k miai lev laszt s g zf zisb l cvd
Download
Skip this Video
Download Presentation
Kémiai leválasztás gőzfázisból (CVD)

Loading in 2 Seconds...

play fullscreen
1 / 12

Kémiai leválasztás gőzfázisból (CVD) - PowerPoint PPT Presentation


  • 124 Views
  • Uploaded on

Kémiai leválasztás gőzfázisból (CVD). Mizsei János 2013. PVD és CVD. Physical Vapor Deposition : Vákuum gőzölés Katód porlasztás Chemical Vapor Deposition : Két féle gőz a szelet felületén lép reakcióba Vákuumtechnológia során a rendszer felnyitása nélküli rétegleválasztás.

loader
I am the owner, or an agent authorized to act on behalf of the owner, of the copyrighted work described.
capcha
Download Presentation

PowerPoint Slideshow about 'Kémiai leválasztás gőzfázisból (CVD)' - clara


An Image/Link below is provided (as is) to download presentation

Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author.While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server.


- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E N D - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
Presentation Transcript
pvd s cvd
PVD és CVD
  • PhysicalVaporDeposition:
    • Vákuum gőzölés
    • Katód porlasztás
  • ChemicalVaporDeposition:
    • Két féle gőz a szelet felületén lép reakcióba
    • Vákuumtechnológia során a rendszer felnyitása nélküli rétegleválasztás
slide5
Rétegleválasztás (CVD)

V. ö.: oxidáció

slide6
Rétegleválasztás (CVD)

V. ö.: oxidáció

si epitaxia k miai reakci k
Si epitaxia, kémiai reakciók
  • Szilános (SiH4) és tetrakloridos (SiCl4) rendszerek.
  • Si tetrakloridos:

800-1200 C°

SiCl4+H2 -------------- SiCl2+HCl

Gáztérben: Si felületén adszorbálódik a SiCl2

2 SiCl2Si+SiCl4 SiCl4deszorbálódik

si epitaxia k miai reakci k1
Si epitaxia, kémiai reakciók
  • A teljes reakció:

SiCl4+H2  Si+4 HCl

  • A kémiai reakciók megfordíthatók  Si- tetraklorid koncentrációtól függően rétegnövekedés vagy marás is lehet.
si epitaxia k miai reakci k2
Si epitaxia, kémiai reakciók

Rétegnövekedés sebessége SiCl4 epitaxiával.

si epitaxia k miai reakci k3
Si epitaxia, kémiai reakciók
  • Szilános rendszerek:

1000 C°

SiH4 --------- Si+ 2H2

A rétegnövekedés sebességét a hidrogén deszorpciója határozza meg.

A rétegnövekedés nem fordítható meg  marás nem történik.

ad