1 / 44

Szenzorok főbb típusai

SENSOR. Szenzorok főbb típusai. - piezo ellenállás ill. feszültség - kapacitív - optoelektronikus - mágneses - mikrohullámú (radar) - lézer - akusztikus ill. ultrahangos. SENSOR. Előállítási technológiák. - Hagyományos, diszkrét elemekből - szilicium planar, System-on-Chip (SoC)

ronni
Download Presentation

Szenzorok főbb típusai

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript


  1. SENSOR Szenzorok főbb típusai - piezo ellenállás ill. feszültség - kapacitív - optoelektronikus - mágneses - mikrohullámú (radar) - lézer - akusztikus ill. ultrahangos VLSI

  2. SENSOR Előállítási technológiák - Hagyományos, diszkrét elemekből - szilicium planar, System-on-Chip (SoC) - MEMS (Micro-Electro-Mechanical-System) - vékonyréteg techn. - vastagréteg techn. - mikrohullámú, optikai, stb. VLSI

  3. Szenzor Adatátvitel Intelligens szenzor blokksémája A/D átalakító Jel elő-készítő RF Jelfeldolgozó Processzor Adat memória Program memória VLSI

  4. SENSOR Szenzorok intelligenciája - kompenzálás, kalibrálás - analóg-digitál átalakítás - jelfeldolgozás, szűrés, tömörítés - tárolás - adatátvitel - programozhatóság, adaptivitás, öntanulás - Ön-teszt (BIST, Built-In Self Test) VLSI

  5. SENSOR Implantált (hordozható) szenzorokAlapprobléma: fogyasztás • - szakaszos (sleep) üzemmód • - optimalizált algoritmusok • külső energiaforrások (transzponderek) • rádiófrekvenciás átvitel …távolságok ...? VLSI

  6. SENSOR Micro-Electro-Mechanical-System (MEMS) technológiák • igen kis méretek • jól integrálható Marással eltávolított alapkristály (üreg) Leválasztott poliszilicium réteg Eltávolított oxidréteg Cantilever Cantilever Szilicium szubsztrát Szilicium szubsztrát Tömbi MEMS technológia Felületi MEMS technológia viszonylag nagyobb méretek • integrálhatóság ? VLSI

  7. 100m Mechanika Integrálható tapintásmérő - piezorezisztív jelátalakítás - pórusos Si alapú mikromechanikai megmunkálás elsőként - a felületi és tömbi mikromechanika előnyeinek kombinációja - egykristályos, integrálható érzékelő elem - újdonság VLSI

  8. Mechanika MEMS lebegő hidas érzékelő kapcsolási rajza VDD V1 Változó (megnyomott) ellenállások Referencia ellenállások GND VDD VDD V2 V4 Lebegő híd 6 kivezetés/híd VDD V3 GND VLSI

  9. Mechanika VCC Sín R2 RREF Tapintásmérő jel-erősítő R1 U2 Uk U1 RMÉRŐ VCC dekóder Érzékelő PAD helipot Tapintó-érzékelő a panelen VLSI

  10. MOS kapacitív érzékelő Polymer-kapacitás (veszteséges) Oxid-kapacitás polymer GND Mérési pont SiO2 n-szilícium fémcsíkok VLSI

  11. Kémia ISFET (Ion Sensitive FET) térvezérelt érzékelő tranzisztor UG Folyadék-tér Referencia-elektróda US UD SiO2 n-source n-drain p-szilícium csatorna A tranzisztor ID(UGS)-görbéje hidrogén hatására balra (-U) tolódik el VLSI

  12. Kémia ChemFET térvezérelt kémiai érzékelő tranzisztor Referencia elektróda Folyadék-tér UG ion-szelektív áteresztő membrán hydrogel US UD SiO2 n-source n-drain p-szilícium csatorna A tranzisztor ID(UGS)-görbéje hidrogén hatására balra (-U) tolódik el VLSI

  13. Kémia Differenciális (két tranzisztorból álló) ChemFET érzékelő Mérendő gáz Szelektív védőburok Referencia ChemFET ChemFET VLSI p72

  14. Kémia Multi-szenzoros elrendezés Ablak Szigeteletlen, lebegő gate S1 D1 S2 D2 S3 D3 Minimum 3 szerves anyag érzékelése VLSI

  15. Kémia Gázérzékelés „mikro-fűtőlap” (hotplate) segítségével Vastag-réteg film SnO2 ellenállás Hőmérséklet-érzékelő E2 mérőelektróda E1 mérőelektróda Szigetelő membrán p-szilícium szubsztrát Poliszilícium fűtőellenállás n-szilícium sziget Hotplate hőmérséklet: 250-350 oC VLSI

  16. Kémia Érzékelő octagonális (a) és circuláris (b) „hotplate” fűtőelemmel, hőszenzorral és elektródákkal Változó ellenállás VLSI

