1 / 13

Оборудование, используемое при реализации образовательных программ подготовки

Оборудование, используемое при реализации образовательных программ подготовки магистров в области проектирования и производства СБИС с топологическими нормами 90 нм. САПР компании Synopsys. Sentaurus Lithography. Optical EUV PWA E-beam.

zalika
Download Presentation

Оборудование, используемое при реализации образовательных программ подготовки

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript


  1. Оборудование, используемое при реализации образовательных программ подготовки магистров в области проектирования и производства СБИС с топологическими нормами 90 нм

  2. САПР компании Synopsys Sentaurus Lithography Optical EUV PWAE-beam УМК -Компьютерное моделирование процессов фотолитографии: Тема 1. Факторы, влияющие на формирование изображения в процессефотолитографической проекции. Тема 2. Математические модели формирования фотолитографического изображения. Тема 3. Методы оптической коррекции в фотолитографии. Тема 4. Калибровка модели фоторезиста.

  3. Измерительное оборудование Agilent, Tektronix Высокочастотная зондовая установка Cascade УМК - Особенности контроля технологических операций и межоперационного контроля СБИС Лабораторные работы: 1.«Тестовые структуры для контроля микро- и наноструктур в производстве СБИС». 2. «Контроль электрофизических параметров тестовых структур в производстве СБИС, анализ результатов контроля». УМК - Особенности создания тестовых структур СБИС Лабораторные работы: 1. «Методы контроля заряда в МОП-структуре». 2. «Исследование МОП-структур с поликремниевым затвором». 3. «Исследование МОП-структур с металлическими затворами». 4. «Исследование МОП-структур с силицидными затворами».

  4. Программный пакет приборно-технологического моделирования Synopsys (лицензия A-2007.12), США УМК - Технология спецсхем Лабораторные работы: 1. «Расчет напряжения пробоя элементов интегральных схем с использованием системы приборно-технологического моделирования TCAD». 2. «Расчет пробивного напряжения p-n-перехода с плавающими кольцами». 3. «Исследование латерального двухколлекторного биполярного магниточувствительного транзистора средствами программ TCAD».

  5. Малогабаритная вакуумная установка МВУ ТМ-ТИС осаждения тонких пленок методом термического испарения металлов в вакууме, Россия УМК - Технологические процессы наноэлектроники Лабораторные работы: 1. «Методы контроля заряда в МОП-структуре». 2. «Исследование МОП-структур с поликремниевым затвором». 3. «Исследование МОП-структур с металлическими затворами». 4. «Исследование МОП-структур с силицидными затворами».

  6. Установка плазмоактивируемого химического осаждения из газовой фазы «Corial D250», Франция УМК - Методы осаждения диэлектрических материалов Лабораторная работа: «Изучение процесса ПА ХОГФ пленок SiO2 и Si3N4, используемых в качестве пассивирующих покрытий ИС».

  7. Программно-аппаратный комплекс моделирования в среде TCADПлатформа TCAD Sentaurus Synopsys, v. E2011.09 УМК - Моделирование технологических процессов и наноразмерных структур Лабораторные работы: 1. «Приборно-технологическое моделирование параметризованных транзисторных структур с проектными нормами 90 нм». 2. «Моделирование технологических процессов с применением лазерного отжига». 3. «Приборное моделирование транзистора с плавниковой структурой (FinFET)». 4. «Приборное моделирование запоминающей ячейки».

  8. Программно-аппаратный комплекс моделирования в среде TCADПлатформа TCAD Sentaurus Synopsys, v. E2011.09 УМК - Базовая КМОП-технология Лабораторные работы: 1. «Базовый маршрут формирования КМОП-транзисторов с проектными нормами 90 нм. Одномерное моделирование». 2. «Базовый маршрут КМОП-транзисторов с проектными нормами 90 нм. Двумерное моделирование». 3. «Создание проекта базового маршрута в среде SWB». 4. «Моделирование параметризованного базового маршрута формирования КМОП-транзисторов с проектными нормами 90 нм».

  9. Программные пакеты САПР Cadence УМК – Проектирование низкочастотных аналоговых ИС с топологическими нормами 90 нм УМК – Проектирование блоков цифровых наноразмерных ИС УМК – Проектирование топологии КМОП АИС с наноразмерными элементами УМК – Проектирование и верификации СФ-блоков

  10. Малогабаритная вакуумная установка настольного типа МВУ ТМ Плазма-РИТ реактивно-ионного травления УМК - Внутриуровневые и межуровневые диэлектрики многоуровневой металлизации СБИС

  11. Электронно-ионный микроскоп Helios NanoLab 650, Голландия УМК - Методы диагностики наноразмерных элементов и структур Лабораторные работы: 1. «Исследование и диагностика геометрии наноразмерных структур СБИС методами растровой электронной микроскопии». 2. «Химический рентгеноспектральный микроанализ». 3. «Анализ и препарирование наноразмерных структур СБИС с применением ионного пучка».

  12. Зондовая установка Cascade Microtech PM5 Probe System УМК – Особенности контроля технологических операций и межоперационного контроля СБИС

  13. Эллипсометр HORIBA Jobin Ivon Auto Se System УМК – Особенности контроля технологических операций и межоперационного контроля СБИС

More Related