第 8 章 半导体传感器

1. 第8章 半导体传感器 8.1 气敏传感器 8.2 湿敏传感器 8.3 磁敏传感器 8.4 色敏传感器 8.5 半导体传感器的应用

2. 8.1 气敏传感器 8.1.1 半导体气敏传感器 ● 介绍气敏传感器的概念，种类； ● 按构成材料的特性 ，分为半导体和非半导 体两大类 ； ● 半导体气敏传感器可分为电阻型和非电阻 型两类, ● 电阻型与非电阻型检测气体的浓度功能的 不同

3. 8.1.1 气体传感器概论 一、气体传感器概念及组成 1、气体传感器------检测气体中特定成分，并将其转换为电信号 (如电阻、电流、电动势、电容、共振频率等) 2、主要组成-----敏感、识别与信号放大处理 。 3、主要类型-----电阻式半导体气体传感器、电容式陶瓷气体传感 器、电化学气体传感器等。

4. 二、气体传感器的技术要求 1、工作环境------气体传感器大多工作于恶劣环境中，敏感材料经过 一段时间后会变质、劣化。传感性能下降。 2、气体传感器性能要求 (1) 单一气体选择性，对共存的其他气体不敏感； (2) 灵敏度高，能检测规定浓度气体； (3) 响应速度快，再现性好； (4) 稳定性好； (5) 制造成本和使用价格低廉，具有普及性； (6) 维护方便。

5. 三、气体传感器分类 （一）、按机理分类 1、物理型传感器-------通过电流、电导率、光的折射率等物理量的变 化来实现检测；。 2、化学型传感器-----通过电化学反应引起物理量的变化进行检测。 （二）、按结构分类 3、干式传感器-------使用时必须加热，使电介质和催化剂长期处于 高温状态。往往会导致性能劣化。 4、湿式传感器-------电极表面浸入电解液中，根据化学反应所引起 的变化量(包括颜色的变化，离子量的变化，电 流的变化等)来进行检测。。

6. （三) 、按检测方式分类 1、半导体式------金属氧化物表面吸附气体分子，或与吸附气体反应引起 半导体电导率的变化 2、接触燃烧式 ----根据气体的接触燃烧热所引起的检测元件的温 升和电阻变化测气体体积浓度 3、固体电解质式----利用气体引起固体电解质电动势变化检测气体 体积浓度 4、场效应晶体管------利用气体引起的FET电压、电容变化检测气体 体积浓度 5、溶液电化学式 -----利用溶液中电化学反应，将被测量变换成电极 电势变化的气体传感器

7. (三) 、按检测方式分类 6、晶体振动式 -----利用气体吸附引起晶格振子及其涂敷膜共振额率变 化进行检测 7、光干涉式 ----以气体对光的折射率差别所引起的干涉条纹移动量 来检测 8、热导率式 ------由于气体的热导率不同，会导致检测元件的温度 和电阻变化。以此测量气体体积浓度 9、红外线吸收式 -----根据气体的红外线嗳收光谱的波长不同和吸收 量差异来检测气体的种类和体积浓度

8. 表8.1半导体气敏传感器的分类

9. 四、半导体气敏材料与传感器发展概况 1、气敏传感器发展---材料科学研究的发展概况 2、N 型半导体气敏材料----主要载流子是电子，常用Sn02、 Fe2O3、ZnO等； 3、P 型半导体气敏材料----主要载流子是空穴，常用NiO、 CuO、LaFeO3等。 4、发展趋势——一 维纳米材料气敏材料， 纳米气敏传感器， 小型化、集成化、智能化、多功能化

10. 五、气敏传感器应满足下列要求： • 具有小的交叉灵敏度； • 具有较高的灵敏度和较宽动态响应范围 • 性能稳定，传感器特性不随环境温度﹑湿度的变化而发生变化 ； • 重复性好，易于维护等。

11. 8.1.2 半导体气敏传感器工作机理 • 电阻型半导体气敏传感器工作机理可以用吸附效应来解释 • 气体接触N型半导体时所导致的敏感器件阻值变化的情况，如图所示；

12. 8.1.3 半导体气敏传感器主要参数 ▲ 敏感元件固有电阻Ro和工作电阻Rs ▲ 灵敏度， 表征对被测气体敏感程度，如下公式表示： Rs(C2) ：代表检测气体为S ，浓度为C2时的器件电阻值 ；Rs(C1) ：表示检测气体为S，其浓度为C1时器件电阻值

