第 4 章内存储器

第4章内存储器 【教学目的和要求】 1、了解内存的发展过程； 2、掌握内存的分类及性能指标； 3、了解常见内存芯片标识说明；【教学重点和难点】 1、内存的分类； 2、内存的性能指标； 3、内存芯片标识。【课时】 4课时【实验指导】掌握CPU、内存的安装及主板的设置和主板的固定

4.1 内存储器 存储器（Memory或Storage）是用来存储程序和数据的部件，分为内部存储器（也称主存储器）、外部存储器（也称辅助存储器）两种。内存储器（Internal Memory）简称内存或主存。通过键盘输入的命令，要处理的信息和数据，都必须先存入内存，才能由CPU取出予以执行，加以处理或进行运算，因此可以说所有的程序都在内存中运行。内存作为影响电脑性能发挥的最主要配件之一，其性能直接关系着能否充分发挥电脑数据高速处理能力，以及电脑运行的稳定性和可靠性。

4.1.1 内存相关介绍 1、内存芯片内存按存储信息的功能可分为随机存储器RAM（Random Access Memory）和只读存储器ROM（Read Only Memory）。 RAM就是我们平常所说的内存，主要用来存放各种现场的输入、输出数据，中间计算结果，以及与外部存储器交换信息和做堆栈用。它的存储单元根据需要可以读出，也可以写入或修改。RAM只能暂时存放程序和数据，一旦关闭电源或发生断电，其中的数据就会丢失。 RAM芯片根据工作方式的不同分为DRAM和SRAM两大类。 DRAM（Dynamic RAM）称为动态存储器，不能维持信息的保存，所以必须不断地用电荷来刷新，使存储的信息不致丢失。一旦关闭电源或发生断电，其中的数据就会丢失。 SRAM（Static RAM）称为静态存储器，静态存储器存储的信息能够保持，直到再次充电才改变，因此不需要刷新，而且速度非常快。 DRAM比SRAM集成度高、功耗低，从而成本也低，适于做大容量存储器。所以主内存通常采用DRAM，而高速缓冲存储器（Cache）则使用SRAM。

4.1.1 内存相关介绍 2、内存条内存主要分为SIMM（Single In-line Memory Modules，单列直插式存储器模块）、DIMM（Dual Inline Memory Modules，双重在线存储器模块）两种类型。SIMM和DIMM是把一些存储器芯片焊在一小条印刷电路板上做成的条状存储器，通常称为“内存条”。 SIMM分为30线（30-Pin）和72线（72-Pin）两种规格。30线内存条有256KB、512KB、1MB几种容量，主要用于286、386和早期486微机上；72线内存条容量有4MB、8MB、16MB、32MB几种，主要用于486和早期586微机上。这两种内存条现均被淘汰。 DIMM为168线内存条，是目前的主流内存条，容量有16MB、32MB、64MB、128MB、256M、512M等。

4.1.1 内存相关介绍 3、FPM DRAM、EDO DRAM和SDRAM 按工作方式，内存条分为FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快页模式）内存（也称为普通内存）、EDO（Extended Data Output，扩展数据输出）内存和SDRAM（Synchronous DRAM，同步DRAM）内存。 EDO内存采用了FPM模式，同时还在RAM 的输出端增加了一组“门槛”电路（也叫二级内存单元），它可以存储着数据并保持到CPU读取。 SDRAM称为同步内存，它的基本原理是将CPU和RAM 通过一个相同的时钟锁在一起，使得RAM和CPU能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，这样可以彻底解决高性能CPU和RAM速度不匹配的问题。 ECC是错误检测和校正（Error Checking and Correcting）的缩写。当内存的读写速度提高到一定程度时，难免会出现读写错误，为解决这一问题，就需要为内存条加上校验功能。 SDRAMⅡ也称为DDR（Double Data Rate，双倍数据速率），是SDRAM 的换代产品，DDR的核心建立在SDRAM的基础上，但在速度和容量上有了提高。它使用了更多、更先进的同步电路，其速度是标准SDRAM的两倍。

