1 / 21

Memori jenis RAM

NEXT. Memori jenis RAM. RAM adalah tempat untuk menyimpan program/data secara tidak permanen (non volatile). Isi RAM akan hilang bila tidak ada catu daya. RAM dengan kapasitas 8 byte ditunjukkan pada gambar di bawah ini. NEXT. NEXT. Keterangan gambar blok diagram RAM

orrick
Download Presentation

Memori jenis RAM

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. NEXT Memori jenis RAM RAM adalah tempat untuk menyimpan program/data secara tidak permanen (non volatile). Isi RAM akan hilang bila tidak ada catu daya. RAM dengan kapasitas 8 byte ditunjukkan pada gambar di bawah ini.

  2. NEXT

  3. NEXT • Keterangan gambar blok diagram RAM • A0, A1, dan A2 = adalah bus alamat (masukan 3 bit) • Decoder = saluran masukan terdiri dari 3 bit dengan keluaran 8 saluran • CS (Chip Select) = adalah masukan untuk mengaktifkan chip (memilih chip). Chip yang sedang aktif berarti bus data akan terhubung dengan CPU (Mikroprosesor). Chip akan aktif, bila CS mendapat masukan berlogika 1 (tinggi), dan sebaliknya chip dalam aktif, bila mendapat logika 0 (rendah). Pada kondisi tidak aktif, bus data bersifat impedansi tinggi (analog dengan saklar terbuka), akibatnya bus data akan terlepas dari CPU. • RD (Read) digunakan untuk menentukan arah aliran data dari penyangga 3 keadaan satu arah. Apabila RD diaktifkan (mendapat sinyal tinggi), maka data akan mengalir dari sel-sel memori ke bus data. • WR (Write) digunakan untuk menentukan arah aliran data (dari penyangga 3 keadaan dua arah). Apabila WR diaktifkan (mendapat sinyal tinggi), maka data akan mengalir dari bus data ke sel-sel memori alamat yang ditentukan oleh A0, A1, dan A2. Perlu diingat bahwa pin RD dan WR tidak pernah aktif secara bersamaan. • CE (Chip Enable) aktif rendah masukan atau sama dengan CS.

  4. NEXT Peranti RAM Statis (SRAM) Peranti memori RAM statis menyimpan data selama daya DC diberikan. Karena tidak ada tindakan khusus (kecuali daya) yang dibutuhkan untuk menahan data yang tersimpan, peranti ini disebut memori statis. Mereka juga disebut memori volatile karena tidak akan menahan data tanpa daya. Perbedaan utama antara ROM dan RAM adalah bahwa RAM ditulis pada operasi biasa, sementara ROM diprogram di luar komputer, dan umumnya hanya dibaca. SRAM, yang menyimpan data sementara, dipakai jika ukuran memori read / write relatif kecil. Dewasa ini, yang disebut memori kecil adalah yang kurang dari 1M byte. Gambar 10-4 menggambarkan SRAM 4016 yang merupkan suatu memori read/write 2K x 8. Peranti ini memunyai 11 masukan alamat dan delapan koneksi masukan / keluaran data. Peranti ini mewakili semua peranti SRAM, kecuali untuk jumlah alamat dan koneksi data. Masukan kontrol dari RAM ini sedikit berbeda dari yang diterangkan terdahulu. Pin OE dilabeli G, pin CS adalah S, dan pin WE adalah W. Selain perancangan yang berbeda, pin-pin kontrol berfungsi sama dengan yang diterangkan terdahulu. Pabrik lain membuat SRAM popular ini dalam nomor bagian 2016 dan 6116.

  5. NEXT Gambar 10-5 menggambarkan diagram perwaktuan untuk SRAM 4016. sebagainana perwaktuan siklus baca, waktu akses adalah t (A). pada versi terlambat dari 4016, waktu tersebut adalah 250 ns, yang cukup cepat untuk tersambung langsung ke sebuh 8088 atau 8086 yang beropasi pada 5 MHz tanpa wait state. Sekali lagi, perlu diingat bahwa waktu akses harus dicek untuk mengetahui kompatibilita dari komponen memori dengan mikroprosesor. Gambar 10-6 menggambarkan keluaran pin dari 62256, 32K x 8 RAM statis. Peranti ini dibungkus dalam suatu IC 28-pin, dan tersedia dengan waktu akses 120 ns atau 150ns. Peranti SRAM lain umumnya tersedia dalam ukuran 8K x 8, 128K x 8, dan 256K x 8, dengan waktu akses sedikitnya 10 ns untuk SRAM yang dipakai dalam system memori cache computer.

