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VLSI 製程期中報告之 FinFET 製程簡介

VLSI 製程期中報告之 FinFET 製程簡介. 四技晶片四甲 - 陳仁和 (49537038). 大綱. 前言. F inFET 簡介. 製程概述. 參考文獻. 前言. 台灣積體電路製造股份有限公司於美西時間 13 日在加州聖荷西市舉行技術研討會，會中宣佈將跳過 22 奈米製程，直接發展 20 奈米製程。

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VLSI 製程期中報告之 FinFET 製程簡介

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Presentation Transcript

  1. VLSI製程期中報告之 FinFET 製程簡介 四技晶片四甲-陳仁和 (49537038)

  2. 大綱 前言 FinFET簡介 製程概述 參考文獻

  3. 前言 台灣積體電路製造股份有限公司於美西時間13日在加州聖荷西市舉行技術研討會，會中宣佈將跳過22奈米製程，直接發展20奈米製程。 台積公司20奈米製程係在平面電晶體結構製程(planar process)的基礎上採用強化的高介電值/金屬閘(high-k metal gate)、創新的應變矽晶(strained silicon)與低電阻／超低介電值銅導線(low-resistance copper ultra-low-k interconnect)等技術。 以上皆為材料的及技術的提升；但突破性的結構製程如鰭式場效電晶體(FinFet) ，非常值得關切。

  4. FinFET簡介 FinFET係源自於目前傳統標準的電晶體--場效電晶體 (Field-effecttransistor; FET)的一項創新設計。在傳統電晶體結構中，控制電流通過的閘門，只能在閘門的一側控制電路的接通與斷開。在FinFET的架構中，閘門成類似魚鰭的叉狀，可於電路的兩側控制電路的接通與斷開。這種設計大大改善了電路的可控性並且減少漏電流 (leakage)，也可以大幅縮短電晶體的閘長。 微縮後遇到許多瓶頸 如閘極穿隧漏電流 傳統MOS 尖端放電因素越見顯著!

  5. 於是有人提出嶄新結構 FinFET !! 雙邊側控

  6. FinFET結構 及其SEM圖

  7. 製程概述 經震洗 、去有機 無機離子 於silicon wafer 成長氧化物，為SOI打下基礎 為方便比對以下頁數縮成一頁動畫

  8. 製程概述

  9. FinFET技術於塊材與使用SOI技術之優缺

  10. 實際FinFET特性曲線 以上資料取自 Chenming Hu, et al. Dept. of EECS, UC-Berkeley, IEDM, p251-254, 2002

  11. 參考文獻 http://ssttpro.acesuppliers.com/semiconductor_news/hi_tech_enews_NewsId_3667.html http://www.edn.com/blog/1690000169/post/660005066.html http://www.epochtimes.com/b5/2/6/12/n196042.htm http://www.tibercad.org/sample_application/article/3d_simulation_a_finfet_device http://en.wikipedia.org/wiki/Multigate_device

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