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MOSFET Metall-Oxid-Silizium-Feldeffekttransistor

MOSFET Metall-Oxid-Silizium-Feldeffekttransistor. Projektlabor SS 07: Energie-Multicenter Ein Referat von Robin Jerratsch. Gliederung. Einführung MOSFET als Schalter Datenblatt BUZ 11 Schaltvorgänge Treiberschaltungen. Einführung: Aufbau.

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MOSFET Metall-Oxid-Silizium-Feldeffekttransistor

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Presentation Transcript

  1. MOSFETMetall-Oxid-Silizium-Feldeffekttransistor Projektlabor SS 07: Energie-Multicenter Ein Referat von Robin Jerratsch

  2. Projektlabor SS 07 - Robin Jerratsch Gliederung • Einführung • MOSFET als Schalter • Datenblatt BUZ 11 • Schaltvorgänge • Treiberschaltungen

  3. Einführung: Aufbau • Bei Anlegen einer Spannung zwischen Gate und Bulk (Source) bildet sich ein Kondensator • Ab einer bestimmten Schwellspannung (Uth) bildet sich ein Kanal aus http://olli.informatik.uni-oldenburg.de/weTEiS/weteis/transistor.htm Projektlabor SS 07 - Robin Jerratsch

  4. MOSFET als Schalter: Kapazitäten & Induktivitäten • Gate-Source-Kapazität (CGS)‏ • Gate-Drain-Kapazität (CDG - Millerkapazität)‏ • Drain-Source-Kapazität (CDS)‏ • Eingangskapazität: • Ciss = CGS + CGD • Rückkopplungskapazität: • Crss = CGD • Ausgangskapazität: • Coss = CGD + CDS Projektlabor SS 07 - Robin Jerratsch

  5. MOSFET als Schalter: Freilaufdiode & Eingangswiderstand • RST stellt den Innenwiderstand der Ansteuerschaltung dar • PN Sperrschicht, die zur Source-Drain-Strecke parallel liegt, wirkt als Diode • Verhindert die Inversleitfähigkeit • Rückwärtserholzeit • Verlängert die Schaltzeit Projektlabor SS 07 - Robin Jerratsch

  6. Projektlabor SS 07 - Robin Jerratsch Datenblatt BUZ 11 • Parameter • Kennlinien • Temperaturkennlinien • Kennlinie in Bezug auf die Pulsweite • Ausgangskennlinien

  7. Schaltvorgänge: Einschalten Projektlabor SS 07 - Robin Jerratsch

  8. Projektlabor SS 07 - Robin Jerratsch Schaltvorgänge: Ausschalten • Hier verlaufen die Einschaltvorgänge in umgekehrter Richtung. • Dabei muss Qgtot mittels Steuerstrom aus dem Gate wieder abgeführt werden

  9. Projektlabor SS 07 - Robin Jerratsch Schaltvorgänge: Schaltverluste • MOSFETs haben generell sehr geringe Schaltverluste • Je höher die Frequenz desto niedriger die Verluste! • Genau während des Schaltens sind die Verluste am größten!

  10. Projektlabor SS 07 - Robin Jerratsch Treiberschaltungen • Haben großen Einfluss auf die Geschwindigkeit der Schaltvorgänge und demzufolge auf die Schaltverluste! • Prägen einen Steuerstrom bzw. eine Steuerspannung ein • Dieser Strom sollte ziemlich hoch sein (in der Regel bis 10A) um steile Schaltflanken zu erzielen.

  11. H.-D.Junge und G. Müller: Lexikon Elektrotechnik (1. Aufl., 1994), S. 416-417 http://www.referate10.com/referate/Technik/10/Der-MOSFET-als-Schalter-reon.php http://www.nessel.info/html/fet_b.htm http://www.sprut.de/electronic/switch/parts.html http://www.sprut.de/electronic/switch/nkanal/nkanal.html http://www.semikron.com/internet/index.jsp?language=de&sekId=229 www.wikipedia.de - Stichwort MOSFET Vielen Dank für Eure Aufmerksamkeit! Quellen: Projektlabor SS 07 - Robin Jerratsch

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