  17. A 32-csatornás „szita” érzékelő vázlata Neural Elvágott és a szitán átnövő, regenerálódott idegszálak Külső adótekercs On-chip elektronika Külső adótekercs C-tároló Adó vevőtekercs Controller C-hangoló Szilícium szalagkábel C-buffer Üveg tokozás Szilícium szita Elektróda (MEMS) VLSI

  18. A 32-csatornás „szita” érzékelő külső egysége Neural Burkoló detektor Vezérlő bemeneti jel Adó Órajel- generátor CLK Adótekercs Mért jel Adat-kódoló VDD Feszültség- szabályozó vevőtekercs C-hang. GND VLSI

  19. 3.3. A 32-csatornás „szita” érzékelő belső egysége Neural (Egyidejűleg két, tetszés szerint kiválasztott elektróda potenciálját méri) 2:1 Analóg multiplexer Csatorna- szelektor Elektródák Power on reset Vezérlő- jel Controller CLK Előerős. Áram- fesz. konv. Mért jel VDD Előerős. A/D konverter GND IREF VLSI

  20. A 32-csatornás érzékelő adatátviteli protokollja Neural Start 1 0 1 0 Start 0 1 0 0 Power up Write 10-bit csatorna cím Read 16-bit digitalizált érték ( 2 x 5-bit → 2 elektróda a 32-ből) Chip: 3m BiCMOS techn., 4 x 6 mm, 5000 tranzisztor, CLK=2 MHz, VDD=5,2V, P  90mW VLSI

  21. MUX Tipikus kétutas mérőrendszer felépítése Neural ASK dekóder 250 ksample/s 1,4mW / 3V Clock recovery 10bit A/D Táp E-oszt. meghajtó Control Logika Regiszterek Power on Reset Endekóder 4 MHz 60 kb/s 6-15V 2 mW Keverő Oszcillátor Aktív transmit VLSI

  22. Analóg MOS-kapcsoló helyettesítőképe Analóg Unyitó Uki Ube nMOS rON Unyitó Unyitó G pMOS Cg s Cg d rsd K D S Uki VTn Ube VTp 0 5V Ube Cd b Cs b eredő C terhelő RC=integráló tag ! Spektrum…! VLSI

  23. Analóg Chopper-stabilizált erősítő Főerősítő Ube Uki Hibaképző és kompenzáló K Chopper stabilizált mellékerősítő VLSI

  24. 1,8V T6 T7 T8 1,14V 100/0,6 200/0,6 100/0,6 100A 200A T1 1,14V 160/0,4 T2 300Ω 2pF U+ U- 160/0,4 1,14V Uki 100A 1,2V 0,64V T5 50A 160/0,8 T4 T3 40/0,8 40/0,8 Kétfokozatú CMOS műveleti erősítő Analóg 0,25m techn. λn=0,02/V λp=0,04/V γ=0,4 [V-1/2] VTn=0,48V VTp=-0,48V G=70 dB GBW=75MHz φm=55o P=0,72mW VLSI

  25. Ifűtő IREF USzab Szabályzó áramkör „fűtő”-tranzisztor Hőmérséklet-mérő Szilícium-dióda Differenciál-erősítő On-chip thermosztát Analóg Faichild, 1964 VLSI

  26. å = U R I ki 1 Egylépéses áramösszegző D/A D/A conv VCC R1 Virtuális föld Sín I - Sín Uki Iref + K7 K0 K1 I0 2.I0 T1 T8 128.I0 Di Di K-kapcsoló -USS VLSI

  27. Áramok kapacitív tárolása D/A conv +U ITÁR + - C -U VLSI

  28. Ha 2IBE>IREF, akkor d=1 +V Φ3 C3 4 IBE T3 2IBE S 2 1 3 - + Φ1+ Φ3 Φ2+ Φ3 Áram- komparátor d (Φ1+ Φ2) + Φ4 T1 T2 Φ2 IREF IBE IBE C1 C2 Φ1 -V S Áramkapcsolós, ciklikusan működő A/D átalakító D/A conv d VLSI

  29. I3 „átmásolása” C1 és C2-be…. D/A conv Ha IX>IREF, akkor d=1 +V Φ3 C3 I3 T3 d - + Φ1+ Φ3 Φ2+ Φ3 Áram- komparátor d (Φ1+ Φ2) + Φ4 I2 I1 T1 T2 Φ2 IREF C1 C2 Φ1 -V VLSI

  30. Áramkapcsolós A/D további lépései D/A conv +U 2. lépés: d=1, S=0 I3= 2IBE I1=I2=2IBE-IREF I3=(I1+I2)=4IBE-2IREF 4IBE-2IREF>IREF → IBE>3/4 IREF 3. lépés: d=1, S=0 I1=I2=I3-IREF=4IBE-3IREF I3=(I1+I2)=8IBE-6IREF 8IBE-6IREF>IREF→ IBE>7/8 IREF I - + C -U VLSI

