1 / 71

Elementy elektroniki

Elementy elektroniki. Wykłady z podstaw elektrotechniki i elektroniki Paweł Jabłoński. Co było do tej pory?. Zajmowaliśmy się teorią obwodów. Wprowadziliśmy podstawowe wielkości elektryczne. Omówiliśmy właściwości podstawowych elementów obwodu.

uzuri
Download Presentation

Elementy elektroniki

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript


  1. Elementy elektroniki Wykłady z podstaw elektrotechniki i elektroniki Paweł Jabłoński

  2. Co było do tej pory? • Zajmowaliśmy się teorią obwodów. • Wprowadziliśmy podstawowe wielkości elektryczne. • Omówiliśmy właściwości podstawowych elementów obwodu. • Zajmowaliśmy się obwodami prądu stałego (liniowymi i nieliniowymi) oraz liniowymi obwodami prądu sinusoidalnego.

  3. Na tym wykładzie Cel: Zapoznanie się z wybranymi elementami półprzewodnikowymi stosowanymi w układach elektrycznych i elektronicznych. Zakres: • Półprzewodniki • Diody prostujące • Dioda Zenera • Tranzystory • Wzmacniacze operacyjne • Inne elementy półprzewodnikowe

  4. Półprzewodniki 1 Elektronika i półprzewodniki • W elektronice podstawową rolę odgrywają elementy półprzewodnikowe (dawniej były to głównie lampy próżniowe lub gazowe, których już prawie się nie stosuje). • Dlatego ograniczymy się do omówienia elementów półprzewodnikowych. • Istotę zjawisk zachodzących w półprzewodnikach pod wpływem różnych czynników zewnętrznych (temperatury, światła, pola elektrycznego, domieszkowanie) wyjaśnia elektronowa teoria budowy materii w połączeniu z fizyką kwantową.

  5. Półprzewodniki Pasmowy model ciała stałego • Elektrony związane są zwykle z atomami. • Elektrony znajdujące się w zewnętrznych powłokach atomu nazywamy walencyjnymi. • Jeżeli elektronowi walencyjnemu dostarczy się pewnej energii, to może on zostać „wyrwany” z atomu i przejść do tzw. pasma przewodzenia, czyli stać się swobodnym nośnikiem ładunku znajdującym się w obrębie ciała stałego. • W półprzewodnikach energia ta nie przekracza 3 eV, w izolatorach jest znacznie większa od 3 eV, zaś w przewodnikach energia ta jest zerowa. • Dostarczenie energii może odbyć się w różnych sposób (np. termicznie lub przez absorbcję fotonu). Energia Pasmo wyjścia Pasmo przewodzenia Pasmo zabronione Pasmo walencyjne Pasmo powłok wew.

  6. Półprzewodniki Elektrony swobodne i dziury • Wyrwany z pasma walencyjnego elektron przechodzi do pasma przewodzenia i staje się swobodnym nośnikiem ładunku. • W paśmie walencyjnym pozostaje miejsce po elektronie zwane dziurą, które może się przemieszczać się i dlatego również stanowi nośnik ładunku (dodatniego). • Po przyłożeniu napięcia elektrony z pasma przewodnictwa tworzą prąd elektronowy. • Elektrony walencyjne „przeskakują” do atomów zawierających dziury, sprawiając, że dziury wędrują w kierunku przeciwnym i tworzą prąd dziurowy. • W półprzewodniku istnieje więc prąd elektronowy i dziurowy.

  7. Półprzewodniki Jak wyobrażać sobie prąd dziurowy? • Wyobraźmy sobie elektrony w paśmie walencyjnym jako samochody stojące w korku. • Puste przestrzenie pomiędzy samochodami na tyle duże, że można by w nich umieścić samochód, uważajmy za dziury. • Kiedy samochody-elektrony powoli poruszają się w kroku, dziury wędrują w kierunku przeciwnym. • W ten sposób powstaje prąd dziurowy.

