1 / 15

Silisyum K arbür Refrakterleri

Silisyum K arbür Refrakterleri. Üretimi. ( SiC ), sentetik bir hammadde dir. Acheson prosesine göre , elektrikli fırın ortamında ve yaklaşık 2000°C sıcaklığın üzerinde silis ve kok arasında gerçekleşen karbotermik reaksiyonla SiC bileşiği meydana gelir .

xena-hernandez
Download Presentation

Silisyum K arbür Refrakterleri

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. SilisyumKarbürRefrakterleri

  2. Üretimi • (SiC), sentetikbirhammaddedir. • Acheson prosesinegöre, elektriklifırınortamındaveyaklaşık 2000°C sıcaklığınüzerindesilisvekokarasındagerçekleşenkarbotermikreaksiyonlaSiCbileşiğimeydanagelir. • Bileşimi: silika, karbon ve genel tuz karışımı (% 50 Silika + % 40 Kok + %7 Silis tozu + % 3 Genel Tuz) şeklindedir. • Si O2 + 3C --------> SiC + 2 CO

  3. Çeşitleri 1)KilveyaSilikatBağlıSilisyumKarbür • Bağlayıcıolarakkullanılankil, pişmesırasındasıvıfazımeydanagetirmektedir. • Düşükviskozitelifazınyükseksıcaklıktamukavemetiolumsuzdur. 2)RekristalizeSilisyumKarbür (RSiC) • RekristalizeSiCüretiminde, iriveçokincefraksi-yonlardanmeydanagelenhammaddekarışımıkullanılır. • poroziteoranıyaklaşık % 15-18 gibiyüksekseviyedeolduğudanmekanikmukavemetveoksitlenmeyekarşıdirençözellikleridüşüktür.

  4. 3)NitrürbağlıSilisyumKarbür (NSiC) • Nitrürbağlısilisyumkarbür,SiC’ninazotortamındapirilmesisırasındasilisyumnitrür (Si3N4) bağoluşumusonucundaüretilir. • Sinterleme ile tamamen kapanmayan porozite şekillendirilip pişirme sonrasında işlemi ile %10-11 seviyesine kadar indirilir. 4)ReaksiyonBağlıSilisyumKarbür (RBSiC) • Reaksiyonbağlı olarak açıkporlarısilisyuminfiltrasyonuilekapatılmışsilisyumkarbürbünyeyapısınasahiptir. • Şekillendirilmesindeekstrüzyonveya slip dökümyöntemleriile hassasboyuttoleranslarınıneldeedilir. • Oksitlenmeyekarşıdineçleriçokyüksektir. • Yükseksıcaklıktaeğilmeyekarşıdaüstünmukavemetözelliğinesahiptirler.

  5. 5)YeşilSilisyumKarbür • Sertveçokkırılganbiraşındırıcıdır. Sertliğiyaklaşık 9.5 mohs' dur. • sert metal veseramikgibimalzemelerin, cam ve aside dayanıklıöstenitikiçyapılıçeliklerinişlenmesindekullanılır. 6)SiyahSilisyumKarbür • Çok sert ve dahaazkırılgandır. Sertliğiyaklaşık 9,5 mohs'dur. • Düşükçekmemukavemetinesahip metal vemetaldışımalzemelerilegridöküm, soğukdökmedemir, prinç, bronz, alüminyum, seramikmalzemelerinişlenmesindekullanılır.

  6. Fiziksel Özellikleri

  7. Kimyasal Özellikleri • -Çok sert, aşındırıcı • -Yüksek sürünme mukavemeti, termal şok dayanımı • -İndirgen atmosferde, erozyon ve kimyasal etkileşimlerine, karşı mükemmel bir direnç gösterir. • -Termal iletkenlik kristal yapıda çözünen safsızlıkların varlığından etkilenir.

  8. Kullanım alanları

  9. SiC Kullanım Alanları • Yüksek sıcaklıktaki (yeşil renk) silisyum karbür, yüksek performanslı seramiklerde sinter amaçlı kullanılırken, saflığın %97.5 veya daha düşük olmasında ise, söz konusu malzeme abrezif ve refrakter amaçlı olarak kullanılırlar. • Saflığın %90’ın altına düşülmesi durumunda ise metalurjik uygulamalarda kullanılır .

  10. SiC POTALAR • Silisyum karbür potalar, çok iyi ısı iletkenliğine sahiptir ve yüksek oksidasyona karşı dayanıklıdır. • Isının hızlı değiştiği işlemlere uygundur. • Silisyum karbür potalar mükemmel mekanik dayanıma sahiptir. Bu da potaları ağır metaller eritmeye uygun hale getirmektedir. • Flux tarafından oluşacak kimyasal etkilere karşı dayanıklıdır. • Standart Stabil potalar 700 ºC - 1400 ºC eritme sıcaklığında ergitme ve dinlendirme işleminde elektrikli ve fuel oilli ocaklarda kullanıma uygundur

  11. Montajdan sonra, yeni silisyum karbür (SIC) potalarının ısısı, 2 saat içinde 200 ºC 'ye yavaş yavaş çıkarılmalıdır. Akabinde mümkünse tüm güçle 950 ºC 'ye yükseltilmelidir. • Potanın ilk kullanımından sonraki ısıtmalarda, ısı doğrudan 950 ºC 'ye çıkarılmalıdır. Eğer pota uzun süre kullanılmamış ise ilk ön ısıtma talimatı uygulanmalıdır.

  12. SiC Tuğlalar • Uygulamalar: • Demir-çelik sanayinde, • çelik pota örmede, nozül, tıkaç, ergitme ocağı taban ve karın kısmı, demir döküm deliği, döner fırın çelik deliği, elektrikli fırın, susuz soğutma pisti. • Demir dışı metal sanayinde, damıtmada, ürün ayırma kulesinde tabla, elektrolit yan duvar, ergiyik metal borularında, pompa ve metal ergitmepotalarında. • Silikat sanayinde, tente ve alev gömleği, kutu ve kase gibi ısı yalıtım malzemesi olarak. • Kimya sanayinde, yağ ve gaz jeneratörlerinde kullanılır.

  13. KAYNAKLAR: • http://www.atestugla.com.tr/silisyum-karbur-refrakter-tuglalar.html • http://www.fetasmetalurji.com/v2/tr/urun_detay.php?lang_id=1&menu_id=3&urun_kategori_id=5&urun_id=5&yer=kategori • http://www.saykar.net/silisyum+karbur.html • http://www.metalurjik.net/seramikler/silisyum-karbur-kullanim-alanlari.html • HAZIRLAYANLAR: • 131 • 131 • 131

More Related