4.1.1 内存相关介绍 4、ROM与BIOS ROM（Read-Only Memory，只读存储器）只能读出其中的数据而用一般方法不能写入，而且断电后保存的数据不会丢失，因此用来保存计算机经常使用且固定不变的程序和数据。 ROM分为两类：可擦写型（EPROM、EEPROM）和固化型（PROM）。PROM（可编程只读存储器）是工厂在生产时就将数据写好了，用户无法修改。EPROM （可擦可编程只读存储器）、EEPROM（电可擦可编程只读存储器）用户可以将其中旧的数据用紫外线或电擦除后再写入新的数据，EPROM在PC板卡中使用较多，这类ROM的特征就是芯片的上面总贴有一张不干胶封签，以封住一个用来透射紫外线的小孔，从而防止已经写入的数据丢失。 EPROM芯片

4.1.1 内存相关介绍 ROM中保存的最重要的程序是BIOS（Basic Input Output System，基本输入输出系统）程序。 ROM中的BIOS是对微机各种输入输出设备进行管理和配置的程序。BIOS 对主板的影响很大，好的BIOS可以充分发挥主板上各部件的能力，提高效率。接通电源后，BIOS将运行POST（Power On System Test），进行其所有内部设备的自检，测试完成后，系统将从A盘或C盘寻找操作系统，并将其装入RAM。当第一次启动计算机或计算机系统的配置发生改变时，可运行驻留在BIOS中的SETUP程序来设置系统，告诉SETUP程序系统中主要硬件设备的参数。 BIOS芯片

4.1.1 内存相关介绍 5、CMOS CMOS是互补式金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semi Conductor）的缩写，是一种功耗极小的大规模集成电路。CMOS用于存放系统当前日期和时间、硬件参数、硬件开关设置状态及系统密码等。CMOS作为存储器属于RAM，因而可以改写。早期的CMOS一般集成在芯片中（如82C206等），为保证CMOS的内容不丢失，主板上有一个3V钮扣电池为它供电，以后的主板通常将CMOS与系统实时时钟和后备电池集成到一块芯片中（如DALLAS DS1287等）。有些主板则把CMOS集成在芯片组中（如VIA Apollo系列芯片组）。当用户微机设置好之后，就不必再使用SETUP程序了，除非记录在CMOS RAM 中的参数丢失或硬件有所改变。内建时钟和电池的CMOS芯片

4.1.1 内存相关介绍 6、Cache Cache是Cache Memory（高速缓冲存储器，简称高速缓存）的简写。 Cache有内部Cache和外部Cache两种，内部和外部是对CPU而言的，如486DX、Pentium等芯片均含有内部Cache。内部Cache也称一级（Level1，简写为L1）Cache，一般容量较小，但较为灵活方便。外部Cache也称二级（Level2，简写为L2）Cache，容量比内部Cache要大得多。由于从Pentium Ⅱ开始，L2 Cache也集成到CPU内部，现在一般不再按内部和外部来区分Cache。二级Cache是由静态存储器SRAM芯片组成，由于SRAM的制造成本较高，因此微机中只能用少量的Cache来增加系统性能，Cache的容量越大，综合性能越高。目前的微机系统通常都配有256KB或512KB的二级Cache。图1.18中为主板上的256KB二级Cache。 Cache有Synchronous（同步）Cache、Pipeline Burst（流水线突发）Cache、Asynchronous（异步）Cache三种，前两者要比后者速度快。主板上的Cache芯片（256KB）

