1 / 13

Ing. Roman Stoklas

Zlepšenie elektrických vlastností HFET tranzistorov na báze GaN použitím “high- k ;” Al 2 O 3 hradlového oxidu. Ing. Roman Stoklas. Vedúci doktorandského štúdia: RNDr. Dagmar Gregušová, CSc. OBSAH. základné parametre GaN-u dôvody použitia GaN pre tranzistory riadené elektrickým poľom

eamon
Download Presentation

Ing. Roman Stoklas

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript


  1. Zlepšenie elektrických vlastností HFET tranzistorov na báze GaN použitím “high-k;” Al2O3 hradlového oxidu Ing. Roman Stoklas Vedúci doktorandského štúdia: RNDr. Dagmar Gregušová, CSc.

  2. OBSAH • základné parametre GaN-u • dôvody použitia GaN pre tranzistory riadené elektrickým poľom • porovnanie HFET a MIS-HFET tranzistorov • namerané výsledky

  3. Základné parametre GaN • Veľká šírka energetickej medzery EG = 3,45 eV • Vysoká prierazná intenzita elektrického poľa EC = 3x106 V/cm • Vysoká pracovná teplota Tmax~ 900°C • Nízka dielektrická konštanta er = 9,5 • Vysoká tepelná vodivosť k = 1,3 W/cm K • Vysoká saturačná rýchlosť vs = 2,5x107 cm/s • Vysoká pohyblivosť nosičov náboja m = 2000 cm2/Vs

  4. GaN • FET – field effect transistor - veľký zvodový záverný prúd - nízka pracovná frekvencia • HFET – heterostructure FET AlGaN/GaN HFET - vysoká pracovná frekvencia- veľký zvodový záverný prúd • MIS-HFET – metal insulator semiconductor HFET Si3N4, SiO2, Al2O3 - nízky zvodový záverný prúd - vysoká pracovná frekvencia

  5. Porovnanie HFET a MIS-HFET tranzistorov MIS-HFET HFET

  6. Porovnanie HFET a MIS-HFET tranzistorov Štruktúra – MIS-HFET C-V charakteristika Zvodový záverný prúd

  7. Ciele pre 1. etapu • Technológia prípravy (procesing) HFET a MOSHEFT tranzistorov, • Elektrická charakterizácia HFET a MOSHFET tranzistorov: - jednosmerná, - impulzná, a ich vzájomné porovnanie.

  8. Namerané výsledky - výstupné charakteristiky AlGaN/GaN MOSHFET s 9nm Al2O3 vrstvou AlGaN/GaN HFET

  9. Namerané výsledky - prevodové charakteristiky a strmosti AlGaN/GaN HFET AlGaN/GaN MOSHFET s 9nm Al2O3 vrstvou

  10. Namerané výsledky - vstupné charakteristiky AlGaN/GaN HFET AlGaN/GaN MOSHFET s 9nm Al2O3 vrstvou

  11. Namerané výsledky - C-V meranie

  12. Namerané výsledky

  13. Záver • Pripravené prvé GaN HFET a MISHFET tranzistory • Optimalizácia technológie Blízka budúcnosť: impulzná charakterizácia HFET a MIS-HFET tranzistorov a ich vzájomné porovnanie

More Related