influence of cooling conditions on dc characteristics of the power mos transistor irf840
Download
Skip this Video
Download Presentation
Influence of Cooling Conditions on DC Characteristics of the Power MOS Transistor IRF840

Loading in 2 Seconds...

play fullscreen
1 / 11

Influence of Cooling Conditions on DC Characteristics of the Power MOS Transistor IRF840 - PowerPoint PPT Presentation


  • 145 Views
  • Uploaded on

Influence of Cooling Conditions on DC Characteristics of the Power MOS Transistor IRF840. Wpływ warunków chłodzenia na charakterystyki statyczne tranzystora MOS mocy IRF840. Janusz Zarębski, Krzysztof Górecki Katedra Elektroniki Morskiej, Akademia Morska w Gdyni. Plan prezentacji.

loader
I am the owner, or an agent authorized to act on behalf of the owner, of the copyrighted work described.
capcha
Download Presentation

PowerPoint Slideshow about 'Influence of Cooling Conditions on DC Characteristics of the Power MOS Transistor IRF840' - ciara


An Image/Link below is provided (as is) to download presentation

Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author.While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server.


- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E N D - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
Presentation Transcript
influence of cooling conditions on dc characteristics of the power mos transistor irf840

Influence of Cooling Conditionson DC Characteristics of the Power MOS Transistor IRF840

Wpływ warunków chłodzenia na charakterystyki statyczne tranzystora MOS mocy IRF840

Janusz Zarębski, Krzysztof Górecki

Katedra Elektroniki Morskiej, Akademia Morska w Gdyni

plan prezentacji
Plan prezentacji
  • Wprowadzenie
  • Wyniki pomiarów
  • Podsumowanie
wprowadzenie
Wprowadzenie
  • Tranzystory MOS mocy są powszechnie wykorzystywane w analogowych i impulsowych układach elektronicznych
  • Na właściwości tych elementów w istotny sposób wpływa samonagrzewanie
  • Samonagrzewanie – wzrost temperatury wnętrza elementu Tj powyżej temperatury otoczenia Ta na skutek zamiany wydzielanej w nim energii na ciepło przy nieidealnych warunkach chłodzenia
  • W pracy – wyniki pomiarów charakterystyk statycznych tranzystora IRF840 dla różnych warunków jego chłodzenia
wyniki pomiar w
Wyniki pomiarów
  • Badany tranzystor IRF840 firmy International Rectifier
  • Parametry: UDSmax = 500 V, IDmax = 8 A, Pmax = 125 W
  • Zmierzono charakterystyki wyjściowe i przejściowe
  • Rozważano polaryzację normalną i inwersyjną
  • Pomiary wykonano w warunkach izotermicznych (Tj = Ta) oraz nieizotermicznych (Tj > Ta) dla tranzystora umieszczonego na radiatorze oraz bez radiatora
wyniki pomiar w c d
Wyniki pomiarów (c.d.)
  • Izotermiczne charakterystyki wyjściowe
wyniki pomiar w c d1
Wyniki pomiarów (c.d.)
  • Nieizotermiczne charakterystyki wyjściowe w zakresie podprogowym
wyniki pomiar w c d2
Wyniki pomiarów (c.d.)
  • Nieizotermiczne charakterystyki wyjściowe tranzystora bez radiatora
wyniki pomiar w c d3
Wyniki pomiarów (c.d.)
  • Nieizotermiczne charakterystyki wyjściowe tranzystora umieszczonego na radiatorze
wyniki pomiar w c d4
Wyniki pomiarów (c.d.)
  • Nieizotermiczne charakterystyki wyjściowe tranzystora przy polaryzacji inwersyjnej
wyniki pomiar w c d5
Wyniki pomiarów (c.d.)
  • Nieizotermiczne charakterystyki przejściowe tranzystora umieszczonego na radiatorze
podsumowanie
Podsumowanie
  • Jak przedstawionych charakterystyk wynika, że:
    • Charakterystyki izotermiczne i nieizotermicznie badanego tranzystora różnią się zarówno ilościowo, jak i jakościowo
    • Ujemne nachylenie nieizotermicznych charakterystyk wyjściowych może być przyczyną niestabilności punktu pracy elementu, a nawet może prowadzić do jego uszkodzenia
    • Przy dużych wartościach prądu drenu na skutek samonagrzewania punkt pracy tego elementu może przejść z zakresu nasycenia do zakresu nienasycenia
  • A zatem uwzględnienie samonagrzewania przy projektowaniu i analizie układów z tranzystorami mocy MOS jest bardzo ważne
ad