  8. Półprzewodniki Półprzewodniki samoistne i domieszkowe • Przedstawione wyżej półprzewodniki to nazywane są samoistnymi. • Półprzewodnikami tego rodzaju są pierwiastki o czterech elektronach walencyjnych (krzem, german). • Ich przewodność silnie zależy od temperatury, co nie zawsze jest pożyteczne. • W elementach elektronicznych stosuje się najczęściej tzw. półprzewodniki domieszkowe. • Powstają one przez dodanie niewielkiej liczby atomów pierwiastka III lub V grupy.

  9. Półprzewodniki Półprzewodnik typu p Atom III grupy (np. gal) może dostarczyć jedynie trzy elektrony walencyjne, ale łatwo przechwytuje dodatkowo czwarty elektron (stąd nazwa – akceptor) i powoduje, że paśmie walencyjnym powstaje dziura. Tak powstaje półprzewodnik typu p (positive).

  10. Półprzewodniki Półprzewodnik typu n Atom V grupy (np. arsen) dostarcza aż pięć elektronów walencyjnych, ale łatwo oddaje jeden z nich (stąd nazwa – donor), który przechodzi do pasma przewodzenia. Tak powstaje półprzewodnik typu n (negative).

  11. Złącze n-p 2 Dyfuzja nośników ładunku • Wskutek zetknięcia półprzewodników o różnej koncentracji nośników ładunku (elektronów i dziur) część z nich dyfunduje do drugiego półprzewodnika. • W przypadku zetknięcia półprzewodników typu n i p elektrony z pasma przewodnictwa n przenikają do półprzewodnika p, gdzie rekombinują z dziurami. • W efekcie na styku złącza n-p tworzy się warstwa dipolowa ładunków. p n

  12. Złącze n-p Ubp Bariera potencjału • Powstaje bariera potencjałuUbp ≈ 0,4 do 0,8 V. • Dipolowa warstwa ładunków z jednej strony przyciąga pozostałe nośniki, lecz z drugiej uniemożliwia ich dalszą dyfuzję. p n

  13. Złącze n-p Stany pracy złącza n-p • Jeżeli do złącza n-p przyłożymy zewnętrzne napięcie U, to zależnie od jego polaryzacji i wartości złącze może znaleźć się w jednym z trzech stanów: • przewodzenia (U > Ubp), • zaporowym (U < 0), • przebicia (U << 0). • Jeżeli 0 < U < Ubp, to złącze zachowuje się prawie tak, jakby nie było napięcia U (w przybliżeniu).

  14. Złącze n-p Ubp Stan przewodzenia • Jeżeli do złącza n-p przyłożymy zewnętrzne napięcie U ≥ Ubp, to znosi ono barierę potencjału, a nośniki ładunków (elektrony i dziury) mogą w olbrzymich ilościach przepływać przez złącze. • Mówimy, że złącze znajduje się w stanie przewodzenia. • Do osiągnięcia tego stanu wystarcza napięcie U praktycznie równe Ubp. p U n U > Ubp

  15. Złącze n-p Ubp Stan zaporowy • Jeżeli do złącza n-p przyłożymy zewnętrzne napięcie U < 0, spowoduje to odsunięcie nośników ładunku od warstwy dipolowej i powiększenie bariery potencjału. • Uniemożliwia to przepływ prądu. • Mówimy, że złącze znajduje się w stanie zaporowym. p U n U < 0

  16. Złącze n-p Stan przebicia • Jeżeli do złącza n-p przyłożymy w kierunku zaporowym odpowiednio duże napięcie zewnętrzne U, to spowoduje ono lawinową jonizację atomów i powstanie dużej liczby nośników prądu, które mogą w olbrzymich ilościach przepływać przez złącze. • Mówimy, że złącze znajduje się w stanie przebicia. • Może to spowodować uszkodzenie złącza, ale w np. w diodach Zenera jest to wykorzystywane do stabilizacji napięcia. p U n

