1 / 40

В.П.Кост ы лёв , В.Г.Литовченко, В.Ф.Мачулин, А.В.Саченко

Функциональные материалы для приборов и систем в энергетике, Москва, 28-30 сентября 2010 г. Разработка многобарьерных кремниевых фотоэлектрических преобразователей. В.П.Кост ы лёв , В.Г.Литовченко, В.Ф.Мачулин, А.В.Саченко

zenia-chaney
Download Presentation

В.П.Кост ы лёв , В.Г.Литовченко, В.Ф.Мачулин, А.В.Саченко

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Функциональные материалы для приборов и систем в энергетике, Москва, 28-30 сентября 2010 г.Разработка многобарьерныхкремниевых фотоэлектрическихпреобразователей В.П.Костылёв, В.Г.Литовченко, В.Ф.Мачулин, А.В.Саченко Институт физики полупроводников им.В.Е.Лашкарёва Национальной Академии Наук Украины 03028, Киев-28, пр. Науки, 41

  2. Доклад посвящён обзору результатов работ по разработке физических и физико-технологических основ создания высокоэффективных (КПД20%, АМ1,5) солнечных элементов (СЭ) на основе кремниевых многослойных структур с комбинированными диффузионно-полевыми барьерами космического и наземного назначения, выполненных в отделе физических основ полупроводниковой фотоэнергетики Института физики полупроводников им. В.Е.Лашкарёва НАН Украины.

  3. Особенность подхода:Высокоэффективные ФП случайбольших значений объёмного времени жизни неравновесных неосновных носителей заряда, (длина диффузии неосновных носителей заряда порядка, или больше толщины ФП), когда необходимо рассматривать и учитывать дополнительные механизмы генерационно-рекомбинационных процессов (поверхностный, Оже, экситонный, туннельный, излучательный), которыми до недавнего времени пренебрегали вследствие их малости по сравнению с объёмным механизмом Шокли-Рида-Холла.

  4. МНОГОСЛОЙНАЯ КРЕМНИЕВАЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНАЯСТРУКТУРА С ДИФФУЗИОННЫМИ БАРЬЕРАМИ p p+ Al n+ EC Si3N4 Si EI n+-Si EF p-Si EV p+-Si Al x d Wp+ Wn+ 0 W • Конструкция кремниевого СЭ дифузионного типа с базой р-типа и его зонная диаграмма • Недостатки: Большие рекомбинационные потери в эмиттерной области – рекомбинация Шокли-Рида, рекомбинация Оже  • В ИТОГЕ- низкая коротковолновая чувствительность

  5. + + + + + + + + + + + + + + + + + invn+ p+ p EC SiO2 EI Si + + Ns0+ + + EF EV x d Wp+ 0 W МНОГОСЛОЙНАЯ КРЕМНИЕВАЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНАЯСТРУКТУРА С ИНВЕРСИОННЫМИ (ПОЛЕВЫМИ) БАРЬЕРАМИ - А.П. Горбань, В.Г. Литовченко Позиционно-чувствительные планарные фотоэлементы на основе системы Si-SiO2 // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. - 1970. - Вып.4. - С.77-83. Al SiO2 inversionn+-Si p-Si n+-Si p+-Si Al Конструкция кремниевого СЭ инверсионного (полевого) типа и его зонная диаграма  Преимущества:Сильное приповерхностное поле, минимально возможная глубина залегания разделяющего барьера, минимизированная скорость поверхностной рекомбинации, отсутствие рекомбинации Оже и Шокли-Рида в эмиттере  высокая коротковолновая чувствительность Недостатки: большое сопротивление эмиттерной области ( 1 000 Ом/кв ) В ИТОГЕ – относительно низкие значения FF (0,72…0,76 на см2)

