Transistor Bipolar

1. Transistor Bipolar transistor =transferresistor E=Emissor B=Base C=Coletor

2. Características das Três Regiões O emissor é a região mais dopada (de onde os portadores de carga são emitidos) A base é muito estreita e pouco dopada (para evitar que os eletrons que chegam do emissor se recombinem com as lacunas da base). O coletor é a maior das regiões ( é nessa região que é dissipada toda a Potencia em um transistor).

3. Polarizando o Transistor

4. Como explicar que a corrente de coletor é alta quando deveria ser baixa?

5. Explicando o efeito transistor A bateria VEE polariza diretamente a junção base emissor, e portanto existe um fluxo elevado de elétrons livres indo do emissor para o coletor ( IEn) e de lacunas da base para o emissor (IEp), a corrente de emissor (IE) é a soma dessas duas correntes sendo a primeira predominante. A bateria Vcc polariza a junção base coletor reversamente. O que acontece com a corrente entre a base e o coletor?

6. Como a base é muito estreita e pouco dopada a maior parte (>99%) dos eletrons que saem do emissor atingem o coletor., isto é, a probabilidade De um eletron que chega na base se recombinar com uma lacuna é muito pequena

7. entrada saída Considerando o símbolo O circuito é chamado: conexão Base comum Importante: A junção Base-Emissor é polarizada diretamente. A junção Base Coletor é polarizada reversamente

8. Equações O transistor pode ser considerado um nó: IE= IC+IB O transistor pode ser considerado uma malha: VCE=VBE+VCB como sendo o ganho de corrente na configuração base comum Define-se:

9. Notação de Tensão e Corrente Por exemplo: IE=2mA e IC=1,98mA Grandezas contínuas (correntes e tensões) serão representadas por letras maiúsculas e índices maiúsculos, por exemplo, correntes de coletor (IC), emissor (IE) e de base (IB). Tensão entre dois pontos é representada por índice com duas letras, a primeira o ponto de maior potencial e a segundo o ponto de menor potencial, por exemplo, a tensão base emissor (VBE), a tensão coletor-emissor (VCE) e coletor-base (VCB). Se a tensão for entre terminal e terra (GND), usa-se somente a letra relativa ao terminal, VB, tensão da base ao terra. IB= IE – IC=2mA – 1,98mA=0,02mA=20uA

10. A configuração Emissor Comum entrada saída A junção base emissor continua polarizada diretamente A junção base coletor continua polarizada reversamente

11. Considerando o símbolo VCB VCE VBE Continuam validas as equações IE= IC+IB VCE=VBE+VCB

12. O Ganho de Corrente β Para a montagem emissor comum define-se o ganho: Esse parâmetro também é designado por hFE nos manuais Por exemplo: IC=2mA e IB=20μA

13. o valor do beta não é constante varia com a temperatura e com o valor da corrente de coletor.

14. Os transistores são construídos para aplicações especificas (áudio, vídeo, chave, etc) ou mesmo uso geral e por isso mesmo tem diferentes tamanhos e características. BC548 BD 140 2N3055

15. Datasheet (folha de dados) As grandezas que determinam os principais limites em um transistor são a máxima corrente de coletor, a máxima tensão inversa entre base e emissor, a máxima tensão inversa entre emissor e coletor e a máxima potencia dissipada pelo transistor

16. Curvas Características de Coletor São  gráficos de ICxVCE tendo IB como parâmetro Circuito para obter as curvas Por exemplo: VBB é ajustado para IB=10μA

17. VCE é variado, variando-se VCC IC é medido, Com esses dados é levantado o gráfico Observar a relação entre as duas correntes:

18. Se o procedimento for repetido para outros valores de IB serão obtidas varias curvas chamadas de curvas características de coletor

19. As Regiões de Operação do Transistor Região ativa ou região de amplificação A junção base emissor está polarizada diretamente e a junção base coletor reversamente. Nessa região o transistor é usado como amplificador. Região de Saturação As duas junções estão polarizadas diretamente. Nessa região o transistor É usado como chave fechada. Região de Corte As duas junções estão polarizadas reversamente. Nessa região o transistor É usado como chave aberta.