slide1 n.
Download
Skip this Video
Loading SlideShow in 5 Seconds..
8086 Hardeware Basiese stroombaan (Herhaling) Databus buffers Adresgrendel Geheue tipes PowerPoint Presentation
Download Presentation
8086 Hardeware Basiese stroombaan (Herhaling) Databus buffers Adresgrendel Geheue tipes

Loading in 2 Seconds...

play fullscreen
1 / 18

8086 Hardeware Basiese stroombaan (Herhaling) Databus buffers Adresgrendel Geheue tipes - PowerPoint PPT Presentation


  • 199 Views
  • Uploaded on

8086 Hardeware Basiese stroombaan (Herhaling) Databus buffers Adresgrendel Geheue tipes Adresdekodering - Inleiding. 'n Gebufferde minimummodus 8086 stelsel (uit Lesing 10). DATABUS BUFFERS [ tabel 9-1 en 9-2]. Die uittreepenne van die 8086 het die volgende spesifikasie:

loader
I am the owner, or an agent authorized to act on behalf of the owner, of the copyrighted work described.
capcha
Download Presentation

PowerPoint Slideshow about '8086 Hardeware Basiese stroombaan (Herhaling) Databus buffers Adresgrendel Geheue tipes' - studs


An Image/Link below is provided (as is) to download presentation

Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author.While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server.


- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E N D - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
Presentation Transcript
slide1

8086 Hardeware

Basiese stroombaan (Herhaling)

Databus buffers

Adresgrendel

Geheue tipes

Adresdekodering - Inleiding

RS245-2003-Lesing 16

slide3

DATABUS BUFFERS [ tabel 9-1 en 9-2]

Die uittreepenne van die 8086 het die volgende spesifikasie:

Logiese 0 : 0.45 V maks @ 2.0 mA maks

Logiese 1 : 2.4V min @ -400 A maks ("-" beteken stroom vloei uit)

Intreepenne:

Logiese 0 : 0.8 V maks @ ±10 A maks

Logiese 1 : 2.0 V min @ ±10 A maks

LS-TTL

Intreepenne: Logiese 0: 0.8V maks @ -0.4 mA

Logiese 1: 2.0V min @ 20 A maks

Uitwaaier ("fanout") dus ongeveer 5 vir 8086 na LS-TTL

Benodig dus buffers in die meeste ontwerpe.

8086

2 mA

(0.4 mA elk)

LSTTL

RS245-2003-Lesing 16

slide4

Die meeste moderne ontwerp gebruik cmos en nie TTL stroombane nie. Die statiese uitwaaier is baie groter aangesien die intreestome tipies 10 μA is. Jy moet egter steeds versigtig wees aangesien die uitgange ook 'n perk het wat betref die grootte van die kapasitiewe las wat aangedryf kan word.

Elke keer as die

uittree van logiese toestand verander moet die strooikapasitansie gelaai of ontlaai word.

GND

RS245-2003-Lesing 16

slide5

ADRESGRENDEL: [hoofstuk 9.3]

Die 8086 pakkie het nie genoeg penne om 20 adreslyne en 16 datalyne apart te voorsien nie.

16 adres lyne word dus met die 16 datalyne gedeel : Eers word die adres op die penne geplaas deur die verwerker. 'n ALE ("address latch enable") puls word opgewek waarmee die adres in 'n eksterne grendel gegrendel word. Daarna word die penne as datapenne gebruik.

GRENDELS

ADRES A16-A19

ADRES/DATA

ADRES

8086

DATA

ALE

RS245-2003-Lesing 16

slide6

T1

T2

T3

T4

ADR

DATA

ADR

/WR

ALE

Data in geheue gegrendel

op hierdie flank.

LW: Die uitgang volg die ingang terwyl ALE hoog is en word gegrendel op die afgaande flank van ALE.

Daar is 'n vertraging tussen die uitgang en ingangseine.

ADR/DATA

ADR

ALE

Ons kyk weer na tyddiagramme nadat geheue en adresdekodering afgehandel is.

