Зондовое анодное окисление
Download
1 / 22

???????? ??????? ????????? - PowerPoint PPT Presentation


  • 322 Views
  • Uploaded on

Зондовое анодное окисление. Королёв Сергей. Содержание. Введение. Сканирующая зондовая микроскопия. Сканирующая зондовая литография. Зондовое анодное окисление. Импульсная методика. Первые успехи. Окисление металла. Модель Кабрера и Мотта. Зондовое анодное окисление кремния.

loader
I am the owner, or an agent authorized to act on behalf of the owner, of the copyrighted work described.
capcha
Download Presentation

PowerPoint Slideshow about '???????? ??????? ?????????' - hall


An Image/Link below is provided (as is) to download presentation

Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author.While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server.


- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E N D - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
Presentation Transcript

5496979
Содержание

  • Введение.

    • Сканирующая зондовая микроскопия.

    • Сканирующая зондовая литография.

  • Зондовое анодное окисление.

    • Импульсная методика.

    • Первые успехи.

    • Окисление металла. Модель Кабрера и Мотта.

    • Зондовое анодное окисление кремния.

    • Встроенный пространственный заряд.

    • Модуляционная методика.

  • Заключение.


5496979
Сканирующий зондовый микроскоп

Исполнительный элемент

В. Л. Миронов, Основы сканирующей зондовой микроскопии (2004).


5496979

Сканирующий зондовый микроскоп

Сканирующий туннельный микроскоп

Атомно-силовой микроскоп

В. Л. Миронов, Основы сканирующей зондовой микроскопии (2004).



5496979
Импульсная методика зондового анодного окисления

J. A. Dagata, Science 270 (1995) 1625.


5496979
Зондовое анодное окисление. Что лучше: сканирующий туннельный микроскоп или атомно-силовой микроскоп?

Сканирующий туннельный микроскоп:

Один свободный параметр

Атомно-силовой микроскоп:

Два свободных параметра

Основные успехи зондового анодного окисления связаны с использованием атомно-силового микроскопа.


5496979
Металлизация иглы атомно-силового микроскопа

Ti

Si3N4

V


5496979
Первые успехи использования проводящего зонда атомно-силового микроскопа для окисления поверхности

Si

Полоски SiO2

Полоски SiO2служат маской при травлении Si в растворе KOH

Незащищённый Si протравился примерно 10 нм

E. S. Snowand P. M. Campbell, Appl. Phys. Lett. 64, 1932 (1994).


5496979
«Заострение иглы» проводящего зонда атомно-силового микроскопа для окисления поверхности

Ширина полосок ~ 20 нм

Диаметр иглы ~ 80 нм

E. S. Snowand P. M. Campbell, Appl. Phys. Lett. 64, 1932 (1994).


5496979
Сухое травление в плазме проводящего зонда атомно-силового микроскопа для окисления поверхности

SiO2

Si

Глубина травления ~ 30 нм.

E. S. Snow, W. H. Juan, S. W. Pang and P. M. Campbell, Appl. Phys. Lett. 66, 1729 (1995).


5496979
Окисление металла проводящего зонда атомно-силового микроскопа для окисления поверхности

Окисление – это соединение тел с кислородом.

O2

Скорость окисления определяется скоростью химической реакции.

Al

O2

Скорость окисления определяется скоростью прохождения реагентовчерез окисел.

Al2O3

Al


5496979
Модель Кабрера и Мотта проводящего зонда атомно-силового микроскопа для окисления поверхности

O-

O

Al2O3

Al

N. Cabrera and N. F. Mott, Rep. Prog. Phys. 12, 163 (1949).


5496979
Источник кислорода при зондовом анодном окислении

V

SiO2

Si


5496979
Реакция окисления кремния анодном окислении

SiO2

Si


5496979
Скорость окисления анодном окислении

Скорость дрейфа ионов

N. Cabrera and N. F. Mott, Rep. Prog. Phys. 12, 163 (1949).


5496979
Скорость окисления кремния: эксперимент

n-Si(100)

Модель Кабрера и Мотта

P. Avouris, T. Hertel and R. Martel, Appl. Phys. Lett. 71, 285 (1997).


5496979
Сканирующая микроскопия напряжений Максвелла

Поверхностный потенциал

Ёмкость

J. A. Dagata, Nanotechnology 8, A3 (1997).


5496979
Наблюдение встроенного пространственного заряда

p,n-Si(100)

Создавались точечные окислы

Снимались карты топологии, потенциала,

ёмкости

J. A. Dagata, T. Inoue, J. Itoh and H. Yokoyama, Appl. Phys. Lett. 73, 271 (1998).


5496979
Механизм образования встроенного пространственного заряда


5496979
Модуляционная методика зондового анодного окисления

F. Perez-Murano, K. Birkelund, K. Morimoto and J. A. Dagata, Appl. Phys. Lett. 75, 199 (1999).


5496979
Заключение зондового анодного окисления


ad