220 likes | 353 Views
ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΝΑΝΟΝΗΜΑΤΩΝ ΠΥΡΙΤΙΟΥ. Λασπάς Θεόδωρος Υπεύθυνος Καθηγητής: Δ. Τσουκαλάς. ΕΙΣΑΓΩΓΗ.
E N D
ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΝΑΝΟΝΗΜΑΤΩΝ ΠΥΡΙΤΙΟΥ Λασπάς Θεόδωρος Υπεύθυνος Καθηγητής: Δ. Τσουκαλάς
ΕΙΣΑΓΩΓΗ Μια από τις βασικές αιτίες ανάπτυξης των νανονημάτωνπυριτίου(SiNW) ήταν η ανάγκη κατασκευής όλο και μικρότερων και αποδοτικότερων στοιχείων για την περαιτέρω ανάπτυξηλογικών κυκλωμάτων υψηλής απόδοσης,αισθητήρων, μικροεπεξεργαστών.
ΝANONHMATA • Ταξη μεγέθους 10-9m • Κβαντικό νήμα (1-D) • Επικρατούν φαινόμενα κβαντικού περιορισμού • Κβάντωση αγωγιμότητας ακέραιο πολλαπλάσιο της τιμής 2e2/h ≈ 12.9 kΩ-1
ΠΡΟΤΕΡΗΜΑΤΑ • Καλές ηλεκτρικές ιδιότητες • Ευελιξία διαμόρφωσης ιδιοτήτων in-situ • Πολύ καλά καθορισμένα μορφολογικά χαρακτηριστικά κατά την ανάπτυξή τους • Δυνατότητα μαζικής παραγωγής
ΤΡΟΠΟΣ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗΣ • Υπάρχουν 2 μέθοδοι προσέγγισης για την ανάπτυξη ΝW • bottom-up και top-down • Στην ανάπτυξη NW-FET έχει επικρατήσει η bottom-up προσέγγιση λόγω των πλεονεκτημάτων στον έλεγχο που παρέχει στην κρυσταλλική δομή,στις διαστάσεις και τη δυνατοτητα κατασκευής ετεροδομών κατά την παραγωγή τους
ΤΡΟΠΟΣ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗΣ Ο πιο καθιερωμένος τρόπος παραγωγής Si-NW είναι η VLS (vapor-liquid-solid) διαδικασία ανάπτυξης. Πυρίτιο σε μορφή ατμών προσροφάται από νανοσυστάδες χρυσού (Au) σε υγρή φάση, οι οποίες έχουν εναποτεθεί σε υπόστρωμα πυριτίου, αναπτύσοντας έτσι κρυσταλλικά νανονήματα.
ΤΡΟΠΟΣ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗΣ • Το πυρίτιο σε αέρια φάση παρέχεται με διάφορες διαδικασίες • CVD (χημική εναπόθεση ατμών) • CBE (χημική επιταξεία δέσμης) • Laser ablation
ΤΡΟΠΟΣ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗΣ Ιδιαίτερα δημοφιλής είναι η CVD. Ακριβής ρύθμιση κατά τη διάρκεια της ανάπτυξης • Διαμέτρου • Μορφολογίας • Προσμίξεων • Ηλεκτρικών ιδιοτήτων Κρυσταλλικό Si-ΝW κατασκευασμένο με VLS
Συνήθης διεύθυνση ανάπτυξης νανονημάτων (111) και (100)
Αντίσταση 2 νανονημάτων για θερμοκρασία 300 K. Ο κύκλος και το τετράγωνο αντιστοιχούν σε πάχος νήματος 6.5 nm και 9.7 nm αντίστοιχα
SiNW-FET • Σκοπό είναι επίτευξη δημιουργίας πύλης SiNW μήκους ~ 10 nm • Ηλεκτροστατικώς, το NWFET περιγράφεται επιτυχώς από την Poisson (1-D). Το λ αναφέρεται σαν ένα μέτρο του πόσο αποτελεσματικά το δυναμικό της πύλης Φgs διαμορφώνει το Φf (επιφανειακό δυναμικό) λ=
SiNW-FET • Για να περιοριστούν τα φαινόμενα βραχυκύκλωσης μεταξύ πηγής και απαγωγού (short-channel effects) πρέπει το μήκος του νανονήματος να συσχετίζεται με το λ ως εξής: L ~10 λ
SiNW-FET Μια απλή προσέγγιση για την κατασκευή SiNW-FET είναι η τοποθέτηση του πάνω σε ένα υπόστρωμα οξειδίου πυριτίου συνδέοντας τα άκρα του με μεταλλικές επαφές που δρούν σαν πηγή και απαγωγός αντίστοιχα.