13. ▲选择性：表示气体传感器对被测气体的识别(选择) 以及对干扰气体的抑制能力，如下式表示： SA/B-传感器对A气体的选择性系数； KA-传感器在单纯A气体中的灵敏度 ； KB-气体传感器在单纯B气体中的灵敏度。 ▲响应时间：表示气敏器件对被检测气体响应速度； ▲ 恢复时间 ：表示气敏元件对被测气体的脱附速 度，用trec表示 。

14. 8.1.4 半导体气敏传感器的结构 半导体气敏传感器结构分为烧结型、薄膜型和厚膜型 1 烧结型气敏器件的结构，如图8.2示： 图8.2 烧结型半导体气敏传感器结构

15. （1) 直热式烧结型气体传感器 将加热元件与测量电极一同烧结在氧化物材料及催化添加剂的混合体内，加热元件直接对氧化物敏感元件加热

16. （2）旁热式烧结型气敏传感器 采用陶瓷管做基底，将加热元 件装入陶瓷管内，而测量电极、 氧化物材料及催化添加剂则烧 结在陶瓷管的外壁，加热元 件经陶瓷管璧均匀地对氧化物 敏感元件加热。 （3）主要特点 响应速度较快，但机械强度差，一致性能差异大。

17. 薄膜型半导体气敏传感器结构 2 薄膜型气敏传感器结构 图8.3 薄膜型半导体气敏传感器结构

18. 2 薄膜型 （1）薄膜型传感器 以石英或陶瓷为绝缘基片，在基 片的一面镀上加热元件．在基片 的另一面镀上测量电极及氧化物 半导体膜。 （2）主要特点 传感器一致性好 传感器的机械强度较高， 制造过程需要复杂、成本较高。

19. 厚膜型半导体气敏传感器结构 3 厚膜型气敏传感器 图8.4 厚膜型半导体气敏传感器

20. 3．厚膜型 （1）厚膜传感器制作 是先将氧化物材料与一定比例的黏合剂混合，并加入适 量的催化剂制成糊状物，然后将该糊状混合物用丝网印 刷工艺印到已印制好加热元件和金叉指电极的陶瓷基片 上。待自然干燥后，置于高温中煅烧而成。 （2）主要特点 机械强度高、各传感器的重复性好、而且生产工艺简 单、成本低

21. 4 特点与特性 ★ 上述三种气敏传感器的共同之处是皆附有加热 丝，加热的方式有直热式和旁热式 ★ 气敏传感器的电阻变化率与气体浓度变化有关 ★ 气敏传感器受环境温度、湿度影响

22. ★气敏传感器电阻变化率与气体浓度变化关系

23. ★SnO2半导体气敏传感器温度特性

24. MOS二极管气敏元件结构、等效电路 非电阻型半导体气敏传感器的结构

25. 等效电路函数关系曲线

26. 8.2 湿敏传感器 8.2.1 湿度表示方法 ★ 绝对湿度：单位空气里所含水蒸气质量 定义式为 Mv为待测； V为待测空气的总体积； 为待测空气的绝对湿度其单位为 或 ★ 湿度------是指大气中所含的水蒸气量, 常用 绝对湿度、相对湿度表示

27. 8.2 湿敏传感器 ★ 相对湿度---- 空气中所含水蒸气分压和在相同温度下饱和水 蒸气分压之比 其定义为： 相对湿度= Pv 为空气温度为t℃时的空气水蒸气分压； Pw 为空气温度为t℃时的饱和水蒸气分压．

28. 8.2.2 敏传感器特性参数 ☆ 湿度量程:在规定的精度内能够测量的最大范围 ☆ 感湿特性:表示感湿特征量（电阻）随被测相对湿度 变化的规律。 图8.9二氧化钛/五氧化二钒湿

29. ▲灵敏度 湿敏传感器输出增量与输入增量之比 ▲湿度温度系数 感湿待性曲线随环境温度变化而改变的特性参数 ,其定义如下: Ｔ——绝对温度； Ｋ—感湿特征量； -一湿度温度系数， 其单位为％RH／ CO3O4-TiO2湿敏传感器温度特性

30. ◆ 响应时间 在规定的环境温度下，由起始相对湿度达到稳定相对湿度时，感湿特征量由起始值变化到稳定相对湿度对应值所需要的时间。 其定义如下: ΔR为对应于Δ(RH)的输出量的稳定值,τ称为时间常数