4.1.2 内存的分类 内存随着技术的不断更新发展，也在不断地换代更新。现在的内存主要分为下述几种：（1）SDRAM（Synchronous）：同步动态随机存储器，这是当前个人电脑上使用最多的一种内存，SDRAM将CPU和RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使RAM和CPU能同享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，速度比EDO提高了将近一半。（2）DDR（Double Data Rage）SDRAM：双倍速率同步动态随机存储器，它是SDRAM的换代产品，允许在时钟周期的上升沿和下隆沿传送数据，这样它不需要提高时钟的频率就加倍提高了SDRAM的速度。（3）RDRAM：这是一种具有系统带宽的、芯片到芯片接口的新型DRAM，它能够在很高的频率范围内通过一个简单的总线来传输数据。在2000年底，Intel推出Pentium 4处理器时，是搭配RDRAM内存销售的。单从性能上说RDRAM系统仍非常出色，但是其价格昂贵，而且几年没有本质上的技术进步，性能上也逐渐被双通道DDR系统所赶上，所以，芯片巨人Intel在宣布其将终止所有的RDRAM相关产品，主要是i850E和i860芯片组后。两年时间里，RDRAM基本上被DDR、SDRAM所取代。现只有部分即将退出的芯片组支持RDRAM，所以其前景不被看好。

4.1.2 内存的分类 （4）DDR2（Double Data Rage 2）：是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。 DDR2

4.1.2 内存的分类 DDR和DDR2的区别：

4.1.2 内存术语详解 1、适用类型根据内存条所应用的主机不同，内存产品也各自不同的特点。台式机内存是DIY市场内最为普遍的内存，价格也相对便宜。笔记本内存则对尺寸、稳定性、散热性方面有一定的要求，价格要高于台式机内存。而应用于服务器的内存则对稳定性以及内存纠错功能要求严格，同样稳定性也是着重强调的。笔记本内存台式机内存服务器内存

4.1.2 内存术语详解 2、内存主频内存主频和CPU主频一样，习惯上被用来表示内存的速度，它代表着该内存所能达到的最高工作频率。内存主频是以MHz（兆赫）为单位来计量的。内存主频越高在一定程度上代表着内存所能达到的速度越快。内存主频决定着该内存最高能在什么样的频率正常工作。目前市面上已推出的内存产品中最高能达到560MHz的主频，而较为主流的是333MHz和400MHz的DDR内存。一般情况下内存的工作频率是和主板的外频相一致的，通过主板的调节CPU的外频也就调整了内存的实际工作频率。内存工作时有两种工作模式，一种是同步工作模式，此模式下内存的实际工作频率与CPU外频一致，这是大部分主板所采用的默认内存工作模式。另外一种是异步工作模式，这样允许内存的工作频率与CPU外频可存在一定差异，它可以让内存工作在高出或低于系统总线速度33MHz，又或者让内存和外频以3：4、4：5等，定比例的频率上。利用异步工作模式技术就可以避免以往超频而导致的内存瓶颈问题。目前的主板芯片组几乎都支持内存异步，英特尔公司从810系列到目前的875系列都支持，而威盛公司则从693芯片组以后全部都提供了此功能。

4.1.2 内存术语详解 3、传输类型传输类型指内存所采用的内存类型，不同类型的内存传输类型各有差异，在传输率、工作频率、工作方式、工作电压等方面都有不同。目前市场中主要有的内存类型有SDRAM、DDR和RDRAM三种，其中DDR SDRAM内存占据了市场的主流，而SDRAM内存规格已不再发展，处于被淘汰的行列。RDRAM则始终未成为市场的主流，只有部分芯片组支持，而这些芯片组也逐渐退出了市场，RDRAM前景并不被看好。 4、接口类型接口类型是根据内存条金手指上导电触片的数量来划分的，金手指上的导电触片也习惯称为针脚数（Pin）。因为不同的内存采用的接口类型各不相同，而每种接口类型所采用的针脚数各不相同。笔记本内存一般采用144Pin、200Pin接口；台式机内存则基本使用168Pin、184Pin、240Pin接口。对应于内存所采用的不同的针脚数，内存插槽类型也各不相同。目前台式机系统主要有SIMM、DIMM和RIMM三种类型的内存插槽，而笔记本内存插槽则是在SIMM和DIMM插槽基础上发展而来，基本原理并没有变化，只是在针脚数上略有改变。