  6. p+ p SiO2 n++ n+ EC Si EI + + + + + + + + + + + + + + ++ ++ EF + + + + + + EV Ns0 0 x d Wp+ Wn W МНОГОСЛОЙНАЯ КРЕМНИЕВАЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНАЯСТРУКТУРА С КОМБИНИРОВАННЫМИ ДИФФУЗИОННО-ПОЛЕВЫМИ БАРЬЕРАМИ - А.П. Горбань, В.П. Костылёв, В.Г. Литовченко [и др.] Высокоэффективные диффузионно-полевые кремниевые солнечные элементы с термически окисленной поверхностью // : конф. “Физические проблемы МДП-интегральной электроники”. - Севастополь. - 1990. - С.58. Al SiO2+ Si3N4 Индуцирован-ный n++-Si n+-Si p-Si p+-Si Al Конструкция кремниевого СЭ дифузионно-полевого типа и его зонная диаграмма Объединены преимущества СЭ диффузионного и инверсионного (полевого) типов: Уменьшенный уровень легирования эмиттера избавляет от рекомбинационных потерь по механизмам Оже и Шокли-Рида, наличие слоя обогащения минимизирует скорость поверхностной рекомбинации высокая коротковолновая чувствительность, высокие значения FF

  7. p+ p SiO2 n++ n+ EC Si EI EF + + + + + + EV Ns0 0 x d Wp+ Wn W МНОГОСЛОЙНАЯ КРЕМНИЕВАЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНАЯСТРУКТУРА С КОМБИНИРОВАННЫМИ ДИФФУЗИОННО-ПОЛЕВЫМИ БАРЬЕРАМИ Конструкция кремниевого СЭ диффузионно-полевого типа с базой р-типа и его зонная диаграмма: 1 - фронтальный металлический гребёнчатый электрод (Al); 2 - просветляющий слой нитрида кремния товщиной 4050 нм; 3 - заряженный диэлектрический слой SiO2 толщиной до 30 нм; 4 - индуцированный n++-слой; 5 - диффузионный n+-слой; 6 - квазинейтральная базовая область (р-Si); 7 - диффузионный р+-слой - антирекомбинационный изотипный переход на тыльной поверхности; 8 - тыльная металлизация (Al); Wn и Wp+ - толщины индуцированного n++- и диффузионного тыльного р+-слоёв; Wp+-W и d- толщины квазинейтральной базы и СЭ

  8. Cолнечные элементы космического и наземного назначения на основе кремниевых многослойных структур с диффузионно-полевыми барьерами 2 МЕХАНИЗМЫ ФОРМИРОВАНИЯ РЕКОМБИНАЦИОННЫХ ТОКОВ В ПРЯМОСМЕЩЕННЫХ ВЫСОКОКАЧЕСТВЕННЫХ КРЕМНИЕВЫХ МНОГОСЛОЙНЫХ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ СТРУКТУРАХ 1 ВЛИЯНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ ИЗБЫТОЧНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА НА ЭФФЕКТИВНУЮ СКОРОСТЬ ПОВЕРХНОСТНОЙ РЕКОМБИНАЦИИ 3 ЭКСИТОННЫЕ ЭФФЕКТЫ В КРИСТАЛЛИЧЧЕСКОМ КРЕМНИИ И ИХ ВЛИЯНИЕ НА ПРОЦЕССЫ ФОТОЕЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЭНЕРГИИ 4 МЕХАНИЗМЫРЕКОМБИНАЦИИВ КРЕМНИЕВЫХ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ СТРУКТУРАХ С ПРОСТРАНСТВЕННО-НЕОДНОРОДНЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ РЕКОМБИНАЦИОННЫХ ЦЕНТРОВ 6 ОСОБЕННОСТИ ПРОСВЕТЛЕНИЯ И ПАССИВАЦИИ ФП С КОМБИНИРОВАННЫМИ ДИФФУЗИОННО-ПОЛЕВЫМИ БАРЬЕРАМИ 5 ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ФОТОЭФФЕКТОВ В СИСТЕМАХ SI-SIO2 С ТЕКСТУРИРОВАННОЙ ПОВЕРХНОСТЬЮ