  17. Diody 3 I A U K U K p n A Dioda prostownicza • Idealna dioda prostownicza jest dwójnikiem nieliniowym o charakterystyce „odwrócone L”. • Ma dwie końcówki katodę (K) i anodę (A). • Jeżeli VA > VK, to dioda przewodzi, w przeciwnym razie nie przewodzi. • Rzeczywistą diodę realizuje się w postaci złącza p-n, którego charakterystyka jest w przybliżeniu wykładnicza:

  18. Diody A i ~u uR R B u Um t –Um uR Um t Prostownik jednopołówkowy • Dioda prostownicza służy do uzyskiwania napięcia jednobiegunowego („stałego”) z napięcia przemiennego. • Pojedyncza dioda „obcina” ujemne wartości napięcia, a dodatnie przepuszcza bez zmian. • Wyprostowane napięcie ma charakter pulsacyjny.

  19. Diody + A − D3 D1 uR + − i ~u + − R D2 D4 − u B + Um t –Um uR Um t Prostownik dwupołówkowy • Aby uzyskać napięcie wyprostowane dwupołówkowo, można zastosować 4 diody (tzw. mostek Graetza). • Jeżeli VA > VB, to przewodzą diody 1 i 4, zaś w przeciwnym razie przewodzą diody 2 i 3. D1 D2

  20. Diody A i ~u uR R C B u Um t uR –Um Um uR t Um t Wygładzanie napięcia • Wyprostowane napięcie ma charakter silnie tętniący. • Można temu zaradzić, jeżeli zastosujemy kondensator włączony równolegle do odbiornika. • Nie pozwala on na zbyt szybki zanik napięcia na odbiorniku, stanowiąc jakby okresowo doładowywane źródło napięcia. • Im większa pojemność, tym lepsze wygładzenie napięcia.

  21. Diody I –UZ U A K U Dioda Zenera • Dioda Zenera to dioda, której ch-ka w kierunku wstecznym jest bardzo stroma po przekroczeniu napięcia UZ. • Wtedy dużym zmianom prądu odpowiadają bardzo niewielkie zmiany napięcia (mała rezystancja dynamiczna). • Dioda Zenera jest w zbudowana w zasadzie tak samo jak zwykła dioda prostownicza, ale jest przeznaczona do pracy przy napięciu przebicia w kierunku wstecznym.

  22. Diody R1 A i Uwe Uwy B Uwy ~u Stabilizacja napięcia • Diodę Zenera można wykorzystać do stabilizacji napięcia zasilania. • W tym celu włącza się ją równolegle do odbiornika w kierunku zaporowym. • Dużym wahaniom napięcia zasilania Uwe odpowiadają małe zmiany napięcia Uwy. Prosty zasilacz

  23. Diody I R1 Iwe I0 D||R0 ID Imax Uwe R0 U0 ΔIwe Iwe R1 Imin ID I0 R0 D Umin U0 Umax Uwe U ΔU0 ΔUwe Stabilizacja diodą Zenera – punkt pracy

  24. Diody Inne wybrane typy diod • Dioda pojemnościowa – wykorzystuje się zależność pojemności złącza od napięcia wstecznego; wykorzystywane do dostrajania układów telekomunikacji w zakresie MHz i GHz. • Dioda Schottky’ego – dioda, w której zamiast złącza p-n znajduje się złącze m-s (metal-semiconductor); charakteryzuje się szybkim czasem przełączania (tzw. diody szybkie); stosowana w układach w.cz. • Dioda ostrzowa – dioda ze złączem m-s, w której zamiast warstwy metalu znajduje się ostrze metalu, co powoduje małą pojemność wewnętrzną. Stosowana do prostowania małych prądów w.cz.

