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第一單元 數 位 IC 特性 ( 教科書第一章 )

第一單元 數 位 IC 特性 ( 教科書第一章 ). 數位系統實驗 http://140.127.194.152. Outline. TTL IC 特性 CMOS IC 特性. 數位積體電路 (p.1). 數位電路用來執行邏輯運算 , 可由雙載子或場效應電晶體元件構成。 僅工作在飽和 (ON) 及截止 (OFF) 二種狀態 處理信號只有高電位 (HI) 和低電位 (LO) ,用來表示數位邏輯的 1 和 0 。 目前最常用兩個族群 TTL (Transistor-Transistor Logic)

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第一單元 數 位 IC 特性 ( 教科書第一章 )

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Presentation Transcript


  1. 第一單元 數位IC特性(教科書第一章) 數位系統實驗 http://140.127.194.152

  2. Outline • TTL IC特性 • CMOS IC特性

  3. 數位積體電路(p.1) • 數位電路用來執行邏輯運算,可由雙載子或場效應電晶體元件構成。 • 僅工作在飽和(ON)及截止(OFF)二種狀態 • 處理信號只有高電位(HI)和低電位(LO),用來表示數位邏輯的1和0。 • 目前最常用兩個族群 • TTL (Transistor-Transistor Logic) • COMS (Complementary metal oxide semiconductor)

  4. 飽和區(ON) 截止區(OFF) 電晶體ON及OFF B-E沒有偏壓或逆向偏壓 B-E順向偏壓且有足夠大的IB

  5. TTL IC的特性(p.2) • 基本電路(ex. NOT Gate) = 輸入層 驅動層 輸出層

  6. TTL IC的特性(cont.) • 當輸入為HI,則輸出為LO OFF OFF ON ON

  7. TTL IC的特性(cont.) • 當輸入為LO,則輸出為HI ON ON OFF OFF

  8. 轉換曲線(p.6) 輸出電壓 輸入電壓

  9. TTL電壓和電流特性(p.5) • VIH: 輸入為1時的電壓、VIL: 輸入為0時的電壓 • VOH: 輸出1為時的電壓、VOL: 輸出為0時的電壓 • IIH: 輸入為1時的電流、IIL: 輸入為0時的電流 • IOH: 輸出1為時的電流、IOL: 輸出為0時的電流

  10. 雜訊免除性(容忍度)(p.6) • 因為VOH=2.4V、VIH=2V,所以有0.4V(400mV)的間隔,所以兩個TTL閘的傳輸線可以承受振幅400mV的雜訊干擾。VIL -VOL也是0.4V。 VOH VIH VIH VOL

  11. 傳播延遲時間(p.6) • 傳播延遲時間(propagation delay time) • tPHL:輸出由HI轉換LO的延遲,tPHL=7ns • tPLH:輸出由LO轉換HI的延遲,tPLH=11ns tPHL tPLH 反相器輸入方波

  12. 扇出(Fan out)(p.7) • 所謂扇出,就是IC的輸出能夠接多少個IC的輸入(並聯) • 若IOH=400A, IIH=40A, 則扇出數為IOH/IIH=10。 • IOL/IIL=16mA/1.6mA=10。

  13. TTL族群(p.8) • 標準型TTL、低功率TTL、高速TTL、蕭特基TTL、低功率蕭特基TTL(目前常用)

  14. TTL族群(cont.)

  15. CMOS IC的特性(類比電路實驗p.507) • CMOS互補式金屬氧化半導體 • 由N通道MOSFET與P通道MOSFET組合而成 • MOSFET分兩類 • 空乏型:汲極D及源極S之間以通道連接 • 增強型:汲極D及源極S之間沒有通道 • 目前CMOS IC都是以增強型MOSFET製成

  16. N通道空乏型及增強型MOSFET(p.509)

  17. P通道空乏型及增強型MOSFET

  18. N通道增強型MOSFET工作原理(p.510)

  19. P通道增強型MOSFET工作原理(p.511)

  20. 電路符號 P通道MOSFET (PMOS) N通道MOSFET (NMOS)

  21. CMOS(p.11) • CMOS電路係將PMOS與NMOS製作在同一基質上,二者特性可互補,具小的功率消耗與大雜訊界限的優點。

  22. CMOS反相器(p.12)

  23. CMOS反相器(cont.) ON OFF 等效圖

  24. CMOS反相器(cont.) OFF ON 等效圖

  25. 轉換曲線COMS v.s. TTL 在線性區,CMOS的轉換曲線比TTL陡峭

  26. CMOS特性 • 工作電源:3~15V • 輸入電壓:VIH>0.7VDD, VIL<0.3VDD • 輸出電壓:VOHVDD, VOL0V • 雜訊免除力VDD30% • 扇出:>50 • 輸入阻抗: >1012 • 消耗功率: <0.5W

  27. CMOS v.s. TTL PS: 目前CMOS己經改善此缺點

  28. TTL v.s. CMOS雜訊界限比較

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