90 likes | 250 Views
Scherübl Zoltán Nanofizika Szeminárium - JC 2012. Okt 18. BME. In-assisted növesztés MBE-ben SiO2/HSQ rétegre Zink-blende szerkezet Sok ikersík 5 nm-es alignolási pontosság SEM szennyezés No passziválás O + , Ar + plazma Ti/Au. SEM hatása:
E N D
Scherübl Zoltán Nanofizika Szeminárium - JC 2012. Okt 18. BME
In-assisted növesztés MBE-ben SiO2/HSQ rétegre Zink-blende szerkezet Sok ikersík 5 nm-es alignolási pontosságSEM szennyezés No passziválás O+, Ar+ plazma Ti/Au
SEM hatása: Longitudinális ellenállás 2 nagyságrendet csökken Hall-ellenállás közel állandó -> nagyrészt kontakt ellenállás (~2k) Oka: As vakanciát hozhat létre a felületen a SEM -> In többlet -> dópolja Hall-mérés: I = 1 -5 μA @RT
BG hatása: Csökkenti az elektron sűrűséget Mobilitás nem változik Field effect-mérés: Kb 4-szeres n-t jósol Elektronok ¼-e vezetési elektron A többi interfész/felületi állapotoban lokalizálódik
NW: d = 20-40 nm, zink-blende 1 μm PMMA n = 7000/nm = const (Field-effect n) (μ = 500 cm2/Vs, le ~ 18 nm) Erősebb szórás a NW-PMMA felületen -> G csökken pozitív gate-re lφ korrelál G-val α: 2x faktor, polarizáció függetlenül
Suspended NW (1 min HF marás) Li+ vagy ClO4- a NW felületre diffundál Radiálisan szimmetrius E a NW-ben E~107 V/cm, α: 6x, τSO: 3 nagyságrend lφ korrelál G-vel itt is, lSO erősen változik
τφ: T-2/3 függés: Nyquist-folyamat (e-e kölcsönhatás) τSO: hőmérséklet függés alapján más folyamat is jelentős lehet