1 / 54

פוטוליתוגרפיה

פוטוליתוגרפיה. עקרונות הפעולה, המטרולוגיה, והבקרה של תהליכי הפוטוליתוגרפיה עבור תעשיית המוליכים למחצה. פרופ ’ יוסי שחם המחלקה לאלקטרוניקה פיזיקלית , אונ ’ ת”א . תוכן. עקרונות בסיסים פרמטרים מאפיינים - עומק מוקד, חשיפה, רזולוציה, קונטרסט ועוד טכניקות מדידה - מה מודדים ואיך

severino
Download Presentation

פוטוליתוגרפיה

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript


  1. פוטוליתוגרפיה עקרונות הפעולה, המטרולוגיה, והבקרה של תהליכי הפוטוליתוגרפיה עבור תעשיית המוליכים למחצה פרופ’ יוסי שחם המחלקה לאלקטרוניקה פיזיקלית, אונ’ ת”א.

  2. תוכן • עקרונות בסיסים • פרמטרים מאפיינים - עומק מוקד, חשיפה, רזולוציה, קונטרסט ועוד • טכניקות מדידה - מה מודדים ואיך • עקרונות בקרת תהליך הליתוגרפיה • נושאים חדשים בליתוגרפיה עבורULSI

  3. עקרונות בסיסים • תאור הדמות ( Aerial Image) • תהליך החשיפה • תהליך הפיתוח • בקרת רוחב קו , בקרת ממד קריטי

  4. מהי איכות הליתוגרפיה ? • איכות הפוטורזיסט לאחר החשיפה • בקרת רוחב קו, פרופילהרזיסט, רזולוציה, חלון התהליך • רגיסטרציה • תאימות לתהליך • התגדותלאיכול, יציבות תרמית, אדהזיה, תאימות כימית, היכולת להורדה • ייצוריות • מחיר, בטיחות, פגמים, יציבות, זמן חיי מדף.

  5. ליתוגרפיה כתהליך העברת מידע מסכה תכנון דמות אופטית דמות סמויה בחומר הצילום פיתוח הדמות העתקת הדמות למעגל המשולב

  6. מערכת החשיפה • מאירים את המסכה מצידה האחורי • האור עובר דרך המסכה ומתאבך • תמונת ההתאבכות נעה מהמסכה לעדשה • העדשה אוספת חלק מהגל המתאבך ויוצרת דמות משוחזרת במישור המוקד • יש אובדן מידע הנובע מהגודל הסופי של העדשה

  7. יצירת הדמות - דוגמה הארה קוהרנטית מסכת קוורץ עם שכבת כרום ועליה פסים עם מרחק מחזור P q n חוקבראג:

  8. מסכה עדשה בקוטרD ומרחק fמהמסכה מישור המוקד העדשה

  9. מה קובע את הרזולוציה ? • הרזולוציה יחסית לאורך הגל, l • הרזולוציה משתפרת ככל שה- NA עולה - העדשה אוספת יותר מידע.

  10. קונטרסט הדמות Intensity, I 1 Imax Imin 0

  11. מגבלות הקונטרסט האופטי • מייצג רק מסכה עם פסים ורווחים שווים • לא שימושי לצורות גדולות • רגיש יותר ל-Iminמאשרהרזיסטעצמו • בעל קורלאציה נמוכה לאיכות הליתוגרפיה

  12. הגדרת איכות הדמות • Image Log-Slope (ILS) ILS מוגדר כשיפוע הדמות, בסקלה לוגריתמית, בקצה הנומינלי של הדמות.

  13. הגדרת איכות הדמות (2) • Normalized Image Log-Slope (NILS) NILS מוגדר כשיפועהמנורמל של הדמות, בסקלה לוגריתמית, בקצה הנומינלי של הדמות. W הנו רוחב הקו הנומינלי.

  14. במה תלויה איכות הדמות? • הפרמטר המקובל הנו ה- NILS • הוא תלוי במרחק בין משטח המוקד האידיאלי למשטח הדמות האמיתית (הפרוסה). גודל זה קרוי ההסחה מהמוקד או ה- Defocus. NILS l=365 nm s=0.45, NA=0.5 p=1 mm (L=S) 6 3 0 Defocus [mm] 0 0.5 1.0 1.5

  15. חלון התהליך של החשיפה • מרווח החשיפה - Process latitude • השינויים בעוצמת החשיפה גורמים לשינויים ברוחב הקו.

  16. אפיון מרווח החשיפה • בדרך כלל הוא תלוי ב- NILS באופן ליניארי • NILS ניתן לחישוב בעזרת תכניות סימולציה • EL מדוד על פרוסה או מתוך סימולציה.