  9. ВЛИЯНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ ИЗБЫТОЧНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА НА ЭФФЕКТИВНУЮ СКОРОСТЬ ПОВЕРХНОСТНОЙ РЕКОМБИНАЦИИ Уравнение интегральной нейтральности:

  10. S , см/с eff 7 10 15 10 14 p =10 16 10 p 5 10 Q >0 0 3 10 1 10 Q <0 -1 10 0 10 11 12 10 10 10 -2 N , см 0 ВЛИЯНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ ИЗБЫТОЧНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА НА ЭФФЕКТИВНУЮ СКОРОСТЬ ПОВЕРХНОСТНОЙ РЕКОМБИНАЦИИ nn=100 cm-3 Q0>0 1010 1014 1017 Q0<0 Рис. 2 Зависимости Seff(N0) для Q0 > 0 (1-3) и для Q0 < 0 (1'-3'). Δn=106 cм-3, pp =1014 (1,1'), 1015 (2-2') и 1016cм-3 (3-3'). Значения других параметров такие же, как на рис.1 Рис.1 Зависимости Seff от N0, рассчитанные для Q0 > 0 (1-4) и для Q0 <0 (1'-4'). pp= 1015cм-3, T=300K, Nt=1011cм-2, Et=0, Cn=Cp=10-9cм3/с, Δn= 100 (1,1'), 1010 (2-2'), 1014 (3-3') и 1017cм-3 (4-4').

  11. ВЛИЯНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ ИЗБЫТОЧНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА НА ЭФФЕКТИВНУЮ СКОРОСТЬ ПОВЕРХНОСТНОЙ РЕКОМБИНАЦИИ pp=1016 N0=31010 61010 1015 11011 1014 Рис.3 Температурные зависимости Seff для Q0 > 0 (1-3) и Q0 < 0 (1'-3'). pp= 1015cм-3, Δn= 106cм-3, N0=3 1010(1,1'), 61010 (2-2') и 11011 cм-2 (3-3'). Значения других параметров такие же, как на рис.1 Рис.4 Зависимости Seff от уровня инжекции Δn, при Q0 > 0 (1-3) и Q0 <0 (1'-3'). N0=61010 cм-2, pp= 1016 (1,1'), 1015 (2-2') и 1014cм-3 (3-3'). Значения других параметров такие же, как на рис.1

  12. ВЛИЯНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ ИЗБЫТОЧНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА НА ЭФФЕКТИВНУЮ СКОРОСТЬ ПОВЕРХНОСТНОЙ РЕКОМБИНАЦИИ • предлжен самосогласованный подход к рассмотрению поверхностных рекомбинационных потерь в высокоэффективных кремниевых СЭ, учитывающий влияние на Seffзарядовых и рекомбинационных характеристик ГР ДП, концентрации легирующих примесей в эмиттере и в базовой области, а также уровня инжекции неосновных носителей заряда. • пассивация поверхности базовой области кремниевой фоточувствительной структуры или сравнительно слабо легированного эмиттера диэлектрическим слоем, содержащим встроенный заряд того же знака, что и знак основных носителей заряда в прилежащем полупроводниковом слое, может привести к катастрофически сильному увеличению поверхностных рекомбинационных потерь вследствие образования приповерхностной ОПЗ, обедненной на основные носители заряда. • при образовании приповерхностных слоев обогащения или инверсииповерхностные рекомбинационные потери при малых уровнях инжекции существенно уменьшаются.