  25. Tranzystor bipolarny 4 C B E C B E Tranzystor bipolarny • Tranzystor bipolarny jest elementem czynnym o trzech końcówkach: • B – baza, • C – kolektor, • E – emiter. Możliwe są dwie wersje: • n-p-n (C i E jako n, B jako p), • p-n-p (C i E jako p, B jako n). npn pnp

  26. Tranzystor bipolarny C (kolektor) C n B p B (baza) E n B E C SiO2 E (emiter) n n p Si n Si (podłoże) n Budowa tranzystora bipolarnego • Tranzystor bipolarny typu npn to półprzewodnik typu n przedzielony półprzewodnikiem typu p. • Są to jakby dwie diody. • Tranzystory często wykonuje się w postaci planarnej.

  27. Tranzystor bipolarny Polaryzacja złącz • Właściwości tranzystora zależą od polaryzacji jego złącz. • Typowo: • Złącze emiterowe (B-E) spolaryzowane jest w kierunku przewodzenia, • Złącze kolektorowe (C-B) spolaryzowane jest kierunku zaporowym. • Dalsze rozważania dotyczą tranzystora npn (dla pnp jest podobnie, ale odwrócone są znaki napięć). • W tym stanie napięcie UBE ≈ 0,7 V, natomiast napięcie UCB wynosi od ułamków wolta do kilkunastu woltów. UCB > 0 UBE ≈ 0,7 V

  28. Tranzystor bipolarny IC RC RB IB UCC UBB IE Układ ze wspólnym emiterem (OE) • W typowych przypadkach tranzystor pracuje w tzw. układzie ze wspólnym emiterem. • Z fizykalnej analizy procesów zachodzących w bazie tranzystora wynika, że: gdzie: α < 0 – współczynnik wzmocnienia prądowego (zależny od tranzystora), zwykle α ≈ 0,95÷0,99, ICB0 – tzw. kolektorowy prąd zerowy. • Natomiast z pierwszego prawa Kirchhoffa:

  29. Tranzystor bipolarny IC RC RB IB UCC UBB IE Wzmocnienie prądowe w układzie OE • Z powyższych równań otrzymujemy gdzie • β >> 1 jest współczynnikiem wzmocnienia prądowego w układzie OE, • IC0 – prąd zerowy kolektora w układzie OE.

  30. Tranzystor bipolarny IC IB UBE UCE IC (500 mA) IB (5 mA) IB IB = 0 (15 V) (2 V) UCE UBE Charakterystyki tranzystora • Najważniejsze są dwie ch-ki: • Wejściowa: IB(UBE), • Wyjściowa: IC(UCE).

  31. Tranzystor bipolarny IC RC URC IB RB UCC UCE UBB UBE IE IC RC (500 mA) IB RB (5 mA) IB IB = IB2 IC2 IB2 IC1 IB = IB1 IB1 IB = 0 (15 V) (2 V) UCE UBE1 UBB UCE2 UCE1 UCC UBE ΔUBB(0,1 V) (5 V) ΔUCE URC Stan aktywny w układzie OE IB ↑ IC ↑ URC ↑ UCE ↓ Najważniejsza cecha: Mały prąd bazy steruje znacznie większym prądem kolektora. Małe zmiany napięcia UBB przenoszą się na duże zmiany napięcia UCE.

  32. Tranzystor bipolarny Tranzystor jako wzmacniacz • Duże zmianyUCE wywołane małymi zmianamiUBB można traktować jako wzmocnienie zmianUBB. • W ten sposób otrzymujemy wzmacniacz tranzystorowy o następujących właściwościach: • Duże wzmocnienie prądowe (małe zmiany IB powodują duże zmiany IC), • Duże wzmocnienie napięciowe (małe zmiany UBB powodują duże zmiany UCE), • Odwrócenie fazy o 180° (wzrost UBB powoduje spadek UCE), • Mała rezystancja wejściowa (złącze BE spolaryzowane w kierunku przewodzenia), • Duża rezystancja wyjściowa (złącze BC spolaryzowane w kierunku zaporowym).