  17. הגדרות • רזולוציה • הדמות הקטנה ביותר שתיתן ערך נתון שלILS , הגדול או שווה מערך נתון שלILS ,עבור תחום הגדרת מוקד מסוים. • עומק מוקד • תחום הסטייה ממשטח המוקד האידיאלי, שיתןILS הגדול או שווה מערך נתון שלILS, עבור דמות נתונה. ניתן להגדיר באופן דומה ביחס למרווח חשיפה (EL) נתון

  18. אפיון מכשיר החשיפה - ה- Stepper • נתוני בחירה - NA, דרגת הקוהרנטיותs, אורך הגלl. • תאור המסכה - רוחב הקו, המחזור. • כמות הסטייה האפשרית מהמוקד המצטברת בתהליך החשיפה • הנחה בסיסית - הדמות הטובה ביותר תיתן את תהליך הליתוגרפיה הטוב ביותר.

  19. התמונה הסמויה • הדמות האופטית פועלת על שכבה דקה של חומר רגיש לאור - פוטורזיסט • החומר מכיל תרכובת פעילה הקרויה: • PAC - Photo Active Compound • ריכוז הPAC מסומן כ - m - וזו התמונה הסמויה • מכפלת עוצמת ההארה (I) בזמן ההארה נותנת את אנרגיית החשיפה. • m הנו פונקציה של אנרגיית החשיפה

  20. הקינטיקה שלריאקצית החשיפה • m - ריכוז ה- PAC • I - עוצמת האור • t - זמן ההארה • C - קבוע הקצב של החשיפה

  21. בליעת האור בחומר הצילום • חומר הצילום בולע אור • הבליעה יחסית לריכוז ה- PAC

  22. מאפייני הדמות הסמויה גרדיאנט הדמות הסמויה (LIG) דוגמה: פוטורזיסט עם בליעה קבועה (I לא תלוי זמן) • שיפוע התמונה הסמויה מכסימלי עבור m=0.37 • כאשר יש בליעה מקבלים ששיפוע התמונה הסמוי מכסימלי עבור 0.2 < m < 0.5

  23. 1 10 100 1000 הקונטרסט של הפוטורזיסט עובירזיסט מנורמל 1 0.8 0.6 0.4 0.2 0.0 שיפוע - g E0 - אנרגית הסף להורדתהרזיסט E, אנרגית החשיפה[mJ/cm2]

  24. הקונטרסט של הפוטורזיסט R = קצב הפיתוח ( בננומטרלשניה) E = אנרגית החשיפה [mJ/cm2]

  25. פיתוח • פיתוח רטוב - הרזיסט מתאכלבמפתח בסיסי • קצב הפיתוח עולה כשריכוז ה- PAC יורד. חשיפה

  26. סיכום ביניים תהליך פונקציה מאפיינת • יצירת תמונהILS, NILS • חשיפהגרדיאנט הדמות הסמויה • פיתוחגרדיאנט קצב הפיתוח • סה”כ התהליךמרווח החשיפה - Exposure latitude

  27. אופטימיזציה של הליתוגרפיה • ILS הנו מדד טוב שכן הוא יחסי ל- EL • ILSתלוי בסטייה מהמוקד (Defocus) • הפרמטרים של הפיתוח והדמות הסמויה תלוייםברזיסט, במפתח, ובתהליכים הקשורים בהם. • האופטימום לחשיה יכול להימצא באופן ניסויי ע”י הרצת מטריצת חשיפה כנגד פיתוח עבור דמות ממוקדת היטב.

  28. אופטימיזציה של הליתוגרפיה • הקונטרסט שלהרזיסטתלוי במטריצת החשיפה והפיתוח. • פיתוחהרזיסטהנו תהליך דו ממדי • הקונטרסט שלהרזיסטיכוללהמדדבמכשור מיוחד (שכנראה לא קיים בשוק יותר…)

  29. בקרת רוחב הקו • מה קובע את יכולת בקרת התהליך ? • השגיאות האקראיות בתהליך הייצור • תגובת התהליך לשגיאות הללו

  30. הגדרת מרווח החשיפה • מרווח החשיפה = רוחב הקו CD +10% CD CD-10% Nominal linewidth אנרגית החשיפה E(CD+10%) E(CD) E(CD-10%)

  31. השפעת המצע • המצע מחזיר חלק מהאור ויוצר תבנית גלים עומדים ללא החזרות עם החזרות

  32. פתרון לבעיית הגלים העומדים • הכנסת שכבה לא מחזירה • ARC - Anti Reflective Coating • דוגמה: • הוספת שכבת טיטניום-ניטריד (TiN ) מעל שכבת אלומיניום. • הוספת צבע בולעלרזיסט (פתרון מוגבל)

  33. דרישות מהפוטורזיסט • רוחב קו - נומינלי 10%± • זווית צד > °80÷÷÷ ÷÷ • אובדןרזיסט < 10%

  34. מציאת עומק מוקדאידאלי רוחב קו CD E עולה מיקום המוקד

  35. עומק מוקד • עומק המוקד ( DOF ) - תחום המוקד שנותן את פרופילהרזיסטלפי הדרישות לרוחב קו נתון ועומד בדרישות של מרווח חשיפה נתון.

