Mikroelektronika 4
This presentation is the property of its rightful owner.
Sponsored Links
1 / 19

MIKROELEKTRONIKA 4. PowerPoint PPT Presentation


  • 74 Views
  • Uploaded on
  • Presentation posted in: General

MIKROELEKTRONIKA 4. 1. Nemlineáris elektromos jelenségek, eszközök 2. Félvezetők optikája, nemegyensúlyi folyamatok, fotovezetés, lumineszcencia, eszközök. Negatív differenciális ellenállás kialakulása (σ d =dI/dV):. Lineáris eset : J= σ E = eµnE,

Download Presentation

MIKROELEKTRONIKA 4.

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation

Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author.While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server.


- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E N D - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

Presentation Transcript


Mikroelektronika 4

MIKROELEKTRONIKA 4.

1. Nemlineáris elektromos jelenségek, eszközök

2. Félvezetők optikája, nemegyensúlyi folyamatok, fotovezetés, lumineszcencia, eszközök


Mikroelektronika 4

Negatív differenciális ellenállás kialakulása (σd=dI/dV):

Lineáris eset : J= σE = eµnE,

az elektron termodinamikai egyensúlyban van a ráccsal, az elektromos tér elhanyagolhatóan hat a teljes energiára

I

E elektromos térben azlszabadúthosszon az elektron eEl energiára tesz szert, amelyet akusztikai fononnak ad át vagy kap ütközések következtében.

Viszonylagos energiavesztés: =E/kT.

Még nagyobb sebesség –bekapcsolódnak az optikai fononok is, a folyamat telítődik.

Az ütközés rugalmas, ha eEl / E  1,

ekkor vv0, azaz a pótsebesség kisebb az egyensúlyinál.

Ha összemérhető vagy nagyobb – nemlineáris effektus

V

I, A/cm2

1000

100

10

Ge, 300K

100 1000 V/cm


Mikroelektronika 4

Mechanizmusok:

Ütközési (Avalanche) ionizáció, (E≈ 5 V/cm – az adalékok ionizációja)

E

Elektrostatikus ionizáció , a potenciális gát csökkenése:

Tunelezés :

Háromszögű gát áthaladásának valószínűsége:

U

E

107 V/cm

Ed

Ec

105 V/cm

rm

Ev


Mikroelektronika 4

Alagútdióda működése:


Mikroelektronika 4

OVONIC switch

Statikus (a) és impulzus karakterisztikák (b) bistabil OVONIC kapcsolóban

Statikus (a) és impulzus karakterisztikák (b) monostabil OVONIC kapcsolóban


Zener di da stabilitron

Zener dióda (stabilitron)

C. Zener – az átütés tunelezési mechanizmusa.

5,6 V letörési feszültség, egy másik diódával kompenzált diódában 6,2 V. –akár referencia!

Áram, feszültség, hőmérséklet stabilizálás.


Mikroelektronika 4

Metallization cell memory switch

M.Mitkova.


Mikroelektronika 4

Félvezetők optikája

Optikai elnyelés: Bouguer törvénye

  • Két fontos feltétel:

  • foton-elektron kölcsönhatásnál marad a teljes energia

  • E1= E+h

  • 2. foton-elektron kölcsönhatásnál marad az elektron kvaziimpulzusa

  • p1=p+hk/2, k – hullámvektor

  • E=p2/2m*, p=kh/2π

I0

IR

I1

x

I

Tehát ha 0, k  0, dielektrikum,

az anyag áttetsző,

1+(

1+(

n4Eg=77


Mikroelektronika 4

Lehető elektronátmenetek a félvezetőkben:

E

Ec

Ev

Direkt megengedett átmenetek


Mikroelektronika 4

Nemegyensúlyi folyamatok, fotovezetés

Fotovezetés spektruma.

Fotovezetés:

f =e(n0+n)n +(p0+p)p

p-n átmenet, napelem

f stac = e  α n I / h

L

Hozam:

G=Ifoto/Ifoton

Ifoto=e(Iopt/h)(nV/L)


Mikroelektronika 4

Fotorezisztorok kvantum hatásfoka


Mikroelektronika 4

Lumineszcencia, eszközök

Hatásfok :=pr / pr+ pnr

E

Foto-

Röntgen-

Elektro-

Termo-

Chemo-

nr

r

Indikátorok,

Képernyők,

Kimenet: LED, laser, MQWL.


Mikroelektronika 4

LED és LD


Mikroelektronika 4

LED


Mikroelektronika 4

OLED

Tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminium (AlQ3)


  • Login