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SEMICONDUCTORES Física 1º Ingeniería Informática José Luis Mincholé

SEMICONDUCTORES Física 1º Ingeniería Informática José Luis Mincholé. Teoría de bandas. Conductores y aislantes. 1 . SEMICONDUCTORES . ELECTRONES Y HUECOS. silicio. 2.1 Semiconductores intrínsecos. n = p = n j (T). Banda de conducción. E F. Banda prohibida. Nivel medio de la BP.

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SEMICONDUCTORES Física 1º Ingeniería Informática José Luis Mincholé

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Presentation Transcript

  1. SEMICONDUCTORESFísica 1º Ingeniería InformáticaJosé Luis Mincholé

  2. Teoría de bandas. Conductores y aislantes 1. SEMICONDUCTORES. ELECTRONES Y HUECOS silicio 2.1 Semiconductores intrínsecos n = p = nj (T)

  3. Banda de conducción EF Banda prohibida Nivel medio de la BP Banda de valencia Semiconductores intrínsecosBandas de energía n =p n p

  4. Semiconductores intrínsecos n = p = nj (T)

  5. Semiconductores tipo N IMPUREZAS DONANTES (grupo V) fósforo n>p arsénico n»Nd

  6. n >>p Banda de conducción EF Banda prohibida Nivel medio de la BP Banda de valencia Semiconductores tipo NBandas de energía

  7. Semiconductores tipo P IMPUREZAS ACEPTANTES (grupo III-A) p>n galio Aluminio p»Na

  8. Banda de conducción Nivel medio de la BP Banda prohibida EF Banda de valencia p >> n Semiconductores tipo PBandas de energía

  9. Semiconductores tipo N y P n>p n<p

  10. La unión N-P a) En equilibrio (sin polarizar) b) Con polarización directa c) Con polarización inversa

  11. Unión N-P sin polarizar EQUILIBRIO Intensidad=0

  12. Unión N-P sin polarizar Carga espacial

  13. Unión N-P sin polarizar ddp de contacto

  14. Unión N-P sin polarizar • Difusión de portadores mayoritarios • Aparición de una ddp entre N(+) y P(-) • Arrastre de portadores minoritarios ddp contacto Vo EQUILIBRIO Alineación NF Intensidad=0

  15. Unión N-P con polarización directa Desalineación NF Intensidad, I : de P  N, creciente con V

  16. Unión N-P con polarización directa ddp en la unión

  17. Unión N-P con polarización directa • Intensidad de P  a N creciente con V • Menor ddp en la unión • Se favorece la difusión • Se dificulta el arrastre • Pequeña resistencia eléctrica

  18. Unión N-P con polarización inversa Desalineación NF Intensidad, I : de N  P, no depende de V

  19. Unión N-P con polarización inversa ddp en la unión

  20. Unión N-P con polarización inversa • Intensidad de N  a P no depende de V y es casi cero • Mayor ddp en la unión • Se favorece el arrastre • Se dificulta la difusión • Resistencia eléctrica muy grande

  21. DIODOS Símbolo y polarización

  22. Modelos de diodos 1

  23. Modelos de diodos 2

  24. Diodo tunel

  25. Diodo zener

  26. Diodos fotoemisores: LED

  27. Transistores de uniónN-P-N

  28. Transistores de uniónP-N-P

  29. Puerta NOT

  30. El transistor JFET Canal N

  31. MOSFET empobrecimiento Canal P

  32. Circuito básico MOSFET empobrecimiento canal P

  33. MOSFET enriquecimiento Canal N

  34. MOSFET enriquecimiento Canal P

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