M ěření vlastností pixelových detektorů - PowerPoint PPT Presentation

m en vlastnost pixelov ch detektor n.
Download
Skip this Video
Loading SlideShow in 5 Seconds..
M ěření vlastností pixelových detektorů PowerPoint Presentation
Download Presentation
M ěření vlastností pixelových detektorů

play fullscreen
1 / 24
M ěření vlastností pixelových detektorů
108 Views
Download Presentation
mika
Download Presentation

M ěření vlastností pixelových detektorů

- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E N D - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
Presentation Transcript

  1. Měření vlastností pixelových detektorů

  2. Detektor ATLAS

  3. Pixel detector 37 cm Barrel region Disk region 160 cm

  4. P - N přechod • Koncentraceelektronů a děr • Náboj vázaný v mřížce • Elektrické pole • Potenciál

  5. Oxid test structure Mini chip Diode with guardring Single chip

  6. Pixely Wafer CIS Wafer TESLA

  7. APARATURA

  8. Sesazovací znaky

  9. Kontrola sesazení Nepřesnost sesazení: -1,5 μm

  10. C-V na diodách s guardringem Vdep~ 80V

  11. I-V na diodách s guardringem

  12. 3T - tiles

  13. I-V na oxide test structure

  14. Závislost závěrného proudu Damage parameter a = I/Volume/Fluency a = 4 * 10-17 A/cm

  15. I-V: ozářené Single Chipy

  16. I-t měření • Měření se provádí na tilech. • Vysoké napětí je nastaveno na –Vop. Proud je zaznamenáván každých 10 s nejméně po dobu 54000s (15h). Maximální proud se nastavuje na 20 μA. 15 hodin 10 dní

  17. Telescope bar schéma live

  18. Princip měření na telescope bar Stripové detektory  ~ 3 m extrapolace beam Pixelový detektor –Single chip Místo průletu částice Střed pixelu

  19. ~ 107 protons at 450 GeV/c 2 108 pi+ at 200 GeV/c 7 107 pi- at 200 GeV/c ~ 106 Pb at 400 GeV/Z Profil svazku H8

  20. Charge collection efficiency • Redukovaná účinnost sběru náboje v místech připojení bias grid Bias grid

  21. Rozlišení – klíčový parametr rovnoměrné rozdělení x = 115,4 m y = 14,4 m 2hit ~ 5,7 m  x = 400 m y = 50 m 2hit~ 20 m

  22. Rozlišení 2hit 1 + 2 hit 1hit  = 6,0865 m  = 14,1315 m x = 400 m y = 50 m 2hit~ 20 m

  23. Shrnutí • Skupina ve FzU se účastní jak měření dat v laboratorních podmínkách tak měření na svazku • Vyráběné detektory TESLA a CiS mají projektované parametry • V současné době je Si laboratoř připravena na měření standardní produkce pro ATLAS