1 / 7

Požadované finančné prostriedky : 1 mil. Sk ročne Pridelené finančné prostriedky: : 0.7 mil. Sk

Centrum excelentnosti SAV “CENG” ( Centrum elektronických a elektrotechnických súčiastok novej generácie ) Participuj ú ce pracovisk á: Elektrotechnický ústav SAV Katedra experimentálnej fyziky FMFI UK Katedra fyziky FEI STU Trvanie 4 roky (2005 – 2008) SAV: 58 vedeckých ústavov, 11 CE.

doyle
Download Presentation

Požadované finančné prostriedky : 1 mil. Sk ročne Pridelené finančné prostriedky: : 0.7 mil. Sk

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript


  1. Centrum excelentnosti SAV “CENG” (Centrum elektronických a elektrotechnických súčiastok novej generácie) • Participujúce pracoviská: • Elektrotechnický ústav SAV • Katedra experimentálnej fyziky FMFI UK • Katedra fyziky FEI STU • Trvanie 4 roky (2005 – 2008) • SAV: 58 vedeckých ústavov, 11 CE

  2. Činnosť centra je zameraná na výskum prípravy, vlastností a možností praktického uplatnenia elektronických a elektrotechnických súčiastok a zariadení novej generácie pre oblasť A) Informačných technológií B) Energetiky a silnoprúdovej elektrotechniky C) Senzoriky, automatizácie a meracej techniky Riadiaci výbor: Ing. F. Gömöry DrSc. (vedúci) Prof. Ing. R. Durný DrSc. Ing. K. Fröhlich DrSc. Doc. RNDr. R. Hlubina CSc. Ing. Š. Chromik DrSc. Ing. P. Kováč DrSc. Ing. I. Vávra CSc.

  3. ... podpora výskumnej infraštruktúry pre vynikajúce výskumné kolektívy,pracujúce na problematike súčiastok a zariadení novej generácie pre elektroniku a elektrotechniku. Riešiteľský kolektív má ambície dosiahnuť postavenie lídra v tejto oblasti na európskej úrovni. Súčiatky a zariadenia, na ktoré sa výskum zacieli, sú: A) MOSFET súčiastky s rozmerom v hlbokej submikrometrovej oblasti, základný element supravodivého kvantového počítača a extrémne citlivé polovodičové súčiastky pre kvantovú informatiku. B) Magnetické systémy na báze vinutí zo supravodivých vodičov pre jednosmerné aj striedavé aplikácie (napr. transformátory, generátory, systémy pre termonukleárnu syntézu) a silové káble na prenos energie. C) Senzory novej generácie pre digitálne zobrazovanie v rtg tomografii a mamografii, detekciu mikrovlnného výkonu a bolometriu, topológiu elektromagnetického poľa a optický prenos informácií. Výsledkom činnosti Centra bude výraznejšie uplatnenie slovenských výskumných kolektívov z akademickej i priemyselnej sféry v projektoch medzinárodnej spolupráce.

  4. Požadované finančné prostriedky : 1 mil. Sk ročne • Pridelené finančné prostriedky: • : 0.7 mil. Sk • (nákup sieťových tlačiarní na ElÚ, réžia pracovísk) • 2006: 0.85 mil. Sk • (odpisy, odmeny za publikácie, seminár, réžia pracovísk)

  5. Časový harmonogram 2005-2006: A) Výber materiálov pre hradlo sub-100 nm MOSFET-u. Analýza procesu tunelovania v supravodivých Josephsonových spojoch. Výsledkom bude litografia na báze AFM pre rozmery pod 100 nm a návrh optimalizovaných spojov pre suravodivé kvantové bity. B) Vypracovanie teoretických postupov simulácia vniku magnetického toku do kompozitnej štruktúry kov-supravodič a feromagnetikum-supravodič. Príprava modelových štruktúr so supravodivými filamentami s hrúbkou pod 10 m v kovovej alebo feromagnetickej matrici a ich experimentálne štúdium bude viesť k objasnenie správania sa takýchto štruktúr v podmienkach DC a AC aplikácií. C) Vývoj a charakterizácia materiálov pre senzory (SiC a GaN polovodiče, nano-mechanický GaAs nosník s hrotom atomárnych rozmerov, nanokompozitné tenké vrstvy, supravodivé tenké vrstvy, spinový injektor kompatibilný s materiálom QW). Výsledkom bude vytypovanie vhodných štruktúr pre jednotlivé typy senzorov.

  6. Časový harmonogram 2007-2008: A) Príprava štruktúr pre sub-100 nm MOSFET a jednoelektrónový tranzistor. Zhotovenie supravodivých štruktúr pre kvantový bit. Výsledkom budú modelové štruktúry pre elektronické súčiastky novej generácie s využitím v informačných technológiách. B) Zhotovenie a otestovanie, s použitím vysokoteplotného supravodivého vodiča druhej generácie s tenkým supravodivým pokrytím, modelov vinutia elektromagnetu a kábla na prenos elektrického prúdu s veľkosťou aspoň 1000 A. Vysvetlenie pozorovaného správania, vypracovanie doporučení pre praktickú aplikáciu. C) Návrh a zhotovenie modelových štruktúr, umožňujúcich overenie princípov konštrukcie a postupu prípravy senzorov. Simulácia vlastností a zmeranie charakteristík modelových štruktúr. Výsledkom bude návrh optimalizovaných štruktúr senzorov a vo vybraných prípadoch ich realizácia.

  7. Želám príjemné rokovanie, cenné poznatky nové podnety dobrú inšpiráciu do budúcich spoluprác.

More Related