introdu o a nanotecnologia n.
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Introdução a Nanotecnologia. NANOESTRUTURAS SEMICONDUTORAS Aula 1. Mauricio Pamplona Pires IF-UFRJ. Programa. Motivação O que são Semicondutores, Isolantes e Condutores? Dopagem n e p Crescimento epitaxial Junção p-n e heteroestruturas Dispositivos convencionais

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Presentation Transcript
introdu o a nanotecnologia

Introdução a Nanotecnologia

NANOESTRUTURAS SEMICONDUTORAS

Aula 1

Mauricio Pamplona Pires

IF-UFRJ

programa
Programa
  • Motivação
  • O que são Semicondutores, Isolantes e Condutores?
  • Dopagem n e p
  • Crescimento epitaxial
  • Junção p-n e heteroestruturas
  • Dispositivos convencionais
  • Técnicas de caracterização
  • Processamento e fotolitografia
  • Nanoestruturas: poços, fios, discos e pontos quânticos
  • Dispositivos e aplicações
1 motiva o
1. Motivação

Qual a relação entre

semicondutores

e

nanotecnologia?

Vamos começar pelo começo...

motiva o
Motivação

Válvula?

slide5

Triodo

Diodo

http://en.wikipedia.org/wiki/Vacuum_tube

slide6

Grande avanço na eletrônica:

  • Amplificador
  • Rádios
  • Equipamentos telefônicos
  • Televisores
  • Primeiros computadores
  • Porém não eram perfeitas...
  • Grandes
  • Não duravam muito
  • Pouco confiáveis (queima do filamento, vácuo,...
  • Grande consumo de energia
  • Produção de calor

Triodo

http://www.lsi.usp.br/~chip/como_funcionam.html

descoberta do transistor
Descoberta do transistor

Bardeen (1908-1991)

Shockley (1910-1989)

Brattain (1902-1987)

John Bardeen, Walter Brattain e William Shockley descobriram o efeito transistor e fabricaram o 1o dispositivo em Dezembro de 1947.

Prêmio Nobel de Física de 1956

lei de moore
Lei de Moore

Gordon Moore

Co-fundador da Intel

“O número de transistores em um chip dobra a cada dois anos”

slide11

Lei de Moore:

Redução do tamanho dos telefones celulares como resultado do aumento do número

de transistores num único circuito integrado

Physics and the communications industry, W. F. Brinkman and D. V. Lang

slide12

Laboratório

Tempo ?....

Comercial

Physics and the communications industry,

W. F. Brinkman and D. V. Lang

Diferença de tempo entre o que está no laboratório e o que é

utilizado comercialmente

Avanço da capacidade de

transmissão na fibra ótica

slide13

Mudança de escala de componentes microeletrônicos

Siegfried Selberherr, Tecnical University Vienna

mas a lei de moore n o tudo
Mas a Lei de Moore não é tudo....
  • Mais rápido
  • Mais eficiente
  • Menor custo
  • ....

Novas necessidades

Como fazer isto???

Solução:

  • Transições óticas
  • Correntes
  • ...
  • Novos efeitos

Mudança de escala

provoca mudanças nas

nano dispositivos
Nano dispositivos

Feitos de ...

2 o que s o semicondutores

d

L

2. O que são semicondutores?

Nem condutores nem isolantes...

10-8

  • Resistividade ( m) Resistência ()
  • (L=1m, d =1mm)
    • Alumínio 2.8x10-8 3.6x10-2
    • Cobre 1.7x10-8 2.2x10-2
    • Platina 10x10-8 12.7x10-2
    • Prata 1.6x10-8 2.1x10-2
    • Germánio 0.45 5.7x105
    • Silício  640  6x108
    • Porcelana 1010 - 1012 1016 - 1018
    • Teflon 1014 1020
    • Sangue 1.5 1.9x106
    • Gordura 24 3x107

Metais

10-3

107

Semicondutores

Resistividade a T ambiente(.m)

Isolantes

1014

s lidos cristalinos
Sólidos cristalinos

Como os átomos se organizam nos sólidos?

a

Rede cúbica

Rede cúbica de corpo centrado

Rede cúbica de face centrada

a – parâmetro de rede do cristal

IMPORTANTE

usados para eletr nica

C, Si ou Ge

Usados para eletrônica...

Rede cristalina do diamante, do silício e do germânio

Rede cúbica de face centrada

Rede do diamante

Duas redes transladadas de

¼ da diagonal central

Cada átomo está ligado a 4 outros

slide21

... e na opto-eletrônica

Rede cristalina do GaAs, InP, AlGaAs, InAlAs...

Rede Zincblend

Ga, In, Al

As, P

slide23

Sólido

Átomo de hidrogênio

luz

níveis eletrônicos

+

Surgimento de bandas de energias

Vários átomos?

1 átomo

slide24

+

+

Surgimento de bandas de energias

2 átomos distantes

independentes

slide25

+

+

+

Bandas

átomos próximos

Surgimento de bandas de energias

Quais bandas estarão cheias e vazias?

