Receptores detectores opticos fibra optica
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RECEPTORES (DETECTORES) OPTICOS FIBRA OPTICA - PowerPoint PPT Presentation


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UNIVERSIDAD DE AQUINO BOLIVIA FACULTAD DE CIENCIA Y TECNOLOGIA INGENIERIA DE TELECOMUNICACIONES. RECEPTORES (DETECTORES) OPTICOS FIBRA OPTICA. INTEGRANTES: RICARDO BARRIGA ALEJANDRA FLORES TOLEDO BRIAN QUENALLATA MENDO ANDREA SANTIVAÑEZ TORREZ. RECEPTORES OPTICOS. INTRODUCCION:

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Receptores detectores opticos fibra optica

UNIVERSIDAD DE AQUINO BOLIVIA

FACULTAD DE CIENCIA Y TECNOLOGIA

INGENIERIA DE TELECOMUNICACIONES

RECEPTORES (DETECTORES) OPTICOSFIBRA OPTICA

INTEGRANTES:

RICARDO BARRIGA

ALEJANDRA FLORES TOLEDO

BRIAN QUENALLATA MENDO

ANDREA SANTIVAÑEZ TORREZ



  • INTRODUCCION:

    El principal componente de un receptor óptico es una célula fotoeléctrica, que convierte la luz en electricidad mediante el efecto fotoeléctrico.

    Hay varios tipos de fotodiodos, como:

  • fotodiodos PN

  • fotodiodo PIN

  • fotodiodos de avalancha.


Marco teorico
MARCO TEORICO

  • Un Receptor Óptico se compone de un detector y de los circuitos necesarios asociados que lo capaciten para funcionar en un sistema de comunicaciones ópticas,

RECEPTOR

  • La finalidad de un Rx consiste en convertir la señal óptica en señal eléctrica. El Rx consta de un detector de pulsos de luz que los convierte en señal eléctrica.

  • El principal componente del Rx es el FOTODETECTOR.

  • Losfotodetectores más comunes son los diodos PN, PIN,PIN-FET y APD.


Efecto fotoelectrico
EFECTO FOTOELECTRICO

  • Características esenciales

    Para cada sustancia hay una frecuencia mínima o umbral

  • La emisión electrónica aumenta cuando se incrementa la intensidad de la radiación


  • Los fotones del haz de luz tienen una energía característica determinada por la frecuencia de la luz. En el proceso de fotoemisión, Siguiendo un principio de "todo o nada". Toda la energía de un fotón debe ser absorbida y utilizada para liberar un electrón de un enlace atómico, o sino la energía es re-emitida.

  • En resumen el efecto fotoeléctrico indica que los fotones pueden transferir energía a los electrones


Detectores opticos
DETECTORES OPTICOS característica determinada por la frecuencia de la luz. En el proceso de fotoemisión,

  • Son los encargados de transformar las señales luminosas en señales eléctricas.

  • En los sistemas de transmisión analógica

  • En los sistemas de transmisión digital


Las características principales que debe tener: característica determinada por la frecuencia de la luz. En el proceso de fotoemisión,

  • Sensibilidad alta a la longitud de onda de operación

  • Contribución mínima al ruido total del receptor

  • Ancho de banda grande (respuesta rápida)

  • Alta fidelidad.

  • Amplitud de respuesta eléctrica a la señal óptica recibida.

  • Tiempo de respuesta corto.

  • Estabilidad de las características de ejecución.


PARAMETROS CARACTERISTICOS característica determinada por la frecuencia de la luz. En el proceso de fotoemisión,

  • Longitud de Onda (λ)

  • Responsividad(r)

  • Corriente de Oscuridad (ld)

  • Tiempo de Subida (tr)

  • Tiempo de Bajada (tf)

  • Potencia Equivalente de Ruido (NEP)

  • Factor de Multiplicación de Avalancha (M)


Fotodiodo pn

semiconductor con una banda energética mas estrecha que la del fotón que se desea detectar.