31. ◆ 湿滞回线和湿滞回差 传感器的吸湿特性曲线与脱湿特性曲线不一致而形成回线

32. 8.2.3 半导体陶瓷湿敏电阻 1 半导体陶瓷湿敏电阻导电机理 (1) 负湿敏特性的半导体陶瓷导电机理 当水分子在半导体表面吸附时，将从半导体陶瓷表面俘获电子，使其表面带负电， 从而有更多的空穴到达其表面，使表面层的电阻下降。

33. 8.2.3 半导体陶瓷湿敏电阻 1 半导体陶瓷湿敏电阻导电机理 半导体陶瓷湿敏电阻的负湿敏特性 半导体陶瓷湿敏电阻的负湿敏特性

34. (2) 正湿敏特性的半导体陶瓷导电机理 ● 当水分子吸附在正湿敏特性半导体陶 瓷 材料的表面时，导致其表面层电子浓度 下降 ● 但仍以电子导电为主，于是表面电阻将 由于电子浓度的下降而加大，从而使表 面电阻随湿度的增加而加大。

35. 半导体陶瓷湿敏元件的正湿敏特性, 图8.13 半导体陶瓷湿敏电阻正湿敏特性

36. 2 常用半导体湿敏元件 （1）烧结型半导体陶瓷湿敏电阻 半导体陶瓷湿敏传感器结构及等效电路示意图, 图8.14 烧结型半导体陶瓷湿敏元件结构

37. （2）涂覆膜型Fe3O4湿敏元件 ,由金属氧化 物微粒经过堆积、粘结而成的材料; （3）ZnO-Cr2O3陶瓷湿敏元件,结构是将多孔材料的电极烧结在多孔陶瓷圆片的两表面上，并焊上铂引线，然后将敏感元件装在有网眼过滤的方形塑料盒中并用树脂固定

38. 8.3 磁敏传感器 将通以电流的导体放在均匀磁场中， 运动的载流子受到洛伦兹力的作用而发生偏转，使电流通过的距离变长，载流子散射几率增大，迁移率下降，于是电阻率增加，这种现象称为磁阻效应。 ●磁阻效应 表达式如下: —磁感应强度为B的电阻率; —零磁场下的电阻率； μ—电子迁移率;B—磁感应强度.

39. 8.3 磁敏传感器 电阻率变化 电阻相对变化为

40. 磁敏电阻的形状 电阻率的相对变化与磁感应强度和电子迁移率的关系可近似用下式表示 L、b—分别为电阻的长度和宽度; —形状效应系数 磁敏电阻形状如图8.15所示

41. 磁敏电阻的形状 磁敏电阻形状如图所示

42. 磁阻与磁感应强度及几何尺寸的关系

43. 磁敏电阻特性 在低磁场范围内，其电阻值与磁场强度的平方成正比关系.

44. 8.3.2磁敏二极管 1 结构 磁敏二极管(SMD)的结构 在高阻半导体芯片（本征区I）的两端，分别制作P、N两个电极，形成P-I-N结

45. 图8.19 磁敏二极管工作原理 8.3.2 磁敏二极管 2 工作原理 ● 未加磁场前，如果外加正偏压，则有大量 的空穴从P区通过I 区进入N区（图a) ●同时应有大量电子注入P区，形成电流 ● 只有少量电子和孔穴在I区复合

46. 图8.19 磁敏二极管工作原理 8.3.2 磁敏二极管 2 工作原理 ● 受到外界磁场作用时，电子和空穴都受到洛仑兹 力的作用而偏转（图b) ● 此时电子和空穴向r区偏转，在r区电子和空穴复 合的速度很快，它们将因复合而消失， ● 此时电流很小，电阻增加。

47. 图8.19 磁敏二极管工作原理 8.3.2 磁敏二极管 2 工作原理 ● 当受到负向磁场作用时，电子和空穴则向另一面偏转(图c) ● 此时它们的复合率变小，可使电流增大，电阻减小，

48. (1)磁电特性 3 磁敏二极管的主要特性 在给定条件下，磁敏二极管输出的电压变化与外加磁场的关系

49. (2) 伏安特性 3 磁敏二极管的主要特性 磁敏二极管正向偏压与通过其电流的关系

50. 3 磁敏二极管的主要特性 (3) 灵敏度 在恒流源偏置下，磁敏二极管的输出电压随磁感应强度B变化而产生的相对变化定义为电压相对灵敏度KL U0—磁感应强度为零时，磁敏二极管两端的电压; UB—磁感应强度为B时，磁敏二极管两端的电压