  13. ФИЗИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ КРЕМНИЕВОГО СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА. КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ФОТОЕЛЕКТРИЧНОГО ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЭНЕРГИИ ОСОБЕННОСТИ МОДЕЛИ: 1. Линейный уровень возбуждения: 2. Корректно учтена СПР. 3.  В n+ - и p+ - рекомбинация Оже. 4.  Механизмы рекомбинации в базе:  Шокли – Рида  межзонная Оже,  излучательная межзонная,  экситонная - излучательная, безызлучательная с участием примеси по механизму Оже 5. Отражение света внутрь ФП 6.  Поглощение света на свободных носителях в n+ - и p+ - в борновском приближении ( квантовая модель ) 7. Вырождение носителей в сильнолегированных n+ - и p+ - областях 8. Эффект сужения зон в сильнолегированных n+ - и p+ - областях jr front+ jr rare+ jr v = j g

  14. ФИЗИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ КРЕМНИЕВОГО СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА. КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ФОТОЕЛЕКТРИЧНОГО ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЭНЕРГИИ ОСОБЕННОСТИ МОДЕЛИ: 1. Линейный уровень возбуждения: 2. Корректно учтена СПР. 3.  В n+ - и p+ - рекомбинация Оже. 4.  Механизмы рекомбинации в базе:  Шокли – Рида  межзонная Оже,  излучательная межзонная,  экситонная - излучательная, безызлучательная с участием примеси по механизму Оже 5. Отражение света внутрь ФП 6.  Поглощение света на свободных носителях в n+ - и p+ - в борновском приближении ( квантовая модель ) 7. Вырождение носителей в сильнолегированных n+ - и p+ - областях 8. Эффект сужения зон в сильнолегированных n+ - и p+ - областях

  15. КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЭНЕРГИИ • Параметры • xn=10-5(1), • 310-5(2), • 510-5(3), • 710-5(4), • 10-4(5) см. • р0 = 1017 см-3, Р=31020 см-3 , xp=10-4 см, • r = 10-4 с, • d = 0,025 см, • m2 = 0,02, • m1 = 0,05. xn=10-5 3 10-5 5 10-5 7 10-5 10-4

  16. КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЭНЕРГИИ • Параметры • xn=10-4(1) • 210-5 (2) • 310-5 (3) cм. N=1019 см-3, Р=31020 см-3, xp=10-4 cм, • r = 10-4 с xn=10-4 xn=2 10-5 xn= 3 10-5 Оптимальные парам N = 1019 см-3, xn =10-4 см, p0 = 1017см-3, d = 2,5 10-2 см, m2 = 0,02, lп = 30 мкм .

  17. ВНЕШНИЙ ВИД СЭ с ДИФФУЗИОННО-ПОЛЕВЫМИ БАРЬЕРАМИ Солнечные элементы разной площади.

  18. СПЕКТРАЛЬНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ КРЕМНИЕВОГО ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ С КОМБИНИРОВАННЫМИ ДИФФУЗИОННО-ПОЛЕВЫМИ БАРЬЕРАМИ Амперваттная спектральная зависимость СЭ диффузионно-полевого типа с n-базой, просветленного слоем Si3N4 толщиной 47 нм.

  19. МНОГОСЛОЙНАЯ КРЕМНИЕВАЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНАЯСТРУКТУРА С КОМБИНИРОВАННЫМИ ДИФФУЗИОННО-ПОЛЕВЫМИ БАРЬЕРАМИ Типовая спектральная зависимость внешнего (1) и внутреннего (2) квантового выхода СЭ диффузионно-полевого типа с n-базой, просветленного слоем Si3N4 толщиной 47 нм. 3 – спектр внешнего квантового выхода диффузионного СЭ космического назначения

  20. СВЕТОВЫЕ ВАХ СЭ С ДИФФУЗИОННО-ПОЛЕВЫМИ БАРЬЕРАМИ КОСМИЧЕСКОГО НАЗНАЧЕННЯ • АМ1,5: • = 17,3% • АМ0: • = 14,8% Iкз = 294  0,93 мА; Jкз = 42  0,13 мА/см2; Vрк = 0,615  0,001 В; Кф = 0,778  0,01;  = 14,8  1,85 %; Iм = 281  0,93 мА; Jм = 40,1  0,13 мА/см2; Vм = 0,501  0,001 В; Рпад = 136 мВт/см2; SСЭ = 7 см2; T = 25,3  0,2 0С. Типичная СВАХ (в условиях АМ0) и фотоэнергетические параметры опытных образцов солнечных элементов, изготовленных на пластинах кремния р-типа проводимости.