  33. Tranzystor bipolarny RC RB1 C2 C1 ~uwy ~uwe RB2 CE RE Wzmacniacz tranzystorowy • Wzmacniające właściwości tranzystora wykorzystuje się do budowy wzmacniaczy. • Wzmacniacze jako klasa układów będą omówione dalej. • Istnieje wiele różnych tranzystorowych układów wzmacniaczy. • Obok pokazano schemat jednego z najprostszych. • Należy on do wzmacniaczy odwracających małej częstotliwości (od kilku Hz do około 100 kHz) z tranzystorem n-p-n w układzie ze wspólnym emiterem. +UCC

  34. Tranzystor bipolarny RC RB1 C2 C1 ~uwy ~uwe RB2 CE RE Co jest wzmacniane? • Mamy dwa źródła napięcia: • stałego UCC (o względnie dużej wartości rzędu 15 V), • zmiennego uwe (o względnie małej amplitudzie rzędu ułamków wolta a nawet mV). • Napięcie UCC ustala punkt pracy, wokół którego następnie oscylują napięcia i prądy zmienne. • W wyniku tego na wyjściu pojawia się napięcie uwy proporcjonalne do uwe, lecz o znacznie większej amplitudzie (rzędu V) i odwróconej fazie. +UCC

  35. Tranzystor bipolarny RC RB1 C2 C1 IC IB ~uwy RC ~uwe RB2 IB RB CE RE UBB IC IB = IB IB UCE UBE UBB UCE UCC UBE Punkt pracy +UCC • Dla prądu stałego kondensatory stanowią przerwę. • Rezystor RE o niewielkiej rezystancji (w porównaniu z pozostałymi rezystancjami) prawie nie ma wpływu na punkt pracy, jednak zapewnia bardziej stabilną pracę przy zmieniającej się temperaturze. • Dzielnik napięcia RB1 i RB2 ustala napięcie UBB, czyli punkt pracy na charakterystyce wejściowej. • Punkt pracy obwodu wyjściowego, zależy od rezystora RC oraz prądu bazy. Przykładowe wartości: UCC = 15 V RE = 100 ΩRC = 1 kΩ RB1 = 350 kΩRB2 = 50 kΩ

  36. Tranzystor bipolarny IC RC IB RB1 C2 C1 ~uwy RC ~uwe RB2 IB RB CE RE UCE uwy IC IB = IB IB uwe t UBE UBB UCE UCC UBE uwe −uwy Oscylacje wokół punktu pracy +UCC • Dla zmiennego sygnału wejściowego kondensatory stanowią praktycznie zwarcie. • Zgodnie z wcześniejszymi rozważaniami niewielkie zmiany napięcia uwe powodują duże zmiany napięcia uwy. • Wzrost napięcia uwe powoduje spadek napięcia uwy, więc napięcie uwy jest w przeciwfazie (wzmacniacz odwracający).

  37. Tranzystor bipolarny RC RB1 C2 C1 ~uwy ~uwe RB2 CE RE Rola elementów wzmacniacza • Tranzystor – za pomocą prądu bazy steruje prądem kolektora, • Napięcie UCC – zasila tranzystor; moc tego źródła przekształcana jest częściowo na moc sygnału wyjściowego, • C1 – usuwa składową stałą z sygnału uwe, • C2 – usuwa składową stałą z sygnału uwy, • CE – zamyka obwód dla składowej zmiennej, • RB1 i RB2 – ustalają punkt pracy tranzystora, • RC – ustala punkt pracy obwodu wyjściowego, przejmuje napięcie wywołane prądem kolektora, • RE – stabilizuje pracę pod względem zmian temperatury. +UCC

  38. Tyrystory 5 A p n G p A G n K K Tyrystor • Tyrystor jest elementem półprzewodnikowym zwykle o trzech końcówkach: • Anoda (A), • Katoda (K), • Bramka (G). • Zbudowany jest z czterech naprzemiennych warstw półprzewodników typu n i p. • Symbol przypomina diodę, gdyż tyrystor jest jakby diodą, której przewodzenie można włączyć impulsem prądu podanym przez bramkę.

