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1. （）何謂奈米的單位（ 1 ） mm （ 2 ） um （ 3 ） cm （ 4 ） nm

1. （）何謂奈米的單位（ 1 ） mm （ 2 ） um （ 3 ） cm （ 4 ） nm. 1. （ 4 ）何謂奈米的單位（ 1 ） mm （ 2 ） um （ 3 ） cm （ 4 ） nm. 2. （）奈米線為一維奈米材料. 2. （ ○ ）奈米線為一維奈米材料. 3. （）本實驗奈米線合成的材料為何. 3. （ ZnO ）本實驗奈米線合成的材料為何. 4. （）本實驗合成奈米線的溫度. 4. （ 500 ℃ ）本實驗合成奈米線的溫度.

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1. （）何謂奈米的單位（ 1 ） mm （ 2 ） um （ 3 ） cm （ 4 ） nm

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Presentation Transcript

  1. 1.（）何謂奈米的單位（1） mm （2） um （3） cm （4） nm

  2. 1.（4）何謂奈米的單位（1） mm （2） um （3） cm （4） nm

  3. 2.（）奈米線為一維奈米材料

  4. 2.（ ○ ）奈米線為一維奈米材料

  5. 3.（）本實驗奈米線合成的材料為何

  6. 3.（ZnO）本實驗奈米線合成的材料為何

  7. 4.（）本實驗合成奈米線的溫度

  8. 4.（500 ℃ ）本實驗合成奈米線的溫度

  9. 5.（）本實驗合成奈米線所通入的氣體（1） Cl2 （2） O2 （3） N2 （4）H2

  10. 5.（2）本實驗合成奈米線所通入的氣體（1） Cl2 （2） O2 （3） N2 （4）H2

  11. 6.（）本實驗合成奈米線的機制

  12. 6.（VLS,VS）本實驗合成奈米線的機制

  13. 7.（）VLS為何

  14. 7.（氣相-液相-固相）VLS為何

  15. 8.（）VS為何

  16. 8.（氣相-固相）VS為何

  17. 9.（）本實驗合成奈米線的觸媒為何

  18. 9.（金）本實驗合成奈米線的觸媒為何

  19. 10.（）本實驗合成奈米線使用的基板為何

  20. 10.（矽,氧化鋁）本實驗合成奈米線使用的基板為何10.（矽,氧化鋁）本實驗合成奈米線使用的基板為何

  21. 11.（）ZnO奈米線的晶體結構

  22. 11.（HCP）ZnO奈米線的晶體結構

  23. 12.（）ZnO為半導體材料

  24. 12.（ ○ ）ZnO為半導體材料

  25. 13.（）ZnO為寬能隙半導體

  26. 13.（ ○ ）ZnO為寬能隙半導體

  27. 14.（）ZnO為功能性氧化物

  28. 14.（ ○ ）ZnO為功能性氧化物

  29. 15.（）HCP的APF為何

  30. 15.（0.74）HCP的APF為何

  31. 16.（）ZnO奈米線的Lattice constants at room temp為a=3.250, c=5.205

  32. 16.（ ○ ）ZnO奈米線的Lattice constants at room temp為a=3.250, c=5.205

  33. 17.（）ZnO為P-Type

  34. 17.（ ○ ）ZnO為P-Type

  35. 18.（）合成奈米線時須放置在爐管中央

  36. 18.（ ○ ）合成奈米線時須放置在爐管中央

  37. 19.（）本實驗鋅粉取（1）0.3 g （2） 1.0 g （3） 2.0g （4）3.3g

  38. 19.（1）本實驗鋅粉取（1）0.3 g （2） 1.0 g （3） 2.0g （4）3.3g

  39. 20.（）ZnO奈米線摻雜何種材料

  40. 20.（Al）ZnO奈米線摻雜何種材料

  41. 21.（）奈米線具有高比表面積

  42. 21.（○）奈米線具有高比表面積

  43. 22.（）奈米線易於應用感測元件

  44. 22.（ ○ ）奈米線易於應用感測元件

  45. 23.（）奈米線易於應用雷測元件

  46. 23.（○）奈米線易於應用雷測元件

  47. 24.（）SEM 全名

  48. 24.（掃描式電子顯微鏡）SEM 全名

  49. 25.（）TEM全名

  50. 25.（穿透式電子顯微鏡）TEM全名

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