový induktor 1,9 nH Plocha spirály 0,4 x 0,4 mm Šířka pásků w = 10 µm Mezera mezi pásky s = 10µm n = 10 závitů  Nad 10 GHz se chová jako kapacitor 32

32. Induktory z velmi krátkých úseků mikropáskového vedení paralelní sériový planární induktor možné provedení zkratu „přes“ hranu substrátu 33

33. dostavovací plošky základní kapacita propojka Kapacitory v „klasické“ podobě (Csetiny až stovky pF, Q několik stovek) interdigitální kapacitor mezera v mikropásku třívrstvý (sendvičový) kapacitor 34

34. Kapacitor se soustředěnou kapacitou z velmi krátkého úseku mikropáskového vedení Z0C<<Z0, l<λg/8 35

35. NiCr kontakty odporový materiál Rezistory se soustředěným odporem z velmi krátkého úseku ztrátového vedení (NiCr, Ta2N) s plošným odporem 9,5 až 135 / a tloušťkou 0,05 až 0,2 µm. širokopásmové odporové zakončení průběžné sériové rezistory odporový vkládaný prvek - čip 36

36. Rezistory se soustředěným odporem z velmi krátkého úseku ztrátového vedení (NiCr, Ta2N) s plošným odporem 9,5 až 135 / a tloušťkou 0,05 až 0,2 µm. Odporové články T a Π v mikropáskovém vedení

37. Monolitické mikrovlnné integrované obvody MMIO Pasivní a aktivní obvodové prvky, jejich spojení a mikro-pásková vedení jsou vytvořena na povrchu nebo v objemu polovodičového substrátu, který tu plní dvě funkce: • nosná „dielektrická“ podložka pro přenosová vedení, obvo-dové elementy s rozloženými parametry a hybridní prvky se soustředěnými parametry; • blok polovodiče pro vytváření a monolitickou integraci aktiv-ních a pasivních polovodičových součástek. Monolitické integrované obvody představují nejvyšší stupeň současné mikrovlnné integrace. Jsou již poměrně běžně využívány, jejich vývoj však dosud není plně ukončen a stále pokračuje. 38

38. Materiály pro MMIO 39

39. Výhody GaAs • Asi 6x větší pohyblivost elektronů než u Si a téměř 2x vyšší maximální driftová rychlost kratší průletová doba polovodičem možnost pracovat na vyšších kmitočtech na stejném kmitočtu může mít prvek z GaAs větší rozměry, tj. může zpracovávat větší výkony geometricky stejné prvky z GaAs a Si mají poměr mezních kmitočtů 4 : 1 nižší hodnota sériového odporu, lepší šumové vlastnosti aktivních prvků z GaAs • Stabilnost parametrů GaAs a SIGaAs v procesu technolo-gického zpracování 40

40. Intrinsický (čistý) nebo dotací vhodnými prvky (Cr) lze připravit SIGaAs s měrným odporem o čtyři až šest řádů větším než u SISi, srovnatelným s odporem jakostních dielektrik (korundová keramika) výborné izolační vlastnosti, malý útlum vedení, nízké ztráty v monolitických mikrovlnných integrovaných obvodech • Větší šířka zakázaného pásma GaAs (1,9 eV) než Si (1,1 eV) vyšší provozní teploty, zpracování větších výkonů společná integrace s optoelektronickými prvky (polovodičové lasery, LED), optoelektronické integrované obvody (OEIO) • Možnost vytváření velmi tenkých heterostruktur o tloušťce několika atomů (AlGaAs, GaInAs, GaInPAs apod.) vytváření nových součástek (HEMT, HBT apod.) 41

41. Nevýhody a problémy GaAs • Drahý výchozí materiál (galium). • Velmi drahá a složitá technologie. Nelze užít technologii Si. • Obtížné vytváření kvalitního kysličníku na povrchu GaAs. • Asi 3x menší tepelná vodivost GaAs (0,46 W/cmK) než u Si (1,41 W/cmK) špatný odvod tepla potíže s integrací výkonových prvků 42

42. Některé otázky a problémy MMIO Nové technologické postupy • Vytváření semiizolačního polovodičového materiálu (intrinsický polovodič, dotace Cr nebo Cu, metoda protonového bombar-dování). • Nové speciální postupy při vytváření MMIO (air-bridges, via-holes, lift-off atd.). • Nové technologie (iontová implantace, molekulární epitaxie, fotolitografie, elektronová litografie). • Tvorba velmi tenkých heterostruktur (setiny mikrometru). • Mnoho technologických kroků (asi 25 pro jeden tranzistor MESFET, dalších 35 pro vytvoření jednoho čipu MMIO) 43

43. Nové návrhové postupy topologie MMIO • Výhradně počítačový návrh (vysoká přesnost návrhu, nemož-nost dodatečných korekcí, optimalizace). • Lepší využití plochy čipu (kombinace obvodů s rozloženými a se soustředěnými parametry). • Zabránění nežádoucím vazbám mezi obvody. • Nové principy vytváření obvodů (např. R a C se vytvářejí pomocí tranzistorů MESFET). 44

44. Nízký stupeň zaplnění plochy čipu monolitických MIO pro zabránění vzniku nežádoucích vazeb mezi jednotlivými částmi obvodu 45

45. 4 µm 10 µm Precizní technologie monolitických MIO Vzduchový můstek(air-bridge) jako vývod středu kvadratického induktoru Mikrometrické rozlišení prstů interdigitálního kapacitoru 46

46. Typická sestava a obvodové prvky MMIO Obvod je zhotoven na SI GaAs (0,178 mm)s oddělovací vrstvou (0,5 µm) a epitaxiální aktivní vrstvou GaAs (0,25 µm). Prvky v této vrstvě jsou vzájemně izolovány protonovým bombardováním. 47

47. koaxiální konektor horní pásek teflon mikropásek zemnicí deska držák MIO Buzení a pouzdra mikrovlnných integrovaných obvodů Kolmý přechod koaxiál-mikropásek Axiální přechod koaxiál-mikropásek 48

48. přítlačný jazýček dielektrický šroub mikropásek stupňovitý hřeben vlnovodu Π Axiální přechod vlnovod – mikropásek Přechod mikropáskové – štěrbinové vedení Přechod koaxiál – štěrbinové vedení 49

49. Sestava typického uspořádání mikrovlnného integrovaného subsystému s monolitickými a hybridními obvody keramický modul s monolitickými čipy a jeho vsazení do „vnějších“ hybridních a napájecích obvodů 50

50. Modulové uspořádání integrovaného systému Typické provedení vnějších pouzder mikrovlnných integrovaných obvodů 51