SiNW-FET Αρχικά αναπτύσσεται το οξείδιο της πύλης γύρω από το νανονήμα. Στη συνέχεια αφαιρείται το οξείδιο με etching από τα άκρα ώστε εναποθέτοντας το Ni να δημιουργηθούν διεπαφές μετάλλου/ημιαγωγού (πηγή και απαγωγός).
SiNW-FET Τρεις διαφορετικές διαμορφώσεις διατάξεων NW-FEΤ: (a) back gate (b) ημικυλινδρικού top gate και (c) κυλινδρικού gate-all-around
SiNW-FET Μια διαφορετική προσέγγιση κατασκευής NW-FETείναι η κατασκευή νανονήματος ετεροδομής Ge/Si.Εδώ αναπτύσεται με επιταξία φλοιός πυριτίου πάνω σε πυρήνα γερμανίου (διαμέτρου ~10 nm). Λόγω ενεργειακής διαφοράς τωνζωνών σθένους (~0.5 eV) δημιουργείται Ωμική επαφή
Χαρακτηριστικές Ιd-Vd Ge/Si NWFET για μήκη (a) L =1mm και (b) L =190nm Τα διάφορα χρώματα υποδεικνύουν διαφορετικές τιμές Vds
ΑΛΛΕΣ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ • ΑΝΑΠΤΥΞΗ ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΜΕ ΧΡΗΣΗ NW • ΕΦΑΡΜΟΓΗ ΣΕ ΣΥΣΤΟΙΧΕΙΕΣ Li-ion ΜΠΑΤΑΡΙΩΝ • ΧΡΗΣΗ ΣΕ ΒΙΟΕΦΑΡΜΟΓΕΣ • ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΝΑΝΟΑΙΣΘΗΤΗΡΩΝ
ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΙΚΑ • ΠΟΛΥ ΜΙΚΡΕΣ ΔΙΑΣΤΑΣΕΙΣ • ΜΙΚΡΟΤΕΡΗ ΔΙΑΔΡΟΜΗ ΦΟΡΕΩΝ • ΑΠΟΔΟΤΙΚΟΤΕΡΗ ΣΥΛΛΟΓΗ ΦΟΡΕΩΝ • ΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΝΑΝΟΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
ΜΠΑΤΑΡΙΕΣ Li-ion • ΑΥΞΗΣΗ ΤΗΣ ΧΩΡΗΤΙΚΟΤΗΤΑΣ ΦΟΡΤΙΟΥ • ΑΥΞΗΣΗ ΤΗΣ ΔΙΑΡΚΕΙΑΣ ΛΕΙΤΟΥΡΓΕΙΑΣ ΜΕΧΡΙ ΚΑΙ 10 ΦΟΡΕΣ • ΔΙΑΤΗΡΗΣΗ ΤΩΝ ΙΔΙΟΤΗΤΩΝ ΚΑΤΑ 90% ΜΕΤΑ ΑΠΟ ΑΡΚΕΤΕΣ ΧΡΗΣEIΣ • ΑNΤΙΚΑΤΑΣΤΑΣΗ ΑΝΟΔΩΝ ΜΕ CORE/SHELLSiNW ΑΝΤΙ ΓΡΑΦΙΤΗ
ΜΠΑΤΑΡΙΕΣ Li-ion • ΑΝΑΠΤΥΣΟΝΤΑΙ ΑΠΕΥΘΕΙΑΣ ΠΑΝΩ ΣΤΟ ΣΥΛΛΕΚΤΗ • ΠΥΡΗΝΑΣ ΑΠΟ ΚΡΥΣΤΑΛΛΙΚΟ ΠΥΡΙΤΙΟ • ΕΞΩΤΕΡΙΚΟΣ ΦΛΟΙΟΣ ΑΠΟ ΑΜΟΡΦΟ ΠΥΡΙΤΙΟ
ΒΙΟΕΦΑΡΜΟΓΕΣ • ΑΝΑΠΤΥΞΗ ΝΑΝΟΝΗΜΑΤΩΝ ΠΑΝΩ ΣΕ ΚΥΤΑΡΑ • ΜΗ ΤΟΞΙΚΑ • Π.Χ. ΧΡΗΣΗ ΣΤΗΝ ΑΝΑΠΤΥΞΗ ΟΣΤΩΝ • ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΒΙΟΑΙΣΘΗΤΗΡΩΝ