aktivity a z me ry v r mci rie enia projektu ceng v roku 2006 n.
Download
Skip this Video
Loading SlideShow in 5 Seconds..
Aktivity a záme ry v r ámci riešenia projektu CENG v roku 2006 PowerPoint Presentation
Download Presentation
Aktivity a záme ry v r ámci riešenia projektu CENG v roku 2006

Loading in 2 Seconds...

play fullscreen
1 / 10

Aktivity a záme ry v r ámci riešenia projektu CENG v roku 2006 - PowerPoint PPT Presentation


  • 73 Views
  • Uploaded on

Aktivity a záme ry v r ámci riešenia projektu CENG v roku 2006. Oddelenie k ryoelektroniky El Ú SAV.

loader
I am the owner, or an agent authorized to act on behalf of the owner, of the copyrighted work described.
capcha
Download Presentation

PowerPoint Slideshow about 'Aktivity a záme ry v r ámci riešenia projektu CENG v roku 2006' - ursala


An Image/Link below is provided (as is) to download presentation

Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author.While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server.


- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E N D - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
Presentation Transcript
slide2

Vincenc Oboňa, J., Chromik, Š., Španková, M., Öszi, Zs., and Kostič, I.: C60 films as etching masks for creation of micrometer and submicrometer YBa2Cu3O7 structures,, Physica C 435(2006) 37-40.

Chromik Š., Huran J., Štrbík V., Španková M., Vávra I., Bohne W., Röhrich J., Strub E., Kováč P., and Stanček S.: MgB2 thin films on SiC buffered Si subtrates prepared by an in-situ method, Superc. Sci. Technol.19 (2006) 577-580.

Španková M., Chromik Š., Vávra I., Sedláčková K., Lobotka P., Lucas S., Stanček S.: Epitaxial LSMO films grown on MgO single-crystalline subtrates, submitted to Applied Surface Science.

Valeriánová M., Chromik Š., Odier P., Štrbík V.: Role of the mercury pressure during reaction synthesis of Hg(Re)-based superconducting films using no contact mercuration, submitted to Physica C.

Lobotka P., Gaži Š., Vávra I., SedláčkováK., Satka A., Kováč J.,

and Haško D.: Vortex behaviour in a superconducting

NbN–AlN multilayered nanocomposite, Superc. Sci. Technol. 19 (2006) 612-617.

Patentové prihlášky

5101-2005 Š. Chromik, J. Vincenc Oboňa: Spôsob tvarovania tenkých vrstiev v kryoelektronike použitím fullerénu C60.

5016-2006 Š. Chromik, J. Vincenc Oboňa, I. Kostič: Spôsob tvarovania submikrometrových štruktúr v kryoelektronike využitím fullerénu C60.

slide3

APVT: Výskum supravodivých kvantových interferenčných detektorov (SQUID) na báze tenkých vrstiev vysokoteplotných supravodičov

I-V charakteristika submikrometrového Josephsonového spoja

IC – B charakteristika SQUIDu so submikrometrovou plochou spojov

projekt štátnej objednávky:Nové materiály a súčiastky v submikrometrovej technológii

slide4

MgB2mostíky premennej hrúbky

ASTRA-projekt

2004

SiC

MgB2

1980

ab5nm j 140nm l=4.9×10-16m2,=40cm, l1nm, ICRn(4K)2mV => j1THz

W<< 2.8m; L>>(3-4) ab 20nm

50nm

slide5

MgB2 vrstvy nanášané na NbN/Si a SiC/Si podložky

Selektívne elektrónové difrakcie NbN/Si ,SiC/Si rozhrania s MgB2

TC>37K (31K pre d~30nm)

mikroštruktúra MgB2

Chromik et al : Appl. Phys. 96 (2004) 4668.

Chromik et al: Supercond.Sci. Technol. 19 (2006) 577.

Mikroštruktúra MgB2povrchus Mg2 Si zrnami

slide6

Fyzikálne a transportné vlastnosti nanogranulárnych supravodivých tenkých vrstiev – coulombovská blokáda

kovové ostrovčeky pospájané cez tunelové bariéry s tunelovým odporom RT>>RK ( RK=h/e2 =25,8 k

napätie na kondenzátore C je U=Q0/C. Ak C je veľmi malé (10-15-10-17F pri ostrovčekoch rozmeru 100100nm2 až 1010nm2) zmenou Q0=e vznikne zmena napätia U=10-4 – 10-2V čo stačí na pretunelovanie náboja q=ne čo vyvolá pokles napätia a coulombovskú blokádu (CB), t.j. ďalšie tunelovanie vznikne až pri náraste napätia na U=UT Podmienka pre CB: energia ET(UT)EC>kBT (EC=e2/2C pre UC=e/C;T=0,1-10K pre 10-100nm-ové zrná).

coulombovská blokádananoškálový systém spojov

vnašom prípade kovový ostrovček = supravodič

Ej=h/2.I0 /2e je joshephsonovská energia väzby

slide7

Nanogranulová vrstva rastená neepitaxne naprašovaním NbN v Ar-N2 plyne v AlN amorfnej matrici postupnou depozíciou NbN-AlN-NbN-AlN-NbN, hrúbka 15/4nm.

R(T) charakteristika nanogranulovej vrstvy

10

TC=6,1K

Závislosť prúdu a napätia okontaktovanej vrstvy pre tri rôzne teploty (6,52-6,5K hranica CB, Ej =0), 6,4K-efekty SET (záporná dynamická charakteristika, Ej 0), UC20mV

C = 0,8 x 10-17 F

r (AlN)  10 rozmer zrna cca.10nm

UC  20 mV

Š.Gaži et al: submitted to Supercond. Sci. and Technol.

slide8

selektívna elektrónova difrakcia

rozhrania vrstva/podložka LSMO

tenkej vrstvy Na MgO monokryštalickej podložke

potvrdzuje epitaxný rast LSMO

Orientovaná (epitaxná)oddelovacia (buferová) MgO vrstva na GaAs

slide9

Hg –Ba-Ca-Cu-O štruktúry perspektívne ako fotodetektory

-Excited electrons within hundreds of fs thermalise with other electrons-relax through electron phonon scattering process

At superconductivity at Tc negative response of sign with slower relaxation rate

At temperatures below Tc only negative component with temperature dependent relaxation time scenario follows Rotwarf and Taylor model

slide10

Plán výskumného kolektívu:

  • - príprava suprav. tenkých vrstiev a nanoštruktúr (vrátane SVSS, t.j. Josephsonove javy) mikroobvodovými technológiami (tvarovanie vrstiev) a štúdium ich transportných vlastností v závislosti od planárnych rozmerov (limity súvisiace s rozmermi)
  • príprava a štúdium nanogranulárnych suprav. tenkých vrstiev (vrátane samoorganizovaných), vplyv josephsonovskej a coulombovskej interakcie medzi granulami na fyzikálne a transportné vlastnosti vrstiev a štruktúr.
  • príprava a štúdium kombinácie YBCO a LSMO vrstiev a štruktúr s polovodčovými prvkami naGaAs a GaN (bolometre, filtre)
  • materiály: NbN, Nb, MgB2, YBCO
  • príprava suprav. tenkých vrstiev: fyz. depozícia
  • tvarovanie: EBL, IBE, (FIB)
  • Meranie v elektrických a magnetických poliach a VHF až do mikrovlnných oblastí frekvencií(mK teploty )