4.1.2 内存术语详解 5、容量内存容量是指该内存条的存储容量，是内存条的关键性参数。内存容量以MB作为单位，可以简写为M。内存的容量一般都是2的整次方倍，比如64MB、128MB、256MB等，一般而言，内存容量越大越有利于系统的运行。目前台式机中主流采用的内存容量为256MB或512MB，64MB、128MB的内存已较少采用。系统中内存的数量等于插在主板内存插槽上所有内存条容量的总和，内存容量的上限一般由主板芯片组和内存插槽决定。不同主板芯片组可以支持的容量不同，比如Intel的810和815系列芯片组最高支持512MB内存，多余的部分无法识别。目前多数芯片组可以支持到2GB以上的内存。此外主板内存插槽的数量也会对内存容量造成限制，比如使用128MB一条的内存，主板由两个内存插槽，最高可以使用256MB内存。因此在选择内存时要考虑主板内存插槽数量，并且可能需要考虑将来有升级的余地。

4.1.2 内存术语详解 6、内存电压内存正常工作所需要的电压值，不同类型的内存电压也不同，但各自均有自己的规格，超出其规格，容易造成内存损坏。SDRAM内存一般工作电压都在3.3伏左右，上下浮动额度不超过0.3伏；DDR SDRAM内存一般工作电压都在2.5伏左右，上下浮动额度不超过0.2伏；而DDR2 SDRAM内存的工作电压一般在1.8V左右。具体到每种品牌、每种型号的内存，则要看厂家了，但都会遵循SDRAM内存3.3伏、DDR SDRAM内存2.5伏、DDR2 SDRAM内存1.8伏的基本要求，在允许的范围内浮动。 7、颗粒封装颗粒封装其实就是内存芯片所采用的封装技术类型，封装就是将内存芯片包裹起来，以避免芯片与外界接触，防止外界对芯片的损害。空气中的杂质和不良气体，乃至水蒸气都会腐蚀芯片上的精密电路，进而造成电学性能下降。不同的封装技术在制造工序和工艺方面差异很大，封装后对内存芯片自身性能的发挥也起到至关重要的作用。随着光电、微电制造工艺技术的飞速发展，芯片的封装技术多种多样，有DIP、POFP、TSOP、BGA、QFP、CSP等等，种类不下三十种，经历了从DIP、TSOP到BGA的发展历程。芯片的封装技术已经历了几代的变革，性能日益先进，芯片面积与封装面积之比越来越接近，适用频率越来越高，耐温性能越来越好，以及引脚数增多，引脚间距减小，重量减小，可靠性提高，使用更加方便。

4.1.2 内存术语详解 8、传输标准内存是计算机内部最为关键的部件之一，其有很严格的制造要求。而其中的传输标准则代表着对内存速度方面的标准。不同类型的内存，无论是SDRAM、DDR ，还是RDRAM都有不同的规格，每种规格的内存在速度上是各不相同的。传输标准是内存的规范，只有完全符合该规范才能说该内存采用了此传输标准。比如说传输标准PC3200内存，代表着此内存为工作频率200MHz，等效频率为400MHz的DDR内存，也就是常说的DDR400。　　传输标准是购买内存的首要选择条件之一，它代表着该内存的速度。目前市场中所有的内存传输标准有SDRAM的PC100、PC133；DDR SDRAM的PC1600、PC2100、PC2700、PC3200、PC3500、PC3700；RDRAM的PC600、PC800和PC1066等。