  31. VLSI áramkörök megvalósitási lehetőségei PLA Szempontok: - sebesség - fogyasztás - költségek, ár - tervezés, korrekció Költség Programozható (Gate-array, SoC) Cellás tervezés Full-custom (tipikus: mobil) Darabszám 1000 10,000 100,000 VLSI

  32. VCC p p Q n n Control Gate Floating Drain Source Tunnel Szigetelő Programozott áramkörök programtároló elemei FPGA • Statikus flip-flop • EEPROM/FLASH • Antifuse VLSI

  33. P Q D C EEPLD „Makrocella” felépítése FPGA Output Enable Preset EEPROM cella Programozható flip-flop inverz I/O pin sum Prog. Prog. products Cella órajel Inputs Clear Global órajel Bemenetekről Makrocellákról I/O-ról VLSI

  34. I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O Macrocell Macrocell Macrocell Macrocell Macrocell Macrocell Macrocell Macrocell Macrocell Macrocell Macrocell Macrocell Macrocell Macrocell Macrocell Macrocell Macrocell Macrocell I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O FPGA EPLD blokkvázlata (Altera) Global Clock Programmable Interconnect Array (PIA) VLSI

  35. SWITCH MATRIX CLB CLB - Programozható • Szomszédos cellák • között fix CLB CLB - Globális vonalak • Long-range • vonalak PASS-TRANZISZTOROS ÖSSZEKÖTTETÉSEK(XILINX) FPGA VLSI

  36. 18V ACTEL-TEXAS antifuse memória-elem FPGA Poliszilicium vezeték SiO2 szigetelő Oxid-Nitrid-Oxid (ONO) ultravékony szigetelő n-adalékolt réteg Rnormal> 10 MΩ Rátütött < 300Ω VLSI

  37. FPGA System-on-Chip (SoC) áramkörök 8-bites mikrocontroller Dual-port memória FPGA VLSI

  38. Atmel System-on-Chip (SoC) áramkör FPGA 50K kapu, 3V, 18Kbit, 100MHz, 384I/O. vezetékek a memória és C felé I/O cellák cella Vertikális sínek: 5 x 1 local+2expr. Horizontális Sínek: 5 x 1 local + 2 express Csatlakozási lehetőség h/v Segment = 4 x 4 cella 32 x 4 bit memória Local: 4cella, Expr:8 cella I/O cellák VLSI

  39. Atmel System-on-Chip (SoC) áramkör FPGA N NW NE Express line W E Local line Cella Cella Cella Kapcsolódási pontok SW SE S Cellák közti közvetlen kapcsolat VLSI

  40. Perifériás int. Soros interfész Timer 2 Timer1 Watchdog Port A Port A Port A Port A 8 8 8 8 Proc. Reset Interrupts XTAL Mód Analóg bemenetek Interruptok Órajel System control A/D konverter Vcc,a Vss,a 3 I/O Rx CPU RAM Tx Event EPROM Data EEPROM PWM Event PWM Vcc Vss 8-bites microcontroller blokksémája Address low Address high Data Control VLSI

  41. Proc. Mikrokontrollerek főbb jellemzői • von Neumann, vagy Harvard-típusú felépítés • Sebesség (egy művelet végrehajtási ideje) • Program-memória típusa (Flash) és mérete • On-chip RAM mérete • Külső memória-bővítés • Fogyasztás aktív üzemben • Kisfogyasztású, takarékos üzemmódok • Utasítás-készlet (RISC) • On-chip A/D ill. D/A átalakító • Interfészek (I2C, CAN, USB) • Extra szolgáltatások VLSI

  42. Proc. ”Energia-takarékos” (Standby) üzemmódok Különböző, nem egységes elnevezések: Power-save, Standby, Sleep, stb. Módok: 1. Egyes egységek leállítva, program szerint („Half active”) 2. Sleep: csak az „awake”-figyelés működik 3. Mint „Sleep”, de közben számolja az időt és időre visszatér 4. Csak interfész-t figyel 5. „HALT” leállítja az órát, minden leáll – reset-tel vagy külső órával indítható újra 6. Sub-clock (NEC találmány): 30kHz-es clock-ra vált át. VLSI

  43. Esemény bemenet 16-bit capture/ compare reg. 8-bit előszámláló compare PWM 16-bit számláló compare 16-bit capture/ compare reg. SW Reset Capture Ext. reset Overflow Flag+Int. Flag+Int. Flag+Int. Flag+Int. Proc. Timer/Counter egység VLSI

  44. Interface Az RS-232 soros átviteli szabvány LSB 2 4 5 6 7 1 3 0 STOP BIT START BIT Mintavétel 33% és 66%-nál VLSI

More Related