  39. Tyrystory IA przewodzenie przełączanie IG IG = 0 IP UAK blokowanie zaworowy UP0 IA A G UAK K Charakterystyka i stany pracy • Tyrystor może znajdować się w jednym z czterech stanów: • Blokowania, • Przełączania (niestabilny), • Przewodzenia, • Zaworowym. • W stanie blokowania i w stanie zaworowym tyrystor praktycznie stanowi przerwę w obwodzie (nie przewodzi prądu). • W stanie przewodzenia tyrystor praktycznie stanowi zwarcie. • Napięcie wyzwolenia UP może zostać obniżone podaniem impulsu prądowego na bramkę.

  40. Tyrystory IA przewodzenie przełączanie IG IG = 0 IP UAK blokowanie UP0 IA A IG G UAK K Załączenie tyrystora • Niech początkowo IG = 0. • Jeżeli UAK > 0, to środkowe złącze p-n spolaryzowane jest w kierunku zaporowym. • Jeżeli UAK < UP0, to tyrystor praktycznie nie przewodzi prądu (stan blokowania). • Jeżeli UAK > UP0 to tyrystor przechodzi w stan przewodzenia. • Stan przewodzenia można też osiągnąć jeżeli UAK < UP0, ale pojawi się impuls prądowy bramki IG > 0. • Im większy prąd bramki, tym niższe napięcie wyzwolenia. • Przejście w stan przewodzenia za pomocą impulsu bramowego nazywamy wyzwoleniem bramkowym.

  41. Tyrystory przewodzenie IA IP przełączanie UAK blokowanie Wyłączenie tyrystora • W stanie przewodzenia napięcie UAK ≈ 1 V, zaś prąd ograniczony jest tylko pozostałymi elementami obwodu i może osiągać duże wartości. Dlatego tyrystor montuje się zwykle na radiatorach (elementach efektywnie oddających ciepło). • Wyzwolony tyrystor może zostać wyłączony na dwa sposoby: • Przez obniżenie napięcia UAK poniżej wartości krytycznej, • Przez obniżenie prądu tyrystora poniżej wartości krytycznej IP. • Wyłączenie tyrystora ujemnym prądem bramki jest możliwe tylko w przypadku tyrystorów specjalnej konstrukcji GTO (Gate Turn-Off). • Wyzwolenie wymaga czasu około 1 μs, zaś wyłączenie około 5÷10 μs.

  42. Tyrystory I przewodzenie przełączanie IG IG = 0 IP −UP0 U blokowanie UP0 IG −IP A1 IG = 0 G A2 Triak • Triak jest elementem podobnym do tyrystora, ale może przewodzić prąd w dwie strony.

  43. Tranzystory unipolarne 6 Tranzystory polowe • W tranzystorach unipolarnych wykorzystuje się oddziaływanie elektrostatyczne elektronów. • Nazywa się to efektem polowym, a same tranzystory nazywane są tranzystorami polowymi (FET – Field-Effect Transistor). • Istnieją dwa rodzaje tranzystorów FET: • Z izolowaną bramką (IGFET – Insulated-Gate FET), zwane tranzystorami typu MOS, • Z wbudowanym kanałem (JFET – Junction FET). • Omówimy tylko te pierwsze, gdyż znalazły one szerokie zastosowanie w układach scalonych.

  44. Tranzystory unipolarne Metal (bramka) Izolator(SiO2) G Półprzewodnik (podłoże) B Złącze MOS • Złącze MOS to trójwarstwowa struktura metalu, dwutlenku krzemu (SiO2) i półprzewodnika (Metal-Oxide-Semicoductor). • Półprzewodnik może być typu n lub p. • Część metalową nazywa się bramką (G – gate), zaś część półprzewodnikową podłożem (B – bulk).

