1 / 9

1. z árthelyi megold ás ai

1. z árthelyi megold ás ai. 2 013. okt óber 18. http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/ hu / 97-NZH-1-megold.ppt. Kis kérdések.

jaimie
Download Presentation

1. z árthelyi megold ás ai

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript


  1. 1. zárthelyi megoldásai 2013. október 18. http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/97-NZH-1-megold.ppt

  2. Kis kérdések • A Moore törvény a mikroelektronika eddig tapasztalt exponenciális fejlődését fogalmazta meg, pl. az egy IC lapkára integrált alkatrészek (tranzisztorok) száma kb. 14-18 havonta megduplázódik • MFS – minimal feature size, legkisebb alakzat mérete, szokás még minimális csíkszélességnek is nevezni. Ma a legfejletteb technológiák esetében ez 45-22-14 nm (14 nm idén őszi bejelentés) Mikroelektronika - NZH1 megoldások - 2013

  3. Kis kérdések • Egy n-típusú szilícium hordozó (ni = 1010/cm3 @ T=300K) akceptor adalékkoncentrációja Nd = 1018/cm3. Mekkora ebben az anyagban a lyukak egyensúlyi koncentrációja szobahőmérsékleten (T=300K)? • Kisebbségi hordozókoncentráció a tömeghatás törvénye alapján: pn = ni2/nn ni2/Nd = 1020/1018 = 102/cm3 • A többségi hordozók az elektronok, nn Nd, koncentrációjuk tehát gyakorlatilag nem függ a hőmérséklettől. Mikroelektronika - NZH1 megoldások - 2013

  4. Egy Si dióda telítési árama I0=10-13A. Ismert fix hőmérsékleten mekkora a nyitófeszültsége, ha a nyitó árama 100 mA ? [Segítség: ln(10)2.3] I = I0[exp(U/UT)-1]  U = UT  ln(I/I0 + 1)  UT  ln(I/I0) U = 26 mVln(10-1/10-13) = 26 mV12ln(10) = 717.6 mV  718 mV • Mi az intrinsic Fermi-szint? Az intrinsic félvezető anyag sáv közepének megfelelő energia szint. Igaz rá, hogy f(Wi) = 0.5. • Mit jelent a trr és nagyságrendileg mekkora az értéke egy gyors dióda esetén? Záróirányú feléledési idő (reverse recovery time) – az idő, ami alatt kiürül a diffúziós töltés és feltöltődik a tértöltés kapacitás. Kb. 2-3 ns. Mikroelektronika - NZH1 megoldások - 2013

  5. diffuziós hossz • Mi a diffúziós hossz? Egy mondattal írja le a szemléletes fizikai jelentését és adja meg képlettel is! • Kisebbségi töltéshordozók átlagos behatolási mélysége • Hogyan és milyen irányban mozognak a levegő részecskéi egy tisztatérben? • A szűrt levegő az álmenyezet felől az álpadló irányában áramlik, így a padlóról nem kerülhet szennyeződés a félvezető szeletekre Mikroelektronika - NZH1 megoldások - 2013

  6. Kis kérdések • Rajzolja fel egy modern tokozott processzor a keresztmetszeti képét és jelölje be rajta a fő egy dimenziós hővezetési utat! • Chip aktív felületéről egy termikus határfelületi rétegen keresztül a leadframe felé, illetve flip-chip esetben a hűtőborda felé "junction" – Rthjc – Rthca – "termikus föld" Mikroelektronika - NZH1 megoldások - 2013

  7. Számítási feladat • Egy szilícium dóda diffúziós potenciáljának értéke UD = 0,7V. Tértöltés kapacitásának értéke 3,3 V zárófeszültség esetében 3pF. Mekkora lesz a tértöltés kapacitás értéke, ha 5V-tal megnöveljük a zárófeszültséget? 1p 2p 2p 2 pF 1p Mikroelektronika - NZH1 megoldások - 2013

  8. Tétel szerűen kifejtendő kérdés • Mutassa be és részletesen ismertesse a valóságos dióda kapacitásait (melyek ezek, milyen tartományban jellemzők, mekkora nagyságrendileg az értékük, értékük mitől függ, hol játszanak szerepet a dióda működésében, stb…) • Záró tartományban – tértöltés kapacitás • Nyitó tarományban – a diffúziós kapacitás kezd dominálni Mikroelektronika - NZH1 megoldások - 2013

  9. Tétel szerűen kifejtendő kérdés • Mutassa be és részletesen ismertesse a valóságos dióda kapacitásait (melyek ezek, milyen tartományban jellemzők, mekkora nagyságrendileg az értékük, értékük mitől függ, hol játszanak szerepet a dióda működésében, stb…) Nagyságrendek: CT 1-10 pF CD nF-ok (egy kisteljesítményű diódára) Hasznosítás: CT rezgőkör hangolás, erősítés mikrohullámon CD -- Mikroelektronika - NZH1 megoldások - 2013

More Related