4.1.2 内存术语详解 9、CL设置内存负责向CPU提供运算所需的原始数据，而目前CPU运行速度超过内存数据传输速度很多，因此很多情况下CPU都需要等待内存提供数据，这就是常说的“CPU等待时间”。内存传输速度越慢，CPU等待时间就会越长，系统整体性能受到的影响就越大。因此，快速的内存是有效提升CPU效率和整机性能的关键之一。从总的延迟时间来看，CL值的大小起到了很关键的作用。所以对系统要求高和喜欢超频的用户通常喜欢购买CL值较低的内存。目前各内存颗粒厂商除了从提高内存时钟频率来提高DDR的性能之外，已经考虑通过更进一步的降低CAS延迟时间来提高内存性能。不同类型内存的典型CL值并不相同，例如目前典型DDR的CL值为2.5或者2，而大部分DDR2 533的延迟参数都是4或者5，少量高端DDR2的CL值可以达到3。选择购买内存时，最好选择同样CL设置的内存，因为不同速度的内存混插在系统内，系统会以较慢的速度来运行，也就是当CL2.5和CL2的内存同时插在主机内，系统会自动让两条内存都工作在CL2.5状态，造成资源浪费。

4.1.2 内存术语详解 10、ECC校验 ECC（Error Checking and Correcting，错误检查和纠正）内存即纠错内存，简单的说，其具有发现错误，纠正错误的功能，一般多应用在高档台式电脑/服务器及图形工作站上，这将使整个电脑系统在工作时更趋于安全稳定。内存是一种电子器件，在其工作过程中难免会出现错误，而对于稳定性要求高的用户来说，内存错误可能会引起致命性的问题。内存错误根据其原因还可分为硬错误和软错误。硬件错误是由于硬件的损害或缺陷造成的，因此数据总是不正确，此类错误是无法纠正的；软错误是随机出现的，例如在内存附近突然出现电子干扰等因素都可能造成内存软错误的发生。使用ECC校验的内存，会对系统的性能造成不小的影响，不过这种纠错对服务器等应用而言是十分重要的，带ECC校验的内存价格比普通内存要昂贵许多。

4.1.2 内存Bank ※什么是内存Bank？ Bank从物理上理解为北桥芯片到内存的通道，通常每个通道为64bit。我们知道，一块主板的性能优劣主要取决于它的芯片组。不同的芯片组所支持的Bank是不同的。如Intel 82845系列芯片组支持4个Bank，而SiS的645系列芯片组则能支持6个Bank。如果主板只支持4个Bank，而我们却用6个Bank的话，那多余的2个Bank就白白地浪费了。也许有人这么认为，单面的内存即为1个Bank，双面的内存为2个Bank。这种说法是很片面的，因为单面的内存为一个Bank是正确的，但说双面的内存是2个Bank却是不对的。如现在很流行的DDR SDRAM就不一定。目前市场上的主流主板大都支持4-6个Bank，对于Intel 82845这种支持4个Bank的芯片组来说，我们在选购内存时就要多加一分留意。因为现在很多内存都是双Bank的，这意味着在Intel 82845芯片组上我们最多只能使用两条这样的内存，多了芯片组将无法识别。这里建议大家最好根据自己的主板所提供的内存插槽数目来选购内存，如果您的主板只提供了两个内存插槽，那就不必为内存是单Bank还是双Bank而担心了。而如果您的主板提供了4个内存插槽（同一种规格），那么应该尽量购买单Bank或大容量双Bank的内存，以免给日后升级留下不必要的麻烦。

4.1.3 内存的发展 1、30线的SIMM时代最初的内存芯片是直接焊接在主板上的。我们所熟悉的内存条是从286、386主板开始出现的30线、256KB内存条，而且必须由2～4条组成一个Bank才能正常工作。 30线内存条

4.1.3 内存的发展 2、72线的SIMM FPM/EDO时代 486时代是72线SIMM FPM内存条的天下，在Pentium时代早期出现72线SIMM EDO内存条。无论FPM还是EDO，72线的SIMM都是32位，在Pentium主板上使用要两条组成一个Bank才能正常工作。 72线EDO内存条

