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ELECTRONICA BASICA

ELECTRONICA BASICA. TRANSISTORES POR EFECTO DE CAMPO (FET). ELECTRONICA BASICA, 2003 ADOLFO CASTILLO MEZA, M.SC. Otro tipo de transistores es denominado POR EFECTO DE CAMPO (FET = Field Effect Transistor). .

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  1. ELECTRONICA BASICA TRANSISTORES POR EFECTO DE CAMPO (FET) ELECTRONICA BASICA, 2003ADOLFO CASTILLO MEZA, M.SC.

  2. Otro tipo de transistores es denominado POR EFECTO DE CAMPO (FET = Field Effect Transistor). PRINCIPIO: El ancho del canal conductor en un semiconductor puede ser variado por la aplicación de un campo externo. Se comportan, por lo tanto, como resistores controlados por voltaje. Enhancemente mode: En modo de enriquecimiento MOSFET: Metal oxide semiconductor FET Depletion mode: En modo de empobrecimiento FET JFET: Junction FET o FET de unión ELECTRONICA BASICA, 2003ADOLFO CASTILLO MEZA, M.SC.

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  5. ELECTRONICA BASICA, 2003ADOLFO CASTILLO MEZA, M.SC.

  6. Construcción de un MOSFET en modo de enriquecimiento. Equivalente a la BASE Equivalente al EMISOR Equivalente al COLECTOR Capa aislante de óxido ELECTRONICA BASICA, 2003ADOLFO CASTILLO MEZA, M.SC.

  7. En ausencia de un campo externo el transistor se encuentra abierto (no hay conducción). Estamos en la REGION DE CORTE. ELECTRONICA BASICA, 2003ADOLFO CASTILLO MEZA, M.SC.

  8. Si aplicamos un campo positivo a la compuerta, los portadores positivos serán repelidos de la superficie. En esta zona, los portadores negativos serán prevalentes por número, pudiendo conducir una señal. Se forma, de ese modo, un canal. Cuanto más intenso el campo aplicado, más ancho será el canal. Los portadores son exclusivamente negativos (unipolar) Esto ocurre cuando el voltaje sobre pasa un voltaje UMBRAL (Threshold) entre compuerta y fuente ELECTRONICA BASICA, 2003ADOLFO CASTILLO MEZA, M.SC.

  9. Supongamos que mantenemos el voltaje drenaje – fuente VDS. La resistencia decrece debido a que el ancho del canal crece. Pero cuando VGG se acerca a VDD el ancho del canal cerca del drenaje se torna mínimo (estrangulado). A partir de este momento, ningún increento en la diferencia compuerta – fuente incrementa la corriente en el drenaje. De ese modo, se convierte en una fuente de corriente constante. ELECTRONICA BASICA, 2003ADOLFO CASTILLO MEZA, M.SC.

  10. Si variamos tanto los voltajes en el drenaje como en la compuerta, obtendremos una familia de curvas: Voltaje Corriente en el drenaje vs Drenaje – Fuente manteniendo constante el voltaje Compuerta – Fuente. ELECTRONICA BASICA, 2003ADOLFO CASTILLO MEZA, M.SC.

  11. REGION DE TRIODO REGION DE SATURACION REGION DE CORTE ELECTRONICA BASICA, 2003ADOLFO CASTILLO MEZA, M.SC.

  12. ELECTRONICA BASICA, 2003ADOLFO CASTILLO MEZA, M.SC.

  13. LECTURAS: Fundamentos de Electrónica, Codgell, J.R., Fundamentos de Electrónica, pp 105 – 115 Smith, Sedra, Circuitos Microelectrónicos, pp 353 - 371 ELECTRONICA BASICA, 2003ADOLFO CASTILLO MEZA, M.SC.

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