TEMA 5: EL TRANSISTOR BIPOLAR - PowerPoint PPT Presentation

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TEMA 5: EL TRANSISTOR BIPOLAR

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TEMA 5: EL TRANSISTOR BIPOLAR

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  1. TEMA 5: EL TRANSISTOR BIPOLAR Mª Dolores Borrás Talavera

  2. Tipos, símbolos y convenios de corrientes Estudio cualitativo del transistor bipolar Polarización y corrientes de un transistor. Ecuación generalizada. Efecto amplificador Configuraciones de un transistor Curvas características en BC y EC. Recta de carga y punto de trabajo.

  3. IE IC IE IC E C E C B B TIPOS, SÍMBOLOS Y CONVENIOS DE CORRIENTES PNP NPN VCE VCE VCB IB VCB VBE IB VBE IC + IB+ IE= 0 VCE = VCB+ VBE

  4. -αIE -αIE IC IC E C E ICO ICO B B Configuraciones del transistor Base común Emisor común Colector común VEC VEB VCB VCE VBE VBE ESTUDIO CUALITATIVO DEL TRANSISTOR BIPOLAR Modelo equivalente ( Ebers-Moll ) PNP NPN C IC = -αIE + ICO

  5. POLARIZACIÓN Y CORRIENTES DE UN TRANSISTOR IC C E Unión EB polarización directa Unión CB polarización inversa VEB RL B S1 S2 IC = ICO -αIE α= ganancia de corriente VCB ECUACIÓN GENERALIZADA


  6. IC ZONA ACTIVA IE=20mA -20mA IE IE=10mA ZONA DE SATURACIÓN -10mA IE=0 ICO 0.25 0 -2 -4 -VCB ZONA DE CORTE CURVAS CARACTERISTICAS EN BC Característica estática

  7. IB = f(VBE, VCE) Característica de entrada IC = f(VCE, IB) Característica de salida CURVAS CARACTERISTICAS EN EC IC RL IB VCE VBC VCC IE

  8. IB 1ª aproximación 0.7 VBE CURVAS CARACTERISTICAS EN EC Característica de entrada Ideal Corresponde a la de un diodo y se emplean las aproximaciones lineales vistas anteriormente

  9. ZONA ACTIVA: IC=·IB IC (mA) IB(μA) 400 40 300 ZONA DE SATURACIÓN 30 200 20 100 10 0 1 2 VCE (V) ZONA DE CORTE CURVAS CARACTERISTICAS EN EC Característica de salida

  10. CURVAS CARACTERISTICAS EN EC Limitaciones IC IC-MAX Corriente máxima de colector VCE-MAX Tensión máxima CE ICMAX PMAX  Potencia máxima PMAX SOAR VCE-MAX VCE Área de operación segura (Safety Operation Area)

  11. REGION ACTIVA C C C inversa IC B B B IB VCE ·IB VBE E E E directa REGION DE SATURACIÓN directa IC IB VCE=0 IC<·IB directa VBE inversa IC REGION DE CORTE IB VCE VBE inversa REGIONES DE FUNCIONAMIENTO IC = IB + (1+ )ICO IC > 0 IB > 0 VC E= VBE – VBC  0 IC ICO IE = 0 VB E= 0

  12. Característica de salida del transistor PNP Recta de carga del equivalente Thevenin IC IC IC VCE VCE VCE VTH Punto de Funcionamiento ZONA ACTIVA Punto de Funcionamiento SATURACIÓN Punto de Funcionamiento ZONA DE CORTE Recta de carga y punto de trabajo. VTH/RTH Circuito lineal RTH IC IB VCE VTH