4.1.3 内存的发展 3、168线的DIMM时代 ⑴SDRAM 最先出现支持168线EDO／SDRAM DIMM内存的是Intel的VX芯片组主板，随即Intel又发布了性能价格比更好的TX芯片组主板，同时配备4个72线和2个（或3个）168线内存插槽。 ⑵PC100 PC100内存规范由Intel推出，内存芯片速度为8ns或10ns。带有SPD、专为系统总线频率为100MHz下使用的SDRAM称为PC100 SDRAM内存条。 ⑶PC133 VIA（威盛）公司和LG、IBM、NEC、西门子、富士通等芯片制造厂商一起，共同制订了PC133内存规范，将内存芯片速度提高为7.5ns，满足了AGP4×传输率的需要。 PC100 SDRAM内存条

4.1.3 内存的发展 4、当代的内存目前主流内存主要有三类：SDRAM、DDR和DDR2，这三种内存的架构各不兼容。 ⑴SDRAM 台式机使用的SDRAM一般为168线引脚接口，64位数据通道，工作电压为3.3V，目前最快的内存模块为5.5ns。由于其标准是采用将内存与CPU进行同步频率刷新的工作方式，基本上消除了CPU等待时间，提高了系统整体性能。 PC166 SDRAM内存条

4.1.3 内存的发展 KINGMAX PC-150内存 KINGMAX PC-133内存

4.1.3 内存的发展 ⑵DDR SDRAM DDR SDRAM是在SDRAM的基础上，采用DLL（Delay-Locked Loop，延时锁定环）技术提供数据选通信号，对数据进行精确定位，在时钟脉冲的上升沿和下降沿同时传输数据，因此命名为DDR SDRAM。在相同的总线频率下，与SDRAM相比，DDR内存具有更高的数据带宽，即使在133MHz的总线频率下，带宽也能达到2.1GB/s，是PC133规格的两倍。不过DDR内存为保持较高的数据传输率，电气信号要求能迅速改变，因此采用了2.5V的SSTL2标准，其引脚数为184线，与SDRAM无法实现兼容。 PC2700DDR内存条

4.1.3 内存的发展 KINGMAX DDR- 266内存 KINGMAX DDR- 400内存

4.1.3 内存的发展 *RDRAM RDRAM（Rambus DRAM）原本是Intel强力推广的未来内存发展方向，其技术引入了RISC（精简指令集），依靠高时钟频率（目前有300MHz、350MHz和400MHz 三种规格）来简化每个时钟周期的数据量。 RDRAM内存

4.1.3 内存的发展 （3）DDR2 DDR2的内存除了前面讲的与DDR内存的区别外，还引入了三项新的技术，它们是OCD（离线驱动调整）、ODT（内建核心终结电阻器）和Post CAS。总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。一般为240Pin。 DDR2 内存

4.1.4 常见内存芯片标识说明 1、SDRAM （1）LGS 标识：GM72V ab cd e l f g T hi ab：容量（Mbit） cd：数据位宽（bit） e：内存条包括的Bank数 f：内存的版本号（越往后越新，可为空白） g：若为“L”就是低耗能，普通型为空白 hi：速度（2）NEC 标识：D45 ab c d eG5-Afg h-ijk ab：容量（Mbit） c：数据位宽（bit） d：内存条包括的Bank数 e：内存接口，1=LVTTL

4.1.4 常见内存芯片标识说明 （3）Samsung(三星) 标识：KM4 ab S cd 0 e f g T-h ab：容量（Mbit） cd：数据位宽（bit） e：内存条包括的Bank数 f：内存接口，0=LVTTL；1=SSTL g：内存版本，空白为第一代；A为第二代；B为第三代 T：封装类型 T=TSOP 2 hi：电源供应 G=自动刷新；F=低电压自动刷新（4）HY 标识：HY5a b cde fg h 0 I j kl-mn 5a：芯片类型，57为SDRAM，5D为DDR b：电压，V为3.3V，U为2.5V，空白为5V cde：容量和刷新速度 fg：数据位宽（bit） h：内存条包括的Bank数，1，2，3分别为2，4，8个Bank 0：内存接口，0=LVTTL；1=SSTL；2=SSTL_2；3=Mixed Interface i：内存版本 j：L就是低功耗，普通型为空白 kl：封装形式编号 m：速度 n：通常P比S好

