1 / 6

Elektronika

Elektronika. 7. Diode.Proizvodnja dioda. Dioda je poluprovodnički PN spoj sa metalnim priključcima, smještena u kućište. Struktura diode. A. K. Simbol diode. ANODA. KATODA. Kroz direktno polarisanu diodu (+ na anodi i – na katodi) protiče struja nakon napona praga provođenja.

calix
Download Presentation

Elektronika

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Elektronika 7. Diode.Proizvodnja dioda

  2. Dioda je poluprovodnički PN spoj sa metalnim priključcima, smještena u kućište. Struktura diode A K Simbol diode ANODA KATODA Kroz direktno polarisanu diodu (+ na anodi i – na katodi) protiče struja nakon napona praga provođenja. Kroz inverzno polarisanu diodu (- na anodi i + na katodi) ne protiče struja tj. protiče veoma mala struja. Ta struja se zove inverzna struja zasićenja i potiče od sporednih nosioca naelektrisanja. Proboj diode podrazumijeva nagli skok struje koji može razoriti diodu, ako se prethodno ne zaštiti. Može biti toplotni, lavinski i cenerov proboj.

  3. Proizvodnja dioda Diode se izrađuju u planarnoj planarno-epitaksijalnoj i meza tehnologiji. 1. Planarna (ravna) tehnologija Planarna tehnologija podrazumijeva da se dioda izrađuje na ravnoj podlozi koja može biti P ili N tipa. Kao prvo uzima se pločica sa podlogom npr. N tipa N podloga Na podlogu se nanosi sloj SiO2 N podloga Na sloj SiO2 nanosi se maska sa otvorima za difuziju Na nju se hemijski djeluje da se skine sloj SiO2 i napravi prozorčić kroz koji se ubacuju trovalentne primjese N podloga

  4. trovalentne primjese npr. aluminijum Difuzija primjesa se obavlja na vrlo visokim temperaturama oko 10000C. SiO2 Trovalentne primjese (u vidu pare) prodiru u podlogu. P Formira se poluprovodnik P tipa tj. PN spoj N podloga Sledeći korak je nova difuzija N+ sloja neophodnog za katodu. N+ poluprovodnik je poluprovodnik sa velikom koncentracijom petovalentnih primjesa. N+ P Postupci su slični kao kod difuzije P tipa tj. maska pa hemijsko skidanje sloja SiO2 i ubacivanje petovalentnih primjesa. N podloga Naparavanjem i sublimacijom nanose se metalni kontakti na otvore. Sublimacija je direktan prelazak iz gasovitog u čvrsto stanje, bez prolaska kroz tečnu fazu. K A Na metalne kontakte se leme nožice. N+ P katoda na N+ tip. Anoda na P tip i N podloga Na kraju sve smjestimo u kućište i gotova dioda!

  5. 2. Planarno – epitaksijalna tehnologija Na N+ podlogu se nanosi tanak sloj, skoro čistog silicijuma epitaksijalni sloj trovalentne primjese npr. aluminijum A Difuzijom, na visokim temperaturama, ubacuju se trovalentne primjese u epitaksijalni sloj. P N tj. Nastaje poluprovodnik P tipa PN spoj. N+podloga Naparavanjem i sublimacijom se nanose metalni kontakti za anodu i katodu. K Sublimacija je direktan prelazak iz gasovitog u čvrsto stanje, bez prolaska kroz tečnu fazu. Na metalne kontakte lemimo nožice. Na kraju diodu smjestimo u kućište! Anoda na P tip Katoda na N+ tip

  6. 3. Meza tehnologija Meza tehnologija ima iste korake izrade kao i planarno – epitaksijalana tehnologija. A P N Zbog jakog polja na šiljatim dijelovima i lakšeg proboja, hemijski se skida dio diode. N+podloga K Dobijena dioda, sa zakrivljenim dijelovima, podsjeća na Mesa Verde visorovan, pa je po tome ova tehnologija i dobila ime.

More Related