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Cr- アセチリド - テトラチアフルバレン型錯体による フェリ鎖を基本構造に持つ磁性結晶の開発

Cr- アセチリド - テトラチアフルバレン型錯体による フェリ鎖を基本構造に持つ磁性結晶の開発. 分子研  西條 純一. Cr- アセチリド -TTF 系錯体 [CrCyclam(C  CMeEDT-TTF) 2 ] n+. 特徴. ・配位子の TTF 部位を酸化可能 ・生じたスピンが Cr 3+ 上のスピンと強く相互作用  ( 2 J / k B ~ -30 K ) ・隣接分子の TTF 部位がスタック出来る    → 分子間でスピンと電荷の非局在化が可能. 1 次元鎖内での強い相互作用は実現. …… では鎖間は?.

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Cr- アセチリド - テトラチアフルバレン型錯体による フェリ鎖を基本構造に持つ磁性結晶の開発

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  1. Cr-アセチリド-テトラチアフルバレン型錯体によるCr-アセチリド-テトラチアフルバレン型錯体による フェリ鎖を基本構造に持つ磁性結晶の開発 分子研  西條 純一

  2. Cr-アセチリド-TTF系錯体 [CrCyclam(CCMeEDT-TTF)2]n+ 特徴 ・配位子のTTF部位を酸化可能 ・生じたスピンがCr3+上のスピンと強く相互作用  (2J / kB~ -30 K) ・隣接分子のTTF部位がスタック出来る    → 分子間でスピンと電荷の非局在化が可能

  3. 1次元鎖内での強い相互作用は実現 ……では鎖間は? スタックを利用し,強い鎖間相互作用を目指す 系を持つ磁性分子 (ラジカル,配位子) スタックを介した強い分子間相互作用  

  4. 結晶作成 電解酸化 (0.4 A, 1-2 week)

  5. [CrCyclam(CCMeEDT-TTF)2][TCNQ]3 +0.75 1/2 -0.75 3/2 -0.5 (×2) 0(Singlet) ・スタックが実現 ・結合長からの電荷を見積もる → TCNQ-TTFのペア(Singlet, スピンの消失)

  6. 磁化率測定 ・S = 3/2(Cr3+)と1/2(TCNQ2-)の和 ・相互作用は小さい スタックは実現できたが 相互作用が強すぎSingletに

  7. 他のS = 1/2のアニオンを使った場合も同様の結果 + 様々な組み合わせで,非常に強い相互作用でSinglet化

  8. S = 1/2の系磁性アニオンとの組み合わせでは, TTF部位のスピンとの相互作用が強すぎてSingletに より大きなスピンを持つアニオンを用いる

  9. [CrCyclam(CCMeEDT-TTF)2][Cr(phen)(NCS)4]2(Acetone)2(Toluene)[CrCyclam(CCMeEDT-TTF)2][Cr(phen)(NCS)4]2(Acetone)2(Toluene) (TTF)2+とアニオンの系の間に重なりを持つ

  10. 構造から推定されるスピン構造 [Cr(phen)(NCS)4]- Cr3+ (TTF)2+ (隣接する1次元鎖と弱く相互作用)

  11. 磁化率測定 ・TN = 4.8 Kのソフトなフェリ磁性体 ・Cr3+ - (TTF)2+ - 2[Cr(phen)(NCS)4]- (3B - 1B + 2×3B = 8B)

  12. 分子場で相互作用を大雑把に見積もる 2J' / kB~ -4 K [Cr(phen)(NCS)4]- Cr3+ (TTF)2+ 既知の系の結果から 2J / kB = -28 K J'

  13. まとめ [CrCyclam(CC-TTF)2]n+系錯体 + 系を持つ磁性アニオン 強い鎖間相互作用&高い転位温度を狙う ・スタック → 強い分子間相互作用 「潜在的には」高い転位温度が可能 ・しかし,S = 1/2のアニオンはSingletペアを形成 部分的に非磁性化,磁気転移が期待出来ない ・S≧ 1のアニオンなら,Singlet化せずに相互作用が実現 今後S≧ 1の遷移金属錯体を対アニオンとし物質開拓を行う予定

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