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EN61000-4-12 Oscillatory Waves Immunity Test

EN61000-4-12 Oscillatory Waves Immunity Test. 振盪波抗擾性試驗 Prepared by PH Yuan. 目的與應用場合. 目的 : 在於規定 , 試驗電壓 , 電流波形 , 試驗等級範圍 , 試驗設備 , 試驗配置 , 試驗步驟 , 設備用戶及製造商有責任選擇適當試驗和嚴酷等級 ˙ 應用場合 : 用於評價家庭 , 商業 , 工業的電氣和電子設備 , 以及用於電力設施之設備. 術語. 瞬態 Transient 於相鄰穩定狀態之間變化之物理量或是物理現象 , 其變化時間遠小於所關注之時間尺度 ˙ 脈沖群 Burst

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EN61000-4-12 Oscillatory Waves Immunity Test

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Presentation Transcript


  1. EN61000-4-12Oscillatory Waves Immunity Test 振盪波抗擾性試驗 Prepared by PH Yuan

  2. 目的與應用場合 • 目的: 在於規定,試驗電壓,電流波形,試驗等級範圍,試驗設備,試驗配置,試驗步驟,設備用戶及製造商有責任選擇適當試驗和嚴酷等級 ˙ 應用場合: 用於評價家庭,商業,工業的電氣和電子設備,以及用於電力設施之設備

  3. 術語 • 瞬態 Transient 於相鄰穩定狀態之間變化之物理量或是物理現象,其變化時間遠小於所關注之時間尺度 ˙脈沖群 Burst 一串數量有限的清晰脈沖或是一個持續時間有限的振盪

  4. 試驗等級 • 注入設備電源,信號及控制端口的振鈴波和阻尼振盪波的試驗等級 • 用於信號和控制端口的試驗等級與用於電源端口的試驗等級相差不應超過一級

  5. 振鈴波試驗等級

  6. 阻尼振鈴波試驗等級 ª對於變電站設備此電壓升至2.5KV

  7. 試驗信號產生器(分振鈴波與阻尼震盪波產生器)試驗信號產生器(分振鈴波與阻尼震盪波產生器) 振鈴波產生器之參數與特性: • 電壓上升時間(第一峰值)為0.5us ±20%(開路狀況) • 電流上升時間(第一峰值)為≦1us(短路狀況) • 振盪頻率為100KHz±10% • 衰減(對每峰值)為前一峰值的60% • 瞬態的重複:每分鐘1-60個瞬態 • 輸出阻抗為12Ώ,30Ώ,200Ώ±20%(可切換) • 開路電壓(峰值)為250V(-10%)~4kv(+10%) • 短路電流(最小峰值),輸出阻抗12Ώ時333A,輸出阻抗30Ώ時133A,輸出阻抗200Ώ時20A • 與電源頻率的相位關係為0-360∘同步,10∘步進 • 第一半週期極性為正和負

  8. Ring Wave 振盪波電路方塊圖 12Ώ 輸出阻抗選擇 高壓開關 濾波電阻 充電電阻 30Ώ S1 S2 200Ώ 分壓電阻 能量儲存電容 振盪電路線圈 濾波電容 高壓源 CRO 監測信號

  9. 振鈴波(開路電壓及短路電流) 振盪頻率 100KHz±10% 0.5us±20%

  10. 阻尼震盪波產生器特性及參數 • 電壓上升時間(第一峰值)為75us±20% • 振盪頻率為100KHz 和 1MHz ±10% • 重複率: 100KHz 時至少40/s, 1MHz 時至少400/s • 任選重複率:振盪頻率x4x10¯4 • 衰減:第三到第六周期之間減至峰值的50% • 脈沖持續時間:不小於2s • 輸出阻抗為200Ώ±20% • 峰值開路電壓為250V(-10%) ~ 2.5KV(+10%) • 與電源頻率的相位關係: 無關 • 第一半週期極性為正極和負極

  11. Damped Oscillatory Wave阻尼震盪器波形

  12. Damped Oscillatory Wave 阻尼振盪波電路方塊圖 充電電阻 產生器內電阻 濾波電阻電感及電容 能量儲存電容 震盪電路線圈 分壓電阻 高壓源

  13. 耦合去耦合網路CDN • 目的: 為了將共模或是差模試驗電壓加到待測物(EUT)的電源,信號,控制線端口,防止試驗電壓對試驗之補助設備產生影響 • 偶合/去耦合網路的耦合電容與試驗產生器阻抗關係 (1)0.5uF,試驗信號產生器阻抗為200Ώ (2) 3uF,試驗信號產生器阻抗為30Ώ (3)10uF,試驗信號產生器阻抗為12Ώ 有時,耦合電容可由氣體放電管或二極體代替

  14. CDN之衰減 • 用於交/直流電源端口的耦合/去耦合網路CDN要求之CDN衰減值 • (1)共模去偶合(衰減)為20dB • (2)差模去偶合(衰減)為30dB • (3)耦合電容對1.2/50us波形的絕緣承受能 力為5KV

  15. 用於信號及控制端口之CDN衰減值 • 共模,差模去耦合衰減為30dB • 在去耦合衰減不能對輔助信號源提供充分保護時可加附保護裝置

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