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第三章习题解答

第三章习题解答. 基本放大电路. 模拟电子习题 3. P 140 3.1.1 解题要点 : 先确定发射结 ( 三极管放大，则正向电压 0.2——0.3V 或 0.6——0.7V) 及集电极 , 就可以知道管子的材料及类型。 在本题中： A ：为集电极且电位最低，所以管子是 PNP 型， B—— 发射极， C—— 基极，三极管是锗材料。. 习题 3.1.2. 三极管各极电流关系： I E =I C +I B 所以， A 为集电极， B 为基极， C 为发射极。管子为 NPN 型，. 习题 3.1.4. I C =P CM ／ V CE =15mA

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  1. 第三章习题解答 基本放大电路

  2. 模拟电子习题3 P 140 3.1.1 解题要点:先确定发射结(三极管放大，则正向电压0.2——0.3V或0.6——0.7V)及集电极,就可以知道管子的材料及类型。 在本题中：A：为集电极且电位最低，所以管子是PNP型，B——发射极，C——基极，三极管是锗材料。

  3. 习题3.1.2 • 三极管各极电流关系：IE=IC+IB • 所以，A为集电极，B为基极，C为发射极。管子为NPN型，

  4. 习题3.1.4 • IC=PCM／VCE=15mA • 若IC=1mA，则VCE不得超过30V。

  5. 习题3.2.1 • 不能放大，电源接反、发射结短路。 • 能。 • 不能，Rb接错。 • 不能，VCC接反

  6. 习题3.2.2 • A位置：IB=(12-0.6)/40K=0.285mA, IC=22.8mA, VCE<0V，因此管子饱和，实际IC=3mA • B位置：IB=(12-0.6)/500K=0.0228mA, IC=1.824mA, VCE=4.7V，管子工作在放大区。 • C位置：发射结反偏，截止，IC=0。

  7. 习题3.3.2 • (a)：放大。 • (b)：放大。 • (c)：饱和。 • (d)：截止。 • (e)：饱和。

  8. 习题3.3.6 • VCC=6V, IBQ=20µA, ICQ=1mA, VCE=3V; • Rb=(VCC-0.7)/IBQ=265K(≈300K)，RC=(VCC-VCE)/ICQ=3K; • Vom=1.5V, • ibMAX=20µA

  9. 习题3.4.2 • IBQ=0.04mA, ICQ=2mA, VCEQ=4V • H参数等效电路 3. rbe=300+26×β/ICQ=950 4. AV=-50×RL’/rbe=-105 5. AVS=-AVRi/(Ri+RS)=-68.8

  10. 习题3.4.3 IB=IC/β＝1mA/20=0.05mA， Rb=12V/0.05mA=240K， rbe=300+26β/ICQ=820， |AV|=βRC/rbe>=100，得RC>=4.1K。VCE=12V-1mA×4.1K＝7.9V

  11. 习题3.4.4 1. 计算Q点： IBQ=-(12V-0.7)/0.3M=－0.038mA ICQ=-0.038β＝-3.8mA，VCEQ=-4.4V 2. H参数等效电路，图中rbe=984 • AV=-100×RL’/rbe，Ri=Rb//rbe≈rbe，Ro=2K • 截止失真，减小RB

  12. 习题3.4.5 • IBQ=(VCC-VBE)/R1, ICQ=βIBQ， VCEQ=VCC－ICQ(R2+R3) • AV=-βRL’/rbe，式中RL’=R2//RL Ri=R1//rbe Ro=R2 3. C3开路，AV, Ro都增大

  13. 习题3.5.1 • IBQ=(12-0.7)/750K=15µA, ICQ=0.015×60=0.9mA, VCEQ=12-0.9×6.8=5.88V; 2. 75度时，β＝75, VBE=0.6V， IBQ=(12-0.6)/750K=15.2µA, ICQ=0.0152×75=1.14mA, VCEQ=12-1.14×6.8=4.25V; 3. β=115, IBQ=15,ICQ=1.725mA, VCEQ=0.27V, 饱和

  14. 习题3.5.4 • VBE=10×Rb2/(Rb1+Rb2)=4.28V, IEQ≈ICQ=(4.28-0.7)/2K=1.79mA, VCEQ=10-1.79×(2K+2K)=2.84V, • rbe=1.75KΩ, AV1=-[ri/(ri+RS)]×βRL’/[rbe+(1+β)Re ] =-0.98× [ri/(ri+RS)], AV2≈ri/(ri+RS) 3. ri=Rb1//Rb2//(rbe+101×2K)≈8.5KΩ, 4. Ro1=2K, Ro2=[(RS//Rb1//Rb2+rbe)/(1+β)]//Re

  15. 习题3.6.2 • IBQ=(12-0.7)/(Rb+51×Re)=21.7µA, ICQ=βIBQ=1.086mA，VCEQ=-6.5V, rbe=1.5K • AV≈1, Ri=Rb//(rbe+51Re//RL)≈90K, Ro=Re//[(RS//Rb+rbe)/(1+β)]=39Ω • Vo=[Ri/(Ri+Ro)]×Av× Vs≈200mV

  16. 习题3.7.1 • |AVM|=60db=1000 (倍), fL=100Hz, fH=100MHz • f=fH=fL时，|AVM|=57db

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