  21. СВЕТОВЫЕ ВАХ СЭ С ДИФФУЗИОННО-ПОЛЕВЫМИ БАРЬЕРАМИ КОСМИЧЕСКОГО НАЗНАЧЕННЯ • АМ1,5: • = 18,3% • АМ0: • = 15,6% Iкз = 95,4  0,93 мА; Jкз = 41  0,40 мА/см2; Vрк = 0,645  0,001 В; Кф = 0,802  0,01;  = 15,6  1,95 %; Iм = 90,5  0,93 мА; Jм = 38,8  0,40 мА/см2; Vм = 0,546  0,001 В; Рпад = 136 мВт/см2; SСЭ = 2,33 см2; T = 25,1  0,2 0С. Типичная СВАХ (в условиях АМ0) и фотоэнергетические параметры опытных образцов солнечных элементов, изготовленных на пластинах кремния n-типа проводимости.

  22. СВЕТОВЫЕ ВАХ СЭ С ДИФФУЗИОННО-ПОЛЕВЫМИ БАРЬЕРАМИ КОСМИЧЕСКОГО НАЗНАЧЕННЯ I , мА 90 80 • АМ1,5: • = 18,4% • АМ0: • = 15,7% Iкз = 87,0  0,93 мА; Jкз = 43,5  0,46 мА/см2; Vрк = 0,615  0,001 В; Кф = 0,799 0,01;  = 15,7  0,55 %; Iм = 82,2  0,93 мА; Jм = 41,1  0,46 мА/см2; Vм = 0,52  0,001 В; Рпад = 136 мВт/см2; SСЭ = 2,0 см2; T = 25,3  0,2 0С. 70 60 50 40 30 20 10 0 0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 V , В Типичная СВАХ (условия АМ0) и фотоэнергетические параметры опытных образцов солнечных элементов с базой n-типа проводимости и с текстурированной фронтальной поверхностью

  23. I , A 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0 10 20 30 40 50 V , B СВЕТОВЫЕ ВАХ СЕКЦИЙ БФ С ДИФФУЗИОННО-ПОЛЕВЫМИ БАРЬЕРАМИ КОСМИЧЕСКОГО НАЗНАЧЕННЯ Sсекции= 0,12 м2 Sбатареи= 0,24 м2 Типичные СВАХ двух секций одной из изготовленных СБ космического назначения (условия АМ0, Р=1360Вт/см2, Т=250С).Pmax  200 Вт/м2   > 14,7% (АМ0)

  24. Внешний вид БФ КА КС5МФ2 “Микрон” Разработаны в рамках Национальной космической программы Украины для комплектации космических аппаратовкласса “микроспутник”

  25. Лётный комплект БФ КА КС5МФ2 “Микрон”

  26. ВНЕШНИЙ ВИД СБ с ДИФФУЗИОННО-ПОЛЕВЫМИ БАРЬЕРАМИ Разработаны по заказу МЧС Украины. Предназначены для комплектации профессиональной дозиметрической аппаратуры нового поколения, которая эксплуатируется в полевых условиях Солнечные батареи БФК-0.1-9

  27. ВНЕШНИЙ ВИД СБ с ДИФФУЗИОННО-ПОЛЕВЫМИ БАРЬЕРАМИ Разработаны по заказу МЧС Украины. Предназначены для комплектации профессиональной радиометрической аппаратуры нового поколения, которая эксплуатируется в полевых условиях Солнечная батарея БФК-2.0-3(6,9).

