1 / 22

MIKROELEKTRONIKA 6.

MIKROELEKTRONIKA 6. A p-n átmenet kialakítása, típusai és alkalmazásai Heteroátmenetek és alkalmazásai. Fém-félvezetó. p-n. A. B. B. Heteroátmenet. MOS. Diszkrét elemek és integrált áramkörök alkatrészei. + a funkcionális elemek, dielektrikumok, mágneses elemek,.

arvin
Download Presentation

MIKROELEKTRONIKA 6.

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. MIKROELEKTRONIKA 6. A p-n átmenet kialakítása, típusai és alkalmazásai Heteroátmenetek és alkalmazásai

  2. Fém-félvezetó p-n A B B Heteroátmenet MOS Diszkrét elemek és integrált áramkörök alkatrészei + a funkcionális elemek, dielektrikumok, mágneses elemek,...

  3. Térfogati, diffúziós tűs Vékonyréteg, Integrált, diffúziós vagy implantált

  4. Alaptechnológia: oxidáció, litográfia, diffúzió(implantáció), fémezés

  5. DIFFÚZIÓ Az ionimplantáció és a diffúzió technológia alkalmazása adalékolásra Alapfolyamatok és problémák: Koncentráció gradiens, diffúzió, diffúzió profil, laterális diffúzió hatása Ionimplantáció: előnyök és hátrányok, a roncsolás kiküszöbölése

  6. Integrálva: dióda,

  7. p-n átmenet Beépített potenciál (p- és n- neutrális részek között):

  8. Kiürített réteg vastagsága: Adalékolási profilok: éles Max. elektromos tér: gradiens

  9. Aszimmetrikus átmenet példa: ha NAND, a kiürítés nagyobb az n-részen, kicsi a p-részen Ha feszültség alá helyezzük: +V záró, -V nyitó !!!

  10. J/Js eV/kT Elektronok, lyukak diffúziós hossza:

  11. Kapacitás: tárolt nemegyensúlyi hordozók (p a neutrális n-ben,...) Számolhatjuk az ekvivalens áramból: C=eI/kT (a diffúziós és kiürítéses kapacitások összege)

  12. Heteroátmenet Szerkesztés: a vákuumszintek és Fermi-szintek egyeznek!!!

  13. Bipoláris tranzisztor:

  14. Tirisztor: p-n-p-n-dióda, nagy áramok és feszültségek kapcsolása 1mA-5000A, 10000V ! Kapcsolási rajz V és gát áram

  15. Passzív elemek: ellenállás, kondenzátor, indukciós tekercs Integrált áramkör rezisztora.

  16. Vékonyréteg kapacitás: hasonlít a MOS-hoz, de d=0,1 m oxid, V letörés 50V, Előny-polaritásfüggetlen, nagyobb C mint a C-B, de különb technológia. Lehetne Si3N4, Ta2O5, HfO, stb.

  17. Bipoláris IC tranzisztorokban E-B, C-B átmenetek, E-B kb.1000pF/mm2, letörési V=6 V, C-B kb. 100 pF/mm2, letörési V=50 V Parazitakapacitás a p-n átmenetben!.

  18. Indukciós tekercs Si szubsztrátumon: kép és ekvivalens modell

More Related