Três possibilidades ... metais, isolantes e semicondutores

slide26

Metais

Próxima banda

Energia do elétron

incompleta

Última banda

Posição

METAL

slide27

Metais

Próxima banda

Energia do elétron

elétron livre

incompleta

Última banda

Posição

METAL

Próximo estado disponível:

+ e

Outra possibilidade ...

slide29

Isolantes e semicondutores

Banda de Condução (1a banda vazia)

Energia do elétron

Banda de Valência (última banda cheia)

Posição

Si (14 elétrons) – 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2

Ne + 3s2 3p2

4 elétrons disponíveis

slide30

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Elétrons ligados

(BV)

Qual a energia necessária para liberar estes elétrons?

slide31

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Elétrons livre

(BC)

Falta de 1 elétron

“buraco”

slide32

Banda de Condução (1a banda vazia)

elétron livre

tem massa e carga

Eg

Energia do elétron

buraco

também tem massa e carga ...

Banda de Valência (última banda cheia)

Posição

GAP

Eg grande

ISOLANTE

(vários eV)

Eg pequeno

SEMICONDUTOR

slide33

Eg

Eg

Metal

Isolante

Semicondutor

slide34

E= hc/l

E= 1240 /l (eV/nm)

E= 1,24 /l (eV/mm)

slide35

Semicondutores

BC

BC

Eg

Eg

Energia do elétron

Energia do elétron

BV

BV

Posição

Posição

Eg pequeno

Facilidade para elétrons saírem da BV para a BC

Temperaturae luz

slide37

BC

Eg

Energia do elétron

BV

Posição

Probabilidade: e-Eg/kT

slide38

Mecanismos de condução diferentes

Aumento no número de

portadores de carga

r

-

T

r

+

T

O aumento das vibrações cristalinas dificulta a passagem do elétron

3 dopagem p e n
3. Dopagem p e n

Em relação ao Si:

III

IV

V

Si – Ne + 3s2 3p2

B: He + 3s2 3p1

menos um elétron (grupo III) – tipo p

As: Ar + 3s2 3p3

mais um elétron (grupo V) – tipo n

slide40

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Doador tipo n

“Sobra” 1 elétron

As

Qual a energia necessária para liberar este elétron?

slide41

Doador tipo n

BC

BC

+

Ed

Ed

Energia do elétron

Energia do elétron

BV

BV

Posição

Posição

Do + Ed = D+ + e-

slide42

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Doador tipo p

“Falta” 1 elétron

B

Qual a energia necessária para liberar este elétron?

slide43

Doador tipo p

BC

BC

Energia do elétron

Energia do elétron

-

Ea

Ea

BV

BV

Posição

Posição

Ao + Ea = A- + h+

crescimento de camadas epitaxiais
Crescimento de Camadas Epitaxiais
  • LPE
  • VPE
  • MBE – Molecular Beam Epitaxy
  • MOCVD - Metal Organic Chemical Vapour Deposition
slide45

Reator MBE

No final dos anos de 60 foi desenvolvido também na Bell-Labs, por Cho a técnica chamada epitaxia por feixe molecular.(Molecular Beam Epitaxy – MBE). Este tem sido o mais sofisticado método de crescimento.

O princípio deste crescimento reside na evaporação de fontes sólidas altamente purificadas em alto vácuo (10-10 torr sem crescimento e 10-8 a 10-6 torr durante o crescimento), produzindo feixes moleculares irecionados sobre a superfície aquecida do substrato.

Cho, A. Y. e Arthur J. R.; Molecular Beam Epitaxy, Progress in Solid State Chemistry, 10, 3, 157-191 (1975).

reator mocvd
Reator MOCVD

Uma outra técnica distinta chama-se deposição química por fase vapor (Chemical Vapour Deposition – CVD). Uma variante desta técnica é a epitaxia por fase gasosa de organo-metálicos (Metal Organic Vapour Phase epitaxy – MOVPE, ou Metal Organic Chemical Vapour Deposition – MOCVD).

O princípio de crescimento do MOVPE baseia-se num fluxo laminar sobre o substrato aquecido por rádio freqüência ou lâmpadas infra-vermelhas. Embora o MOVPE tenha sido desenvolvido no fianl dos anos 60, ele só apareceu como alternativa a partir do começo da década de 80. Houve, nesta última década, o desenvolvimento e a purificação das fontes organometálicas para o uso no processo MOVPE.

Manasevit, H., Applied Physics Letters, 12, 156 (1968).

reator mocvd1
Reator MOCVD
  • Temperatura
  • Pressão
  • Gases:
  • AsH3
  • PH3
  • TMGa
  • TMIn
  • TMAl, ...
  • Fluxos
slide55

Onde ?

MOCVD

Rio de Janeiro

MBE

São Paulo

Campinas

Belo Horizonte

slide56

TMAl,TMIn

PH3

Crescimento Epitaxial

TMGa

AsH3

Substrato GaAs

slide57

AlAs

GaP

InP

InAs

GaxAl1-xAs

InxGa1-xP

InxGa1-xAs

InxAl1-xAs

GaAs

slide58

a’ > a

InAs

a

a

Material casado

Material descasado

AlGaAs

InAs tensionado

GaAs

GaAs

slide59

x 10000

x 4000

x 10

x 8.3

x 3

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