1 / 9

Digitální učební materiál

Digitální učební materiál. DĚLENÍ PODLE TECHNOLOGIE. Paměťové buňky se vyrábějí různými technologiemi, na kterých závisí jejich vlastnosti. PAMĚTI. BIPOLÁRNÍ. UNIPOLÁRNÍ. DĚLENÍ PODLE TECHNOLOGIE. Polovodičové paměti vyráběné bipolární technologií.

damia
Download Presentation

Digitální učební materiál

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Digitální učební materiál

  2. DĚLENÍ PODLE TECHNOLOGIE Paměťové buňky se vyrábějí různými technologiemi, na kterých závisí jejich vlastnosti. PAMĚTI BIPOLÁRNÍ UNIPOLÁRNÍ

  3. DĚLENÍ PODLE TECHNOLOGIE • Polovodičové paměti vyráběné bipolární technologií. • Polovodičové paměti vyráběné unipolárnítechnologií

  4. DĚLENÍ PODLE TECHNOLOGIE Bipolární technologie • Vyznačuje se tím, že používá ke konstrukci paměťové buňky bipolární tranzistory. • Paměťové buňky jsou tvořeny obvody TTL(Transistor TransistorLogic – Tranzisorově tranzistorová logika) nebo ECL (EmitterCoupledLogic - Emitorově vázaná logika).

  5. BIPOLÁRNÍ TECHNOLOGIE • Paměti zhotovené touto technologií jsou velmi rychlé, ale ve srovnání s unipolární technologií potřebují mnohem větší příkon. • Nedovolují dosáhnout většího stupně integrace, proto mají menší kapacitu než paměti unipolární, používají se proto pro speciální malé, ale velmi rychlé paměti, např. vyrovnávací (cache) paměti.

  6. UNIPOLÁRNÍ TECHNOLOGIE Unipolární technologie • má mnoho předností. Paměťové buňky jsou tvořeny unipolárními tranzistory MOS (Metal Oxid Semiconductor). • S touto technologií lze dosáhnout vysokého a velmi vysokého stupně integrace (obvody LSI a VLSI). • V unipolární technologii polovodičových pamětí existuje u různých výrobců mnoho odlišností. Výrobci modifikují tři základní kategorie technologií s MOS tranzistory: • P-MOS, technologie s p kanálem • N-MOS, technologie s n kanálem • CMOS, technologie s komplementárními tranzistory s p i n kanálem

  7. UNIPOLÁRNÍ TECHNOLOGIE • Technologií CMOS lze docilovat velmi vysokého stupně integrace a rychlosti přístupu se blíží bipolárním technologiím. • Integrované obvody CMOS jsou konstruovány z dvojice komplementárních tranzistorů řízených polem MOSFET s indukovaným kanálem. • Jeden z této dvojice je MOSFET s p-kanálem a druhý s n- kanálem. • Základním stavebním blokem složitějších obvodů v technologii CMOS je invertor.

  8. Kontrolní otázky • Jak rozdělujeme paměti podle typu použité technologie? • Popište bipolární technologii paměťových buněk. • Popište unipolární technologii paměťových buněk. • Které varianty základní kategorie technologií s MOS tranzistory modifikují výrobci? Co znamená zkratka CMOS? • Co je základním stavebním blokem složitějších obvodů v technologii CMOS?

  9. Použité zdroje: • ANTOŠOVÁ, Marcela a Vratislav DAVÍDEK. Číslicová technika. 3. vyd. České Budějovice: Kopp, 2008, 286 s. ISBN 978-80-7232-333-3. • Autorem všech částí tohoto učebního materiálu, není-li uvedeno jinak, je Jiří Gregor.

More Related