74LS377

GND

RS245-2003-Lesing 16

slide7

GEHEUE TIPES [Hoofstuk 10.1]

Vlugtige Geheue Vaste Geheue

RAM (random access memory) ROM (read-only memory)

(lees-skryf-geheue) (lees-alleen-geheue)

SRAM ( static RAM) PROM (programmable ROM)

DRAM ( dynamic RAM) EPROM (eraseable PROM)

EEPROM (electrically EPROM)

FLASH RAM (Vinnige wisbare EEPROM)

Daar bestaan baie DRAM

variante.

RS245-2003-Lesing 16

slide8

5 V

Primitiewe ROM

A0

A1

00

ADRES DATA

00 0111

01 0011

10 1111

11 ????

01

10

11

/OE

D3 D2 D1 D0

RS245-2003-Lesing 16

slide9

ROMs kan deur die vervaardiger vooraf geprogrammeer word - "mask programmable" ROM. Die ontwerper verskaf die waarheidstabel aan die vervaardiger. Dit is slegs prakties as baie groot hoeveelhede vervaardig word en geen veranderings aan die data of program verwag word nie.

PROMS is normaalweg van die "Fuse-link" of vensterlose EPROM

tipe. Eersgenoemde bevat "fuseable links" wat selektief vernietig kan word deur die gebruik van 'n programmeerder.

EPROM en 'Flash' RAM

MOSFETs met swewende geïsoleerde hekke word in EPROM, EEPROM en 'Flash' RAM gebruik.

RS245-2003-Lesing 16

slide10

selekteer hek

swewende hek

SiO2

N

N

P

Die SiO2 isoleer die swewende hek. Tydens programmering van die sel word 'n elektriese lading op die swewende hek geplaas deur 'n elektriese veld in die omgewing van die hek. Die veld is groot genoeg sodat elektrone genoeg energie kry om die isolasie te oorbrug. Die selekteerhek word gebruik om die elektrone in die rigting van die swewende hek te trek. Selle met 'n lading op die swewende hek is "aan" en selle sonder lading is "af". Sodoende word 1'e en 0'e geprogrammeer. As gevolg van die hoë isolasie bly die ladings op die swewende hek (tot 20 jaar lank). Die lading kan in die geval van 'n EPROM deur ultraviolet lig verwyder word - die elektrone kry genoeg energie om te ontsnap. EPROMS het dus 'n venster en kan binne ongeveer 15 tot 20 minute onder 'n ultraviolet lamp gewis word.

RS245-2003-Lesing 16

slide11

Vensterlose "EPROMS" is effens goedkoper en word dikwels in produkte aangetref - hulle is egter nie wisbaar nie (OTP

"One time programmable").

EEPROMS en "Flash" RAM werk op soortgelyke beginsel - die lading word egter deur 'n elektriese veld in plaas van ultraviolet lig gewis. Dit is handig vir die stoor van semipermanente data in 'n stelsel aangesien 'n spesiale ultaviolet wisser nie nodig is nie.

Toepassings : Diefalarm PIN-kodes. Besproeiingstelsels se "aan" en "af" tye. Digitale radio se instemmer data.

SRAM

SRAM bestaan in effek uit wipkringe wat elk 'n enkele bis stoor.

Data gaan verlore sodra die kragtoevoer na die komponent afgeskakel word. In die geval van "Zero -power" RAM word 'n klein batterytjie gebruik om die krag permanent aan te hou.

RS245-2003-Lesing 16

slide12

DRAM

In DRAM word die data as lading op kapasitors gestoor. Daar is slegs een FET per bis nodig. Baie hoër digthede as in die geval van SRAM is moontlik. Die DRAM verloor egter sy data as dit nie gereeld verfris ("refresh") word nie (die lading lek weg). Die DRAM word egter so ontwerp dat dit beveel kan word om self die "refresh" uit te voer. Die adres van die bisse wat verfris moet word, word aangelê en die DRAM verfis outomaties bisse by daardie adres. Aangesien dit elke paar ms gedoen moet word, word spesiale DRAM beheerder komponente gebruik wat sekwensieel adresse opwek om die verfrissing te bewerkstellig.

