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知识 5 阻容耦合多级放大电路. 一、两级阻容耦合放大电路 二、电压放大倍数的计算 三、频率特性. 负载. 信号源. 第二级. 第 n 级. 第一级. 输入级. 功放级. 前置级. 多级放大电路的组成. 耦合方式:直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。. + V CC. 3.3k Ω. 33k Ω. 3.3k Ω. 33k Ω. R C2. R C1. R B22. R B21. C 3. C 2. +. +. +. C 1. U B. +. 50μF. VT 2. 50μF. VT 1. 5k Ω.
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知识5 阻容耦合多级放大电路 • 一、两级阻容耦合放大电路 • 二、电压放大倍数的计算 • 三、频率特性
负载 信号源 第二级 第n级 第一级 输入级 功放级 前置级 多级放大电路的组成 耦合方式:直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。
+VCC 3.3kΩ 33kΩ 3.3kΩ 33kΩ RC2 RC1 RB22 RB21 C3 C2 + + + C1 UB + 50μF VT2 50μF VT1 5kΩ + 50μF RL 10kΩ 10kΩ uo + + ui RB11 CE1 RB12 CE2 RE2 RE1 200μF 200μF 1.5kΩ 1.5kΩ - - 一、两极阻容耦合放大电路 第二级 第一级 负载 每级的静态工作点单独计算。
第二级 第一级 β2ib2 + β1ib1 + RB12 RB22 uo RL RC1 RC2 rbe2 RB11 RB21 rbe1 ui +VCC - 3.3kΩ 33kΩ 3.3kΩ 33kΩ RC2 RC1 RB22 RB21 C3 C2 + + + C1 UB + 50μF VT2 50μF VT1 5kΩ + 50μF RL 10kΩ 10kΩ uo + + ui RB11 CE1 RB12 CE2 RE2 RE1 200μF 200μF 1.5kΩ 1.5kΩ - - 二、电压放大倍数的计算 -
第二级 第一级 β2Ib2 + β1Ib1 + RB12 RB22 Uo RL RC1 RC2 rbe2 RB11 RB21 rbe1 Ui - - Ib2 Ib1 + + + β1Ib1 + β2Ib2 RB12 RB22 rbe2 RL Uo2 Ri2 RB11 RB21 rbe1 Ui2 RC1 Uo1 Ui1 RC2 - - - - • 后级的输入电阻Ri2作为前级的负载 • 后级的输入电阻为 Ri2=RB12//RB22//rbe2 第一级电路的交流总负载为 RC1// Ri2=RC1//RB12//RB22//rbe2
第一级电压放大倍数 两级总电压放大倍数为 第二级电压放大倍数
VCC=+20V 200kΩ 500kΩ 3kΩ 6kΩ RC2 RC1 RB2 RB1 C2 C3 + + C1 + VT2 VT1 + - 2kΩ + - uo2 RL ui1 Ib2 Ib1 + - β2Ib2 + - β1Ib1 RB2 Uo2 RL RC1 RC2 RB1 rbe1 Ui1 rbe2 计算两级放大电路的总电压放大倍数、输入、输出电阻。 rbe1=1k,rbe2=0.6k,β1=β2=40
Ib2 Ib1 + - β2Ib2 + - β1Ib1 RB2 Uo2 RL RC1 RC2 RB1 rbe1 Ui1 rbe2
Au Aum 0.707Aum f 0 fL fH 通频带 φ 0o f -90o 45o -180o 45o -270o 三、频率特性 幅频特性 放大电路放大倍数的大小与信号频率之间的关系称为幅频特性,而相移与频率之间的关系称为相频特性,统称频率特性或频率响应。 相频特性
Au Aum 0.707Aum f 0 fL fH 通频带 在低频区,放大倍数(增益)随频率的降低而降低。在中频区,增益基本不随频率而变。在高频区,增益随着频率升高而下降。定义低频区在放大倍数下降到0.707Aum时的频率为下限频率,用ƒL表示。定义高频区放大倍数下降到0.707Aum时的频率为上限频率,用ƒH表示。而定义上限与下限频率之间的频率范围称为通频带。 放大倍数在低频区下降的原因主要是耦合电容和旁路电容的阻抗增大的缘故。高频区放大倍数下降的原因主要是由于晶体管的β值随频率升高而减小的缘故。