slide1 n.
Download
Skip this Video
Loading SlideShow in 5 Seconds..
Біполярний транзистор PowerPoint Presentation
Download Presentation
Біполярний транзистор

Loading in 2 Seconds...

play fullscreen
1 / 9

Біполярний транзистор - PowerPoint PPT Presentation


  • 177 Views
  • Uploaded on

Біполярний транзистор. Виконав учень 10-Б класу Сквирського л іцею Закаблуцький Ярослав. Біполярний транзистор - напівпровідниковий прилад з одним або декількома електричними переходами, призначений для посилення , перетворення і генерації електричних сигналів .

loader
I am the owner, or an agent authorized to act on behalf of the owner, of the copyrighted work described.
capcha
Download Presentation

PowerPoint Slideshow about 'Біполярний транзистор' - raymond-rice


An Image/Link below is provided (as is) to download presentation

Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author.While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server.


- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E N D - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
Presentation Transcript
slide1

Біполярний транзистор

Виконавучень 10-Б класу

Сквирського ліцею

Закаблуцький Ярослав

slide2

Біполярний транзистор - напівпровідниковийприладз одним абодекількомаелектричними переходами, призначений для посилення, перетворенняігенераціїелектричнихсигналів.

  • Пристрійплощинногобіполярного транзистора показаний на малюнку.
slide3

Вся конструкціявиконується на пластинікремнію, абогерманію, абоіншогонапівпровідника, в якій створено три областізрізними типами електропровідності. На малюнку транзистор типу n-p-n, у якогосередня область здірчастою, а крайнізелектронноюелектропровідністю.

  • Середня область називається базою , одна зкрайніх областей - емітером , інша - колектором . Відповідно в транзисторі два p-n-переходи: емітерний - між базою іемітероміколекторний - міжбазоюіколектором.
  • Транзистори: біполярнітранзистори - Про транзистор біополярному.Областьбази повинна бути дужетонкої, набагатотоншеемітерноїіколекторної областей (на малюнкуце показано непропорційно). Відцьогозалежитьумовахорошоїроботи транзистора.
  • Транзистор працює в трьох режимах залежновіднапруги на його переходах. При роботі в активному режимі на емітерномупереходінапруга пряма, на колекторному - зворотне. У режимівідсічення на обидва переходи подана зворотнанапруга. Якщо на ці переходи подати прямунапругу, то транзистор працюватиме в режимінасичення.
slide4
Фізичніпроцеси
  • Візьмемо транзистор типу n-p-n в режимі без навантаження, коли підключенотільки два джерелапостійноїживлячоїнапруги E1 і E2. На емітерномупереходінапруга пряма, на колекторному - зворотне (мал. 2). Відповідно, опіремітерного переходу малийі для отримання нормального струму достатньонапруги E1 в десятідолі вольта.
  • Опірколекторного переходу великий інапруга E2 складаєзазвичай десятки вольт.
slide5

(Мал 2). Рух електронівідірок в транзисторі типу n-p-n.

Відповідно, як іраніше, темнікухликиізстрілками - електрони, червоні, - дірки, великікухлі - позитивно і негативно зарядженіатомидонорівіакцепторів.

Вольт-амперна характеристика емітерного переходу є характеристикою напівпровідниковогодіода при прямому струмі, а вольт-амперна характеристика колекторного переходу подібна ВАХ діода при зворотномуструмі.

slide6

При збільшенніпрямоївхідноїнапругиuб-эзнижуєтьсяпотенційнийбар’єр в емітерномупереходіі, відповідно, зростає струм через цейперехідiэ. Електроницього струму інжектруютсяземітера в базу ізавдякидифузіїпроникаютькрізьбазу в колекторнийперехід, збільшуючи струм колектора.

  • Оскількиколекторнийперехідпрацює при зворотнійнапрузі, то в цьомупереходівиникаютьоб’ємні заряди (на малюнкувеликікухлі). Між ними виникаєелектричне поле, яке сприяєпросуванню (екстракції) через колекторнийперехіделектронів, щоприйшлисюдиземітера, тобтовтягуютьелектрони в область колекторного переходу.
  • Якщотовщинабазидостатньо мала іконцентраціядірок в нійневіліка, то більшістьелектронів, пройшовши через базу, не встигаютьрекомбінуватиздіркамибазиідосягаєколекторного переходу. Лише невелика частинаелектроніврекомбінує в базіздірками. В результатіцьоговиникає струм бази. Струм базиєдаремнимінавітьшкідливим. Бажано, щобвінбувякомогаменше. Саме тому базову область роблятьдуже тонкою ізменшують в нійконцентраціюдірок. Тодіменше число електронів буде рекомбінуватиздіркамиі, струм бази буде незначним.
slide7

Коли до емітерного переходу не прикладенанапруга, можнавважати, що в цьомупереході струму немає. Тоді область колекторного переходу маєзначнийопірпостійному струму, оскількиосновніносіїзарядіввіддаляютьсявідцього переходу і по обидвімежістворюютьсяобласті, збідненіциминосіями.

  • Через колекторнийперехідпротікаєдуже невеликий зворотний струм, викликанийпереміщеннямназустріч один одному неосновнихносіїв. Якщо ж піддієювхідноїнапругивиникаєзначний струм емітера, то в базу з боку емітераінжектруютсяелектрони, для даноїобластіщоєнеосновниминосіями. Вони доходять до колекторного переходу не встигаючирекомбініроватиздірками при проходженні через базу.
  • Чим більше струм емітера, тимбільшеелектронів приходить до колектора, тимменшестаєйогоопір, отже, струм колекторазбільшується.
  • Аналогічніявищавідбуваються в транзисторі типу p-n-p, треба тількимісцямипомінятиелектрониідірки, а такожполярністьджерелE1 іE2.
slide8

Крімрозглянутихпроцесівіснуєще ряд явищ. При підвищеннінапруги на колекторномупереході в німвідбуваєтьсялавиннерозмноження заряду, обумовлене в основному ударною іонізацією. Цеявищеітунельнийефектможутьвикликатиелектричнийпробій, який при зростанні струму може перейти в тепловийпробій.

  • Все відбуваєтьсятакож, як у діодів, але в транзисторі при надмірномуколекторномуструмітепловийпробійможенаступити без попередньогоелектричного пробою, тобтотепловийпробійможенаступити без підвищенняколекторноїнапруги до пробивного.
slide9

При змінінапруги на колекторномуіемітерному переходах змінюєтьсяїхтовщина, внаслідокчогозмінюєтьсятовщинабази. Цеявищеназиваєтьсямодуляцієютовщинибази. Особливо важливовраховуватинапругуколектор-база, оскільки при цьомутовщинаколекторазростає, товщинабазизменшується.

  • При дужетонкійбазіможевиникнутиефектстулення (так званий “прокол” бази) - з’єднанняколекторного переходу земітерним. При цьому область базизникаєі транзистор перестає нормально працювати.
  • При збільшенніінжекціїносіївземітера в базу відбуваєтьсянакопиченнянеосновнихносіїв заряду в базі, тобтозбільшенняконцентраціїісумарного заряду цихносіїв. А ось при зменшенніінжекціївідбуваєтьсязменшенняконцентраціїісумарного заряду цих самих носіїв в базііцейпроцесобізвалирозсмоктуваннямнеосновнихносіївзарядіввбазі.
  • При експлуатаціїтранзисторівзабороняєтьсярозриватиланцюгбази, якщо не включено живленняланцюгаколектора. Треба такожвключатиживленняланцюгабази, а потімланцюгиколектора, але не навпаки.