GEHEUE KOMPONENT KONFIGURASIE

Mees algemeen:

EPROM en SRAM : Data 8 bisse wyd. Tot enkele Mgreep

DRAM: Data I of meer bisse wyd. Dikwels saam gegroepeer op 'n gedrukte stroombaanbordjie (PCB): Single/Dual in line memory modules. (SIMM of DIMM ).

RS245-2003-Lesing 16

slide13

TIPIESE SRAM:

A0

A9

D0

D7

data

adres

Om data te skryf:

Adres: A9..A0

Data: D7..D0

/CS = 0

/WE =

/OE = 1

beheer

/CS /WE /OE

Nota: Penname mag verskil:

/WE = /W = /MWR

/CS = /S

/G = /OE = /RD =/MRD

D7 = DIO7 = DQ7 = IO7

Om data te lees:

Adres: A9..A0

/CS = 0

/OE = 0

/WE = 1

Data: D7..D0

RS245-2003-Lesing 16

slide14

A0

A8

Din

Dout

256k x 1 DRAM

beheer

/WE /RAS /CAS

Die ry-adres word gegrendel deur die opgaande flank van

/RAS en die kolomadres deur die opgaande flank van /CAS.

DRAM kom in baie formate. Die enkelbis DRAM soos hierbo moet in veelvoude van 16 gebruik word in 'n stelsel met 'n 16 bis wye databus.

Ons kyk in die adresdekodering en tyddiagramanalise afdelings van die kursus slegs na statiese geheue.

RS245-2003-Lesing 16

slide15

ADRESDEKODERING (INLEIDING)

Gestel ons het die volgende denkbeeldige stelsel:

'n Mikrobeheerder met 'n 8-bis databus en 'n 16-bis adresbus en 'n /RD ("not read") en /WR ("not write") beheerpenne.

'n ROM komponent wat 1k (greep) data kan stoor

'n SRAM komponent wat 2 k (greep) data kan stoor.

Hoe skep ons 'n stelsel met ROM by die laagste 1K van die geheue en RAM by die volgende 2K?

RS245-2003-Lesing 16

slide16

Mikrobeheerder

ROM

Data 8 bis

Adres 16 bis

Adres 10 bis

Data 8 bis

/CS0

/RD

/RD

/WR

Verlang dat die mikroverwerker data van

die ROM lees vir adresse:

0000H tot 03FFH

en data na die RAM skryf of lees vir adresse: 0400H tot 0BFFH

Nota:

03FFH = 1023 desimaal

0BFFH = 3071 desimaal

Adres 0 tot 1023 is 1024 adresse, dus

1 k adresse.

RAM

Data 8 bis

Adres 11 bis

/CS1

/WR /RD

RS245-2003-Lesing 16

slide17

Mikrobeheerder

ROM

Data 8 bis

Adres 16 bis

Adres 10 bis

Data 8 bis

/CS0

/RD

/RD

/WR

RAM

Adresdekodeerder

Data 8 bis

Maak /CS0 zero as adresse

0000 tot 03FFH is

Maak /CS1 zero as adresse

0400H tot 0BFFH is

Adres 11 bis

ADRESSE

/CS1

/WR /RD

RS245-2003-Lesing 16

slide18

As ons slegs met hierdie adresse werk, kan ons die dekodeerder vereenvoudig.

Maak /CS1 zero vir adresse groter of gelyk aan 0400H en /CS0 zero vir adresse kleiner as as 0400H.

NOTA: Ons moet seker maak dat net hierdie adresse voorkom.

/CS1

A10

A11

/CS0

A15 A0 /CS0 /CS1 adres

0000 0000 0000 0000 0 1 0000H

...................................

0000 0011 1111 1111 0 1 03FFH

0000 0100 0000 0000 1 0 0400H

...................................

0000 1000 1111 1111 1 0 08FFH

0000 1011 1111 1111 1 0 0BFFH

RS245-2003-Lesing 16