4.1.4 常见内存芯片标识说明 2、DDR 通用标识：AB c de f gh I j k l m-X Y AB：内存生产厂 c：RAM的种类，4=DRAM de：内存芯片的组成，“4”=X4 “8”=X8 “16”=X16 “32”=X32f：内存电压，“H”=DDR SDRAM（3.3V）；“L”=DDR SDRAM（2.5V）gh：内存容量I：芯片刷新速度j：芯片排数，“3”=4排；“4”=8排k：内存接口，“0”=LVTTL+SSTL_3；“1”=SSTL_2l：内存版本m：芯片封装类型，T=66针TSOP2；B=BGA；C=TinybgaX：内存刷新方式，G=自动刷新，F=低电压自动刷新Y：内存速度

4.1.5 内存的选购 内存是计算机的重要部件之一，一旦发生问题，计算机便可能停止运行。因此，选购品质优良的内存是一件马虎不得的事。 1、决定内存的数量一台计算机需要要多大的内存应视系统与软件的需求而定，在内存配置不足时系统和软件通常无法顺畅地执行任务。目前的奔腾级的多媒体配置而言，128MB是最低的内存要求。注：一般情况下，系统不能提供足够的内存供CPU使用。当内存不够时，系统会把目前不使用的数据暂保存到硬盘上，以获得更多的内存空间，这种技术称为“虚拟内存”。使用虚拟内存过于频繁，系统会因为过多的硬盘操作而降低性能。反之，安装的内存越多，到虚拟内存访问数据的机会就越少，系统性能就越高，而且，还可减少硬盘的操作，从而延长硬盘的使用寿命。

4.1.5 内存的选购 2、选择内存的外频由于目前计算机大都在100MHz外频以上工作，因此，支持100MHz外频是对内存最基本的要求，应选购访问周期在10ns以内的内存。也就是指符合PC100或PC133规格的内存模块。符合PC100或PC133规格的内存上多一颗SPD小芯片，用于记载该内存模块的相关数据。当开机启动时，机器会首先读取这颗芯片的内容，并自动为内存进行适当的调校工作，使系统更有效率、更稳定。 3、选择包装的类型内存与CPU一样，也分为“盒装”与“散装”，选择购时应不同对待。 4、选择内存的线数 184线、240线的DDR、DDR2内存条具有速度快、容量高的优点，当属首选。但在产品换代交替的过程中，总是会存在不同规格混用的过渡期，内存也是如此。

4.1.5 内存的选购 5、选择内存的类型目前，市场上内存的大概形势如下：FPM DRAM已经基本退出市场，EDO DRAM也将市场让给了SDRAM，SLDRAM的命运则是出师未捷身先死，对于已经露面的Rambus DRAM来说，还是深处高阁之中。不过，在以Intel公司为首的一些厂家的推动下，很有可能成为下一代内存的代表，而一些新型内存DDR、VCM和DDRII也将会主宰一部分市场。DDR是目前市场上的主流。 6、选择内存的品牌市场上常用的内存品牌有现代（HYUNDAT）、Kingston（金士顿）、金邦（Geil）、KINGMAX（胜创）、DRAGONKING、三星、LG、NEC、东芝、西门子、TI（德州仪器）等。购买时注意观察芯片表面的字是否清晰、速度为多少以及真实产地为何处。需要特别说明的是，上面所说的品牌仅仅是指内存芯片，而不是整个内存条，将内存芯片封装在电路板上制成内存条的工作是由其他厂商完成的。

第 4 章 内存储器