1 / 12

Aktive Mischer – Teil 2 Multiplikative Mischer am Beispiel eines Dualgate-Feldeffekt-Transistors

Aktive Mischer – Teil 2 Multiplikative Mischer am Beispiel eines Dualgate-Feldeffekt-Transistors. Von Ulrich Hilsinger – EN8 – WS2000/2001. Multiplikative Mischung. Bei multiplikativer Mischung werden Signal- und Pump- (LO-) Spannung zwei getrennten Steuereingängen zugeführt.

grant-mcfarland
Download Presentation

Aktive Mischer – Teil 2 Multiplikative Mischer am Beispiel eines Dualgate-Feldeffekt-Transistors

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Aktive Mischer – Teil 2Multiplikative Mischeram Beispiel eines Dualgate-Feldeffekt-Transistors Von Ulrich Hilsinger – EN8 – WS2000/2001

  2. Multiplikative Mischung • Bei multiplikativer Mischung werden Signal- und Pump- (LO-) Spannung zwei getrennten Steuereingängen zugeführt. • Es gibt vier Typen multiplikativer Mischer: • Mehrgitter-Röhren • Doppelgate-MOS-Feldeffekttransistoren • Schaltungen mit Bipolartransistoren • Gegentaktdiodenmischer

  3. Dualgate-MOSFET-Mischer PrinzipschaltbildAufbau des Dualgate-FETs

  4. Dualgate-FET-Mischerschaltung (Darstellung des Dualgate-FETs durch 2 FETs, nach [2])

  5. Dualgate-MOSFET-Mischer Für den Drain-Strom gilt: S sind die Steilheiten bezogen auf das jeweilige Gate. Nach weiteren Umformungen [1] ergibt sich, daß bei der Mischung beider Eingangssignale am Ausgang neben den Eingangssignalen weitere Komponenten mit der Summen- und Differenzfrequenz des Eingangssig-nals ergeben. Für die Steilheit werden dabei lineare Funktionen angenommen. Durch Nichtlinearitäten entstehen allerdings weitere Komponenten!

  6. Ausgangsspektrum Theorie: Mit n und m = 1 sollten neben den Eingangssignalen also folgende Frequenzen auftreten (Eingangsfrequenzen 1 GHz und 11 GHz): | 11 GHz + 1 GHz| = 12 GHz | 11 GHz – 1 GHz| = 10 GHz |-11 GHz + 1 GHz| = 10 GHz |-11 GHz - 1 GHz| = 12 GHz fLO = 11 GHz fS = 1 GHz PLO = 3 dBm PLO = -17 dBm

  7. Ausgangsspektrum fLO = 11 GHz fS = 1 GHz PLO = 3 dBm PLO = -17 dBm

  8. SCHÖN WÄR‘S ......

  9. Mischprodukte höherer Ordnung • Die Kennlinie ist nichtlinear, das LO-Signal hat Oberwellen, ..... • Es entstehen weitere Komponenten für m und n  1, Intermodulationsprodukte, .... Die Zusammensetzung des Ausgangssignals hängt davon ab, in welchem Bereich der Kennlinie der Transistor arbeitet. • In Serenade SV 8.5 sind bis zu 31 Spektrallinien darstellbar, Einstellung im Frequenzblock mit nLo (Zahl der LO-Vielfachen) und nBand (Zahl der Seitenbänder. Zuerst nBands = 2 und nLO = 3, nachfolgend nBands = 3 und nLO = 4

  10. Mischprodukte höherer Ordnung

  11. Noch mehr Mischprodukte....

  12. Literaturverzeichnis [1] Rainer Geißler/Werner Kammerlohrer/Hans Werner Schneider: Berechnungs- und Entwurfsverfahren der Hochfrequenztechnik, Kapitel 2.2.: Multiplikative Mischung (Vieweg-Verlag) [2] Zinke/Brunswig: Hochfrequenztechnik 2 – Elektronik und Signalverarbeitung, 4. Auflage, Kapitel 7.4.2.5.: Dual-Gate-FET (Hrsg.:Vlcek und Hartnagel, Springer-Lehr-buch-Verlag)

More Related