  6. NEXT

  7. NEXT Karaktristik eletrik atas pengoperasian jangkaun temperature free air yang direkomendasikan (kecuali ada yang lain) t Semua tipkal nilai adalah Vcc = 5V, TA = 25 oC

  8. NEXT Kebutuhan pewaktuan atas jangkauan voltase pasok dan pengoperasian temperature free-air terekomendasi

  9. NEXT Switching characteristics over recommended volateg range, TA = 00C to 700C Catatan :3.CL = 100pF for all measurements except tdls(W)and tan(W) CL = 5 pF for tdls(W)and tan(W) 4. tdls and tan parameters are sampied and not 100% tested

  10. NEXT Waresform pewaktuan siklus baca

  11. NEXT Waresform pewaktuan siklus tulis nomor 1

  12. NEXT Waresform pewakuan siklus tulis nomor 2

  13. NEXT Catatan: 5.W merupakan siklus baca tinggi 6. W pasti tinggi selama perubahan alamat 7. Suatu tulis terjadi selama pemupukan S rendah dan W rendah 8. th(A) diukur dari S awal atau W yang beranjak tinggi hingga akhir siklus tulis 9. Selama periode ini pin-pin I/O merupakan keluaran sehinga sinyal masukan dari fase berlawanan tidak boleh di aplikasikan kekeluaran 10. Jika perpindahan rendah berlangsung secara siklusfase dengan perpindahan W rendah atau semakin perpindahan W rendah, maka perpindahan W akan tetap berada pada keadaan perpindahan tinggi 11. G terus menerus rendah ( G = VIL). 12. Jika S rendah selama periode ini, pin I/O merupakan keluaran. Sinyal masukan data dari fase berlawanan menuju keluaran tidak boleh digunakan. 13. Perpindaha di ukur ±200 mV dari voltase keadan tetap. 14. Jika perpindahan S rendah berlangsung sebelum perpindahan Ŵ rendah,maka sinyal input data dari fase berlawanan menuju keluaran tidak boleh digunakan selama tdls(W) setelah W perpindahan rendah.

  14. NEXT GAMBAR 10-6 Diagram pin 62256, RAM statis 32K x 8. A0 – A14 Alamat IO0 – IO7 Koneksi data CS Chip select OE Output Enable WE Write enable Vcc +5V Supply GND Ground

  15. DRAM (Dynamic RAM) Sel-sel memori tersusun dari kapasitor-kapasitor. Oleh karena ingatan sel memori ini berdasarkan inti muatan kapasitor tersebut, maka RAM dinamis memerlukan sinyal penyegaran (Refresh). Contoh RAM dinamis adalah pada gambar di bawah ini. NEXT

  16. NEXT

  17. NEXT • Perbandingan SRAM dan DRAM • SRAM (Static RAM) • Kecepatan tinggi • Kepadatan rendah • Perkawatan sederhana • Tidak memerlukan sinyal refresh (penyegar) • DRAM (Dinamic RAM) • Kecepatan rendah • Kepadatan tinggi • Kebutuhan daya relatif rendah • Memerlukan sinyal refresh (penyegar)

  18. Hierarki Memori • Sebuah komputer biasanya memiliki bagian-bagian RAM : • Register CPU => High speed • SRAM Cache Internal • Cache Eksternal • DRAM • Paging System • Virtual Memory => Low speed • Berbeda dalam aspek kecepatan akses • Tujuan : • Mencapai kecepatan performa komputasi rata-rata oleh mikroprosesor setinggi mungkin tanpa meninggalkan aspek ekonomisnya

  19. RAM Dalam Konteks Lain • DVD-RAM • Merupakan spesifikasi cakram/disc oleh DVD Forum (1996) • Mengacu pada kemampuan tulis ulang sebuah cakram menggunakan penulis cakram yang sesuai • Satu kelompok dengan DVD-RW dan DVD-RW+ (lebih unggul daripada keduanya tapi kompatibilitasnya yang rendah membuat kurang populer) • RAM Disk • Merupakan bagian daripada memori yang dipergunakan layaknya hard disk, tapi memiliki kemampuan seperti RAM • Kecepatan baca tulis amat tinggi dibanding HDD biasa • Biasa dipakai untuk cache tambahan • Shadow RAM • Merupakan memori RAM yang dipakai untuk tempat mengkopi data ROM yang sering diakses • ROM lambat => dipindah ke RAM => baca tulis lebih cepat • Sering ditemui pada BIOS komputer

  20. Perkembangan RAM Terkini • Volatile : • T-RAM • Z-RAM • TTRAM • Non Volatile : • Flash memory • FeRAM • MRAM • PRAM • CBRAM • SONOS • RRAM • Racetrack memory • NRAM • Millipede

More Related