FOTODIODO PN

Polarizada inversamente

los e son atraídos hacia el lado n, se genera un par hueco-electrón , éste es arrastrado hacia ese lado, y aumenta con el flujo de fotones incidente


Caracter sticas del diodo p n
Características del diodo P-N que la del fotón que se desea detectar.

  • Estos fotodiodos se fabrican para que puedan generar de 0.1 nA a 100 nAde fotocorriente.

  • No trabaja a velocidades altas.

  • La zona de unión es físicamente muy delgada


Ventanas de trabajo y material
VENTANAS DE TRABAJO Y MATERIAL que la del fotón que se desea detectar.

800-900 nm (Si) primera ventana

1330nm(segunda ventana)

1550nm (tercera ventana)

si λ<1 um (primera ventana del infrarrojo)

ge λ > 1um ventanas segunda y tercera.

Long. de onda de corte=coef. absorción pequeño


Fotodiodo pin
FOTODIODO PIN que la del fotón que se desea detectar.

La inserción de la capa intrínseca obedece a una cuestión de eficiencia de la absorción dentro de una región de campo.


Para conseguir la generación de pares electrón-hueco, el diodo PIN debe estar polarizado en inversa cargas generadas en la zona intrínseca sean aceleradas por el campo eléctrico presente entre las zonas p y n


Fotodiodo pin1
FOTODIODO PIN diodo PIN debe estar polarizado en inversa cargas generadas en la zona intrínseca sean aceleradas por el campo eléctrico presente entre las zonas p y n


Caracter sticas
CARACTERÍSTICAS diodo PIN debe estar polarizado en inversa cargas generadas en la zona intrínseca sean aceleradas por el campo eléctrico presente entre las zonas p y n

  • Si se incrementa el ancho de la región activa se incrementa la eficiencia.

  • El ancho de la región de agotamiento incrementa el tiempo de tránsito de los fotones.

  • Es relativamente fácil de fabricar.

  • Altamente fiable.

  • Tiene bajo ruido y es compatible con circuitos amplificadores de tensión.

  • Sensible a un gran ancho de banda debido a que no tiene mecanismo de ganancia.


Fuentes de ruido en un fotodiodo pin
FUENTES DE RUIDO EN UN FOTODIODO PIN diodo PIN debe estar polarizado en inversa cargas generadas en la zona intrínseca sean aceleradas por el campo eléctrico presente entre las zonas p y n

Causas o tipos de ruidos:

  • Ruido tipo granalla shot.- Derivados de la mencionada interacción luz- materia

  • Ruidos propiamente térmicos.- Debido a que los electrones en un conductor poseen niveles de energía cuyos valores instantáneos dependen de la temperatura del material.

luz-materia fotón-electrón


Fotodiodo pin fet
FOTODIODO PIN-FET diodo PIN debe estar polarizado en inversa cargas generadas en la zona intrínseca sean aceleradas por el campo eléctrico presente entre las zonas p y n

  • Algunos receptores reúnen las funciones de detector y de amplificador (o preamplificador) en un mismo circuito integrado que sirve como un detector-(pre)amplificador.


Cuadro comparativo
CUADRO COMPARATIVO diodo PIN debe estar polarizado en inversa cargas generadas en la zona intrínseca sean aceleradas por el campo eléctrico presente entre las zonas p y n

Para aumentar la sensibilidad del PIN se utilizan fotodiodos PIN –con preamplificador FET– que poseen un ancho de banda amplio, pudiendo ser utilizados para diferentes longitudes de onda y diferentes tipos de fibras.


Caracteristicas
CARACTERISTICAS diodo PIN debe estar polarizado en inversa cargas generadas en la zona intrínseca sean aceleradas por el campo eléctrico presente entre las zonas p y n

  • Especialmente adecuado para aplicaciones de 400 nm A 1100 nm (SFH 203) y de 880 nm (SFH 203 FA)

  • Es sensible a un gran ancho de banda

  • Su constitución le permite obtener señales ópticas de hasta el nano watts


Fotodiodo apd avalancha
FOTODIODO APD (AVALANCHA) diodo PIN debe estar polarizado en inversa cargas generadas en la zona intrínseca sean aceleradas por el campo eléctrico presente entre las zonas p y n

  • Adiferencia de los diodos PIN, los APD tienen que ser polarizados a un alto voltaje (150-300 V) para conseguir el efecto de avalancha.