  28. НОВЫЕ РАЗРАБОТКИ Кремниевые фотопреобразователи с тыльным размещением разделяющих барьеров и токособирающих контактов

  29. Конструкция экспериментального образца кремниевого фотопреобразователя нового типас тыльным размещением токособирающих контактов Фотоприёмная поверхность Антирекомбинацонный изотипный n+-n переход Собирающий p+-n переход Пассивирующий SiO2 Антирекомбинационный изотипный n+-n переход Контактная металлизация

  30. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЙ ОБРАЗЕЦ КРЕМНИЕВОГО ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ С ТЫЛЬНЫМ РАЗМЕЩЕНИЕМ ТОКОСОБИРАЮЩЕЙ КОНТАКТНОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ Назначение:для использования в концентраторных гелиоэнергетических установках со степенью концентраци солнечного излучения до 100

  31. Спектральная зависимость фоточувствительности и квантового выхода кремниевого фотопреобразователя с тыльным размещением токособирающих контактов Просветление слоем SiO2толщиной 110 нм

  32. Мобильная солнечная электростанция Технические параметры БФ: Напряжение холостого хода, В 40,0 Ток короткого замыкания , A 5,5 Рабочее напряжение, В 36,0 Рабочий ток, A 5,0 Пиковая мощность, Вт 180 Вес (с системой ориентации), кг 20 КПД модуля, % 12-14

  33. Измерения и испытания ФП и БФ выполнены в Центре испытаний фотопреобразователей и батарей фотоэлектрических • ІФП им. В.Е.Лашкарёва НАН Украины • Центр испытаний фотопреобразователей и батарей фотоэлектрических • ІФП им. В.Е.Лашкарёва НАН Украиныединственный в Украине аттестован согласно Закону Украины • “О метрологии и метрологической деятельности” органами Госпотребстандарта Украины на проведение измерений электрических и фототехнических параметров фотопреобразователей и фотоэлектрических батарей

  34. Стендовая база Центра испытаний фотопреобразователей и батарей фотоэлектрических ІФП им. В.Е.Лашкарёва НАН Украины для проведения электрических и фототехнических испытаний БФ КА КС5МФ2

  35. Аппаратура импульсного тестирования фотоэлектрических батарей Технические параметры: - диапазон измерения величины напряжения на БФ - 0... 40 В; - диапазоны измерения величины тока через БФ - 0... 4 А, 0... 8 А; - длительность светового импульса – до 4 мс; - величина энергетической освещенности на поверхности БФ – до 1000 Вт/м2.

  36. Портативный измеритель фототехнических параметров солнечных элементов и фотоэлектрических батарей „Фотон-3” Технические параметры: диапазоны измерения величины напряжения на БФ - 0... 1В, 0... 10В, 0... 20В, 0... 50В; - диапазоны измерения величины тока через БФ - 0... 0.25А, 0... 1А, 0... 4А; - продолжительность процесса измерений – до 4 секунд. - габаритные размеры – 250х160х90 мм3.

  37. ИЗМЕРИТЕЛЬ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ОСВЕЩЁННОСТИ «ВЭО-01» Функциональные возможности и параметры:- диапазоны измерений энергетической освещенности – 0…2000 Вт/м2 , – 0…10000 Вт/м2;- приведенная относительная погрешность измерения энергетической освещенности не больше: в диапазоне 50…2000 Вт/м2 - 5в диапазоне 50…10000 Вт/м2 - 10%; - диапазон измерения температуры – 10-50С.

  38. В Украине принята государственная целевая научно-техническая программа “Создание химико-металлургической отрасли производства чистого кремния на протяжении 2009-2012 годов с привлечением частного (93%) и государственного (7%) финансирования общим объёмом 2,2 млрд. грн. (400 млн. USD) Программа предусматривает выпуск солнечного поликремниевого материала объёмом 2-3 тыс. т. к моменту её завершения. Основные производственные мощности располагаются в Запорожье (ЗТМК), а научное сопровождение осуществляет НАН Украины (Институт электросварки, Институт физики полупроводников и др.)

  39. Спасибо за внимание!

  40. ДЯКУЮ ЗА УВАГУ !

More Related