gremenok2011 1

1. Задание № 3.3НТП Союзного государства «Разработка базовых элементов, технологий создания и применения орбитальных и наземных средств многофункциональной космической системы» («Космос-НТ») Договор № 71-2008 «Разработать технологию и конструкции Cu(In,Ga)(Se,S)2 тонкопленочных солнечных элементов на гибких подложках для космических аппаратов» Этап 6 «Разработка методов изготовления СЭ (солнечных элементов) увеличенной площади и модернизация оборудования для их изготовления. Исследование оптических и фотоэлектрических свойств тонкопленочных структур Cu(In,Ga)(Se,S)2. Разработка методики исследования однородности фоточувствительности по площади СЭ».

2. Зависимость ширины запрещенной зоны Еg от соотношения халькогенов S/Se в тонких пленках Cu(In,Ga)(S,Se)2 Спектрфотолюминесценциитонкойплёнки CIGSeS (S/(Se+S)=0.19) и CuInGaSe2плёнки (образец 2x118/1) при 78 K и 300 K Изменение оптической ширины запрещенной зоны CIGSS-пленок в диапазоне 1.22 ÷ 1.47 эВ,соответствующего критериям высокоэффективного преобразования солнечного излучения,достигается вариацией их состава (Ga/(In+Ga) от 0.03 до 0.14 и S/(S+Se) от 0.14 до 0.88 мол. %).

3. Спектральные зависимости относительной квантовой эффективности фотопреобразованиятонкопленочных структур In/p-Cu(In,Ga)(S,Se)2 при Т = 300 К. (Номера образцов: 1, 1' – 1X213S2, 2 – 1X213S, 3 – 1X214S, 4 – 1X214S; Освещение со стороны барьерного контакта – кривые 1 – 4 и со стороны пленки Cu(In,Ga)(S,Se)2 – 1'). На основании исследования фотоэлектрических свойств полученных структур установлено, что они характеризуются широкополосным характером фотопреобразования естественного излучения в спектральном диапазоне 1.2 - 1.7. эВ. Данные оценки ширины запрещенной зоны из оптического EGopt и фотоактивного EGd поглощения являются весьма близкими между собой и соответствуют известному условию получения максимальной эффективности фотопреобразования.