Efecto avalancha
EFECTO AVALANCHA… diodo PIN debe estar polarizado en inversa cargas generadas en la zona intrínseca sean aceleradas por el campo eléctrico presente entre las zonas p y n

  • Se alcanza cuando el campo eléctrico creado por la elevada tensión acelera fuertemente los portadores, presentes en la zona intrínseca, de manera que colisionan con átomos del semiconductor.


Efecto avalancha1
…EFECTO diodo PIN debe estar polarizado en inversa cargas generadas en la zona intrínseca sean aceleradas por el campo eléctrico presente entre las zonas p y nAVALANCHA


Factor de multiplicacion m
FACTOR DE MULTIPLICACION “M” diodo PIN debe estar polarizado en inversa cargas generadas en la zona intrínseca sean aceleradas por el campo eléctrico presente entre las zonas p y n

Para pequeños valores de M predomina el ruido térmico y la relación S/N es baja. Conforme crece M lo hace el nivel de señal tras el fotodetector, y comienza a hacerse notar, la relación S/N alcanza un optimo


Ventanas de trabajo
VENTANAS DE TRABAJO diodo PIN debe estar polarizado en inversa cargas generadas en la zona intrínseca sean aceleradas por el campo eléctrico presente entre las zonas p y n

  • APD de silicio (longitudes de onda entre 600 a 900 nm).

  • APD de InGaAs arseniuro de galio e indio (longitudes de onda entre 1200 a 1600 nm).

  • APD de germanio (entre1100 a 1500 nm).

  • APD de InGaAsP arseniuro-fosfato de galio e indio con GaAs-FET (longitudes de onda entre 1100 a 1600 nm).


En base al material de fabricaci n
EN BASE AL MATERIAL DE FABRICACIÓN diodo PIN debe estar polarizado en inversa cargas generadas en la zona intrínseca sean aceleradas por el campo eléctrico presente entre las zonas p y n


Comparaci n de fotodetectores
Comparación de diodo PIN debe estar polarizado en inversa cargas generadas en la zona intrínseca sean aceleradas por el campo eléctrico presente entre las zonas p y nfotodetectores


Comparaci n de fotodetectores1
Comparación de diodo PIN debe estar polarizado en inversa cargas generadas en la zona intrínseca sean aceleradas por el campo eléctrico presente entre las zonas p y nfotodetectores


Comparaci n de fotodetectores2
Comparación de diodo PIN debe estar polarizado en inversa cargas generadas en la zona intrínseca sean aceleradas por el campo eléctrico presente entre las zonas p y nfotodetectores

  • Costo

  • Vida

  • Temperatura

  • Circuitos de polarización


Fotodetector pin
Fotodetector PIN diodo PIN debe estar polarizado en inversa cargas generadas en la zona intrínseca sean aceleradas por el campo eléctrico presente entre las zonas p y n


Fotodetector apd
Fotodetector APD diodo PIN debe estar polarizado en inversa cargas generadas en la zona intrínseca sean aceleradas por el campo eléctrico presente entre las zonas p y n


Fotodetectores
Fotodetectores diodo PIN debe estar polarizado en inversa cargas generadas en la zona intrínseca sean aceleradas por el campo eléctrico presente entre las zonas p y n


Conclusiones
Conclusiones diodo PIN debe estar polarizado en inversa cargas generadas en la zona intrínseca sean aceleradas por el campo eléctrico presente entre las zonas p y n

  • Los fotodiodos APD.

  • Los fotodiodos PIN.


GRACIAS diodo PIN debe estar polarizado en inversa cargas generadas en la zona intrínseca sean aceleradas por el campo eléctrico presente entre las zonas p y n


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