  45. Tranzystory unipolarne G D S n n p B D D B B G G S S Tranzystor MOS • W tranzystorze NMOS podłoże jest typu p, a po obydwu stronach bramki występują znajdują się obszary typu n: źródło S (source) i dren D (drain). • W tranzystorze PMOS podłoże jest typu n, zaś dren i źródło typu p. • Dren, źródło i bramka odpowiadają z grubsza kolektorowi, emiterowi i bazie tranzystora bipolarnego. • Podłoże i źródło są zwykle na wspólnym potencjale. • Przepływ prądu jest możliwy jedynie pomiędzy D a S, i to tylko w pewnych warunkach (o nich dalej). • Izolowana bramka praktycznie nie pobiera prądu, ale służy do sterowania prądu płynącego pomiędzy D i S. NMOS PMOS NMOS

  46. Tranzystory unipolarne G D S n n p B Efekt polowy • Rozważmy tranzystor NMOS. • W podłożu typu p znajduje się wiele dziur (pasmo walencyjne) oraz znacznie mniej elektronów w paśmie przewodnictwa. • Jeżeli UGB = 0, to jedno albo obydwa złącza p-n spolaryzowane są zaporowo i prąd IDS nie może płynąć (chyba, że napięcie UDS jest na tyle duże, że nastąpi przebicie tych złącz). • Jeżeli UGB < 0, to elektrony są wypychane w głąb podłoża, a dziury są przyciągane tak, że pomiędzy drenem a źródłem dalej występuje zaporowa polaryzacja złącz p-n i prąd IDS nie może płynąć.

  47. Tranzystory unipolarne G D S n n p B Efekt polowy – powstawanie kanału • Jeżeli UGB > 0, to dziury są wypychane w głąb podłoża, a elektrony są przyciągane tak, że pomiędzy drenem a źródłem jest coraz mniej dziur i coraz więcej elektronów – powstaje tzw. warstwa zubożona (w dziury). • Przy napięciu UGB ≥ UT0 (napięcie progowe) koncentracja elektronów pod izolatorem jest tak duża, że tworzy się tzw. kanał typu n (stąd nazwa tranzystora – NMOS). • Na złączach kanału z drenem i źródłem zanika blokująca warstwa dyfuzyjna. • Przy niezerowym napięciu UDS popłynie prąd IDS.

  48. Tranzystory unipolarne wzb. zub. IDS NMOS UT0 UGB UT0 PMOS wzb. zub. Charakterystyki przejścia • Przy stałym napięciu UDS prąd IDS nie popłynie, jeżeli UGB < UT0 (to dla NMOS, a dla PMOS zachodzi UGB > UT0 < 0). • Tranzystory MOS wykonuje się zazwyczaj w dwóch wersjach: • z kanałem wzbogaconym w nośniki prądu, • z kanałem zubożonym w nośniki prądu. • Wtedy ch-ki ulegają pewnemu przesunięciu. UDS = const

  49. Tranzystory unipolarne obszar liniowy obszar nasycenia IDS UGB UGB < UT0 UDS Charakterystyki wyjściowe • Przy stałej wartości UGB > UT0 (NMOS) prąd IDS w pewnym zakresie zależy liniowo od UDS (jak w rezystorze), zaś dla odpowiednio dużego napięcia UDS jest niezależny od niego (nasycenie). • W odróżnieniu od tranzystora bipolarnego, w którym sterowanie prądem wyjściowym odbywa się prądem bazy, w tranzystorze MOS sterowanie prądem wyjściowym odbywa się napięciem bramki.

  50. Tranzystory unipolarne Najważniejsze zalety • Sterowanie napięciem – izolowana bramka nie pobiera prądu za wyjątkiem czasu potrzebnego na przełączenie (prąd przesunięcia), • Duża liczba odmian pozwala na szeroki zakres zastosowań, • Mogą pracować jako rezystory sterowane (w liniowym zakresie pracy ch-ki wyjściowej) o wartości do około 1 kΩ, • Stosunkowo łatwe do wykonania w technologii planarnej oraz małe rozmiary (długość kanału rzędu μm) predysponują je w układach scalonych.

More Related