  36. דוגמה: השגיאה במרחק המוקד שגיאות אקראיות • חימום העדשה 0.10 מיקרון • השפעת הסביבה 0.20 מיקרון • הטית המסכה 0.05 מיקרון • מישוריות המסכה 0.12 מיקרון • מישוריות הפרוסה 0.30 מיקרון • מישוריות המכשור 0.14 מיקרון • הדירות המכשיר 0.20 מיקרון • השגיאה בקביעתDOF 0.30 מיקרון • רעידות 0.10 מיקרון • סה”כ 0.60 מיקרון

  37. שגיאת המוקד הבנויה במערכת ( BIFE ) • שגיאות אקראיות 0.6 מיקרון • טופוגרפיה 0.5 מיקרון • עקמומיות שדה ואסטיגמטיזם0.4מיקרון • עובי הרזיסט0.1מיקרון • סה”כ השגיאה ( BIFE ) 1.6 מיקרון

  38. קביעת חלון התהליך אנרגית החשיפה תחום אבדןרזיסט < 10% תחום ה- CD אנרגית החשיפה הנומינלית חלון התהליך תחוםזוותצד > 80 0 מיקום המוקד

  39. שיטות לשיפור חלון התהליך • חשיפה במספר מרחקי מוקד המוקד למעלה פוטורזיסט המוקד למטה פוטורזיסט

  40. הוספת חומר מגדיל קונטרסט • CEL - Contrast Enhanced Lithography הCEM נעשה שקוף באזור המואר

  41. הנדסת חזית הגל • בקרת העוצמה והפאזה של גל האור • עיצוב המסכה - הוספת אלמנטים הקטנים מגבול הרזולוציה. • OPC - Optical Phase Correction • הוספת אלמנטים מסיחי פאזה • PSM - Phase Shifting Masks • הארה מיוחדת - בזווית • מסננים במישור הצמצם

  42. תיקון פאזה אופטי ( OPC ) מסכה רגילה מסכה עםOPC הסחת פינה פנימה -Pullback תיקון פינה Serif

  43. הסחת פאזה על המסכה • ע”י הוספת שכבות דקותדיאלקטריותשקופות שכבהמסיחתפאזה - Shifter n - מקדם השבירה של השכבההדיאלקטרית d - עובי השכבה הדיאלקטרית

  44. הסחת הפאזה - משפרת את הקונטרסט האופטי הסחת פאזה של °180 E, mask E, Wafer I=|E|2 E - השדה החשמלי, I - עוצמת ההארה

  45. סוגיPSM • מסכות בליעה רגילות עם תיקונים ע”י הסחה ב- °180 • מסכות ללא בליעה עם העברה בהסחות של °0 ו- °180. • מסכות עם בליעה חלשה והסחת פאזה (Leaky chrome ) • מסכות עם מספר הסחות פאזה • מסכותהולוגרמיות

  46. הארה לא מקבילה • קרוי גםOFF-AXIS • יותר תדרים מרחביים “נכנסים” לעדשה. הארה בזווית

  47. שילובOAI ו- PSM • OAI ו- PSMמשפרת את חלון התהליך ומקטינה תלות בטופולוגיה של המעגל • משפר חורים וקווים • ניתן לשילוב עם מספר סוגיPSM

  48. אפיון הליתוגרפיה • מדידות רוחב קו • מדידות אופטיות • מדידות בעזרתSEM-CD • מדידות צורת הקו • מדידות בעזרתSEM ו- FIB • מדידותפרמטרי הרזיסט - A,B,C • מדידותפרמטריהחשיפה

  49. בקרת תהליך הליתוגרפיה • בקרת החשיפה • אנרגית החשיפה • מיקום יחסית למוקד • בקרת הפוטורזיסט • בקרה לפני החשיפה - Pre-exposure • בקרה אחרי החשיפה - Post-exposure • בקרת הפיתוח • טמפרטורה, זמן, ריכוזים

  50. תהליכי ליתוגרפיה • תהליכי איכול • איכול כימי רטוב • איכול יבש בפלזמה • השתלת יונים • תהליכי ניקוי • הסרת הפוטורזיסט • ניקוי רטוב - בממסים אורגנים או מאכלים • ניקוי יבש - בפלזמה של חמצן - ASHING

More Related