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溶融石英ガラスの吸収帯の性質. 分子科学講座 曾 令 海. シリカガラス. 化学式 SiO 2 (シリカ) 構成 高純度( 99.9 %) の非晶質シリカ 構造 「 SiO 4 」 正四面体を基本構造単位 → 頂点の O 原子を共有した 3次元的網目構造. 特 徴. 非常に優れた性質. 光をよく通す 高純度 (金属不純物極めて少ない) 熱に強い 薬品に侵されにくい. シリカガラスの分類. OH なし OH あり. 本研究の対象. 本研究の目的.
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溶融石英ガラスの吸収帯の性質 分子科学講座 曾 令 海
シリカガラス • 化学式 SiO2(シリカ) • 構成 高純度( 99.9%) の非晶質シリカ • 構造 「SiO4」 正四面体を基本構造単位 → 頂点のO原子を共有した 3次元的網目構造
特 徴 非常に優れた性質 • 光をよく通す • 高純度 (金属不純物極めて少ない) • 熱に強い • 薬品に侵されにくい
シリカガラスの分類 OHなし OHあり 本研究の対象
本研究の目的 溶融石英ガラスに 5.0eV の吸収帯 (B2帯)がある OHあり B2帯 消滅 熱処理 効果 OHなし B2帯 不変 研究目的 このメカニズムを解明 B2帯
実験方法 • サンプル NP (OH含む )と HRP(OHなし) • OH 濃度測定 UV-3101紫外可視近赤外分光光度計 • UV 吸収測定 UV-3101紫外可視近赤外分光光度計 • 蛍光測定 Jasco FP650分光蛍光光度計 • 熱処理 マッフル炉1150,1000,900℃
蛍光及び蛍光励起スペクトル 熱処理前 B2β帯(吸収5.15eV 半値幅0.42eV)
吸収スペクトルのガウス波形分離 ガウス型 吸収帯成分 (eV) 4.8 5.02 5.15 5.41 5.97 6.3
サンプルNPのB2β帯 Kuzuuら,Phys. Rev. B47, 3083 (1993), J. Appl. Phys. 93, 9062 (2003) B2β帯 の原因: =Si: TOCS (Two Oxygen Coordinated Silicon) 長時間の熱処理によるB2β帯強度の減少メカニズム NP中のB2β帯 の生成機構
熱処理初期(<1時間)におけるB2β帯増大原因 熱処理初期(<1時間)におけるB2β帯増大原因 熱処理に伴いOH減少 ≡Si-OH + HO-Si≡→≡Si-O-Si≡ + H2 O 応力生成し,以下の反応進行 B2β(5.15 eV)強度増大 B2α(5.02 eV)強度増大 B2α ← ≡Si・・・Si≡ ≡Si-O-Si≡ → ≡Si・・・Si≡
NPの5.02eV 帯 考えられる熱処理による減少の原因 a.溶存O原子と反応 ≡Si・・・Si≡ + O →≡Si-O-Si≡ b. 溶存H2O分子と反応 ≡Si・・・Si≡ + H2 O→≡Si-OH H-Si≡→≡Si-O-Si≡ + H2 c. 溶存水素分子と反応 ≡Si・・・Si≡ + H2 →≡Si-H H-Si≡
NPの5.97, 4.8, 5.41 eV帯 • 5.97 eV帯(融着界面のES’センター ≡Si・) 不変 b. 4.8 eV帯 (NBOHC ≡Si-O・) 1150℃のみわずか増大 c. 5.41eV帯 (Eβ’ センター ≡Si・ ≡Si-H) 減少 ≡Si・ ≡Si-H + HO-Si≡→≡Si・ ≡Si-O-Si≡ + H2 ≡Si・ ≡Si-H + O →≡Si-O・ ≡Si-H 4.8 eV
HRPのB2β帯 HPR中のTOCS(5.15eV帯)の生成メカニズム 1150℃における5.02 eV (B2α)帯の増大メカニズム
他の吸収帯 1150℃ 4.8および5.97 eV帯の増大 ≡Si・・・Si≡ + O → ≡Si-O• + •Si≡ 4.8eV5.97eV 5.41eV帯の増大 ≡Si・ ≡Si-O-Si≡ + H2 → ≡Si・ ≡Si-H HO-Si≡
まとめ OH量の異なる溶融石英ガラスのB2帯に及ぼす熱処理効果 OHあり ・・・ B2帯消滅 OHなし ・・・ B2帯不変 これらの原因をこれまでに提案された構造モデルに基づき考察 今後の課題 ・定量的な解析 ・さらに広い温度範囲での測定
ガラス内部の点欠陥 SiO4網目構造 = ランダム 化学結合が切れる 点欠陥 • OH基 ≡Si-OH • ODC (oxygen-deficient center) ≡Si-Si≡[ODC(I)] ≡SiSi≡[ODC(II)] • NBOHC (non-bridging oxygen hole center) ≡Si-O • POR (Peroxy radical) ≡Si-O-O • E' center ≡Si
熱処理 熱処理温度 900 ℃ 1000 ℃ 1150 ℃