Download
mos transistor i tverrsnitt n.
Skip this Video
Loading SlideShow in 5 Seconds..
MOS transistor i tverrsnitt PowerPoint Presentation
Download Presentation
MOS transistor i tverrsnitt

MOS transistor i tverrsnitt

208 Views Download Presentation
Download Presentation

MOS transistor i tverrsnitt

- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E N D - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
Presentation Transcript

  1. MOS transistor i tverrsnitt Halvleder Silisum: pn overgang: INF3400 Grunnleggende digital CMOS

  2. Transistor tverrsnitt: pMOS transistor nMOS transistor INF3400 Grunnleggende digital CMOS

  3. Tverrsnitt av CMOS inverter INF3400 Grunnleggende digital CMOS

  4. Akkumulasjon, deplesjon og inversjon Under gaten: Deplesjon: Akkumulasjon: Inversjon: INF3400 Grunnleggende digital CMOS

  5. Enkel beskrivelse av MOS transistor Ubiasert: Lineært område: Biasert: Metning Lineært område INF3400 Grunnleggende digital CMOS

  6. Enkel MOS transistor modell • AV (cut off): Vgs < Vt, som betyr at gate source spenningen ikke er tilstrekkelig til at det blir dannet kanal. Ids = 0. • PÅ, lineært område: Vgs > Vt og 0 < Vds < Vgs –Vt, som betyr at det er dannet kanal som strekker seg fra drain til source. Transistoren er i det lineære området. • PÅ, metning: Vgs > Vt og Vds > Vgs –Vt, som betyr at det er dannet kanal på source siden, men ikke på drain siden. Transistoren er i metning. INF3400 Grunnleggende digital CMOS

  7. Enkel transistor modell: Ved kanal, vil gjennomsnittelig spenning over gate kapasitansen være: Gate kapasitansen er avhengig av arealet (kanalen), tykkelsen på det isolerende laget tox og permitiviteten til det isolerende laget: INF3400 Grunnleggende digital CMOS

  8. Strøm mellom drain og source kan uttrykkes som den totale mengde ladning i kanalen dividert på tiden som behøves for å krysse kanalen: Gjennomsnittelig hastighet n til ladningsbærere i kanalen vil bli bestemt av det elektriske feltet E over kanalen og ladningsbærernes mobilitet m: Det elektriske feltet er avhengig av spenningen over kanalen Vds og kanalens lengde L: Tiden det tar for en ladningsbærer å krysse kanalen er gitt av kanalens lengde og ladningsbærernes hastighet: INF3400 Grunnleggende digital CMOS

  9. I det lineære området kan vi modellere strømmen tilsvarende en motstand: Dette gir modell for motstand: Vi ser først på konduktans: Som kan forenkles til: INF3400 Grunnleggende digital CMOS

  10. I metning vil spenningen over kanalen være begrenset til den spenningen som er tilstrekkelig for å danne kanal på drain siden: Vi setter inn for Vgc og Vds = Vdsat i transistor modellen: Vi kan finne gjennomsnittelig spenningen over kapasitansen i metning ved å erstatte Vds med Vdsat: INF3400 Grunnleggende digital CMOS

  11. Transistormodellen: INF3400 Grunnleggende digital CMOS

  12. pMOS transistormodell: Drain Source INF3400 Grunnleggende digital CMOS

  13. I-V karakteristikker INF3400 Grunnleggende digital CMOS

  14. Oppgave Gitt en nMOS transistor i en 180nm CMOS prosess med bredde W lik 0.36mm og lengde L lik 0.18mm. Anta at tykkelsen på tynnoksid tox =50Å og at mobiliteten m = 200cm / Vs. Beregn b og gatekapasitans for transistoren: 2 Cox: b: Cg: INF3400 Grunnleggende digital CMOS

  15. Eksamensoppgave 2005 Gitt enkle transistor modeller for nMOS transistor, skisser strøm som funksjon av Vgs for ulike Vds spenninger. Marker terskelspenning, lineært område og metning på skissen. Terskelspenning Vt Lineært område Metning INF3400 Grunnleggende digital CMOS