1 / 14

Proprietăţi electrice ale corpurilor solide

Proprietăţi electrice ale corpurilor solide.

omer
Download Presentation

Proprietăţi electrice ale corpurilor solide

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript


  1. Proprietăţi electrice ale corpurilor solide Aplicaţie I: Să se calculeze rezistivitatea unui monocristal de Ge intrinsec şi a unui monocristal de Si intrinsec la T=400 K. Se cunosc concentraţia intrinsecă a purtătorilor de sarcină pentru Ge ni=pi=2,6 , iar pentru Si ni=pi=2,1 şi mobilitatea purtătorilor de sarcină la această temperatură:

  2. Proprietăţi electrice ale corpurilor solide Rezolvare: Conductivitatea electrică a semiconductorului intrinsec este: iar rezistivitatea este: Înlocuind datele numerice se obţine:

  3. Semiconductori intrinseci Aplicaţie II: Să se calculeze cu câte grade trebuie încălzită o bară de Ge intrinsec aflat la temperatura camerei (295 K) pentru a-şi reduce la jumătate rezistenţa dacă nu se consideră deendenţa de temperatură a mobilităţii purtătorilor. Lărgimea benzii interzise este Rezolvare: Rezistenţa R a unui conductor de lungime l, secţiune S şi rezistivitate este dată de: Concentraţia purtătorilor intrinseci este dată de: Reducerea la jumătate a rezistenţei este provocată de dublarea concentraţiei purtătorilor:

  4. Semiconductori intrinseci Rezolvare: Se obţine:

  5. Semiconductori intrinseci şi extrinseci Aplicaţie III: Să se determine valorile limită ale lungimilor de undă, ale radiaţiilor necesare pentru crearea de perechi electron-gol în Si, Ge, GaAs. Rezolvare: Crearea perechilor electron-gol are loc atunci când cristalului i se transmite atâta energie încât electronii pot trece din BV în BC. Această condiţie este dată de: Rezultatele numerice sunt prezentate tabelar astfel:

  6. Semiconductori intrinseci şi extrinseci

  7. Semiconductori extrinseci Aplicaţie IV: a) Să se determine concentraţia electronilor şi a golurilor într-un cristal de germaniu de tip p la temperatura camerei (295 K) dacă conductivitatea electrică este b) Să se determine concentraţia electronilor şi a golurilor într-un cristal de siliciu de tip n la temperatura camerei (295 K) dacă conductivitatea electrică este . Rezolvare: a) Numeric concentraţia golurilor este: Concentraţia electronilor este: Numeric concentraţia electronilor este:

  8. Semiconductori extrinseci . Rezolvare: b) Concentraţia electronilor este: Numeric concentraţia electronilor este: Concentraţia golurilor este: Numeric concentraţia golurilor este:

  9. Joncţiunea p-n Aplicaţie V: Se consideră o joncţiune p-n la temperatura camerei (295 K). Ce tensiune, în cazul polarizării directe, trebuie aplicată astfel încât curentul să fie de 119 ori mai mare decât curentul rezidual? Rezolvare: Curentul prin joncţiune este dat de relaţia:

  10. Joncţiunea p-n Aplicaţie VI: Să se determine creşterea tensiunii de polarizare directă a unei joncţiuni p-n dacă valoarea curentului a crescut de 3 ori la temperatura camerei 295 K. Rezolvare:

  11. Celula solară Aplicaţie VII: O celulăsolară are un curent invers de întuneric Is=1 , iar la iluminare produce, la temperatura camerei (295K), un curent de scurtcircuit Isc=-99 mA. Să se determine: a)Rezistenţa internă a celulei când iluminarea tinde spre zero; b)Tensiunea în circuit deschis pe celula solară în condiţiile de iluminare din problemă; c) Tensiunea pe rezistorul de sarcină cu valoarea Rm=5 ce corespunde regimului de putere maximă; d) Randamentul de conversie a energiei luminoase în energie electrică, dacă puterea radiaţiei incidente pe celula solară este Pi=200 mW. Rezolvare: a) În circuit deschis (I=0) tensiunea la bornele celulei este:

  12. Celula solară ILeste fotocurentul provocat de lumina incidentă. Rezistenţa internă a celulei este dată de relaţia: În absenţa iluminării I=IL=0, b) În condiţiile de iluminare din problemă: La scurtcircuit (Isc=-IL), rezultă: U=292,93 mV.

  13. Celula solară c) Rezistenţa de sarcină Rm este egală cu rezistenţa internă a celulei solare la iluminare. deoarece

  14. Celula solară d) • Aplicaţie VIII: Energia potenţială de interacţiune dintre doi atomi este data prin: , unde r este distanţa dintre cei • doi atomi, A, B sunt constante reale pozitive, m, n sunt numere naturale. • Să se stabilească în ce condiţii cei doi atomi formează un compus stabil; • Să se stabilească în ce condiţii compusul stabil se desface în constituienţi.

More Related