GÜÇ ELEKTRONİĞİ

1. Dr.N. AbutKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİGÜÇ ELEKTRONİĞİ GENEL KAPSAM GÜÇ ELEKTRONİĞİ Doç. Dr. Nurettin ABUT Kocaeli Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Mühendisliği Bölümü GÜÇ ELEKTRONİĞİDoç. Dr. N. ABUT

2. Dr.N. AbutKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİGÜÇ ELEKTRONİĞİYARIİLETKENLER BÖLÜM-2YARIİLETKEN DEVRE ELEMANLARI 2.1.YARIİLETKEN Jn=ATe-B/TA/cm2 (2.1) A:Katot malzemesine bağlı bir katsayı, T: Katot yüzeyinin mutlak sıcaklığı K, B=e.W/K şeklinde malzemeye bağlı bir ısıl katsayı olup e=1,6x10-19 C olarak elektronun yükü, W=1…6 [eV] değeri arasında çıkış enerjisi, K=1,38x10-23 Joule/K olarak Boltzmann sabitidir.

3. Dr.N. AbutKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİGÜÇ ELEKTRONİĞİYARIİLETKENLER YARIİLETKEN DEVRE ELEMANLARI 2.1.YARIİLETKEN foto elektronik emisyon Wp=hf=hc/ Joule (2.2) Wp:Bir fotonun taşıdığı enerji, h: 6,62x10-34 Joule.s olarak Planc sabiti, f:Elektro magnetik dalganın frekansı Hz, :Dalga boyu m, c: 3x108 m/s  olarak ışık hızıdır.

4. Dr.N. AbutKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİGÜÇ ELEKTRONİĞİYARIİLETKENLER

5. Dr.N. AbutKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİGÜÇ ELEKTRONİĞİYARIİLETKENLER

6. Dr.N. AbutKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİGÜÇ ELEKTRONİĞİYARIİLETKENLER

7. Dr.N. AbutKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİGÜÇ ELEKTRONİĞİYARIİLETKENLER

8. Dr.N. AbutKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİGÜÇ ELEKTRONİĞİ DİYOT

9. Dr.N. AbutKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİGÜÇ ELEKTRONİĞİDİYOT

10. Dr.N. AbutKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİGÜÇ ELEKTRONİĞİDİYOT Yayılım oyuk-akım yoğunluğu Jp; (2.4) şeklinde tanımlanabilir. Burada; Dp:oyuklar (elektronlar için Dn) içindifüzyon sabitim2/s dır. Toplam oyuk akımı veya difüzyon akımı;

11. Dr.N. AbutKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİGÜÇ ELEKTRONİĞİDİYOT Toplam oyuk akımı veya difüzyon akımı; (2.5) dır. Burada; p: oyuk hareket kabiliyeti cm2/Vs Genel anlamda bir iyonun hareket kabiliyeti olan ; v, hız cm/s ve , elektriksel alan V/cm olmak üzere 1 [V/cm]’lik bir elektriksel alanda, bu iyonun kazanabildiği =v/ hızıdır.

12. Dr.N. AbutKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİGÜÇ ELEKTRONİĞİDİYOT Toplam elektron akımı ise; (2.6) olur. Burada; n: elektron hareket kabiliyeti cm2/Vs dır. (Silisyum eklemi için 300 K de 1500 cm2/Vs, germanyum için ise yaklaşık 3900 cm2/Vs değerindedir). Her zaman, np dır. Eklem bölgesinde, yük akışının ters yönünde, Şekil 2.5.(c) de görüldüğü gibi;   (2.7)  ile tanımlanabilen ve uzay yükü bölgesi potansiyeli de denen bir gerilim oluşur ve bir akım akar.

13. Dr.N. AbutKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİGÜÇ ELEKTRONİĞİDİYOT

14. Dr.N. AbutKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİGÜÇ ELEKTRONİĞİDİYOT

15. Dr.N. AbutKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİGÜÇ ELEKTRONİĞİDİYOT ve soğutucu profili

16. Dr.N. AbutKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİGÜÇ ELEKTRONİĞİDİYOT • Diyot Denklemi; diyot iletime kutuplandığında, teorik olarak; • (2.10) • şeklinde bir akım akar. Burada; IS, diyot tıkama doyma akımı A, V:Diyotun iletime girmesini sağlayacak eşik gerilimi V,: Yarıiletken malzemeye bağlı bir sabit (Silisyum için normal akımda 2 alınabilir) tir. • Diyot IA akımı, yaklaşık; • (2.11) • şeklinde değişir. VA>V ise, IA > 0 olur.

17. Dr.N. AbutKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİGÜÇ ELEKTRONİĞİDİYOT Eşdeğer devresi

18. Dr.N. AbutKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİGÜÇ ELEKTRONİĞİDİYOT Eşdeğer devresi

19. Dr.N. AbutKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİGÜÇ ELEKTRONİĞİDİYOT Eşdeğer devresi

20. Dr.N. AbutKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİGÜÇ ELEKTRONİĞİ GENEL KAPSAM

21. Güç ElektroniğiDr. Nurettin ABUT Teşekkürler!!