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第 四 章半导体二极管及其基本电路 半导体器件的优点：体积小、重量轻、使用寿命长、输入功率小和功率转换效率高等。 § 4 .1 半导体的基本知识 一、半导体材料：

第 四 章半导体二极管及其基本电路 半导体器件的优点：体积小、重量轻、使用寿命长、输入功率小和功率转换效率高等。 § 4 .1 半导体的基本知识 一、半导体材料： 1、本征半导体：是一种完全纯净的结构完整的半导体晶体。 2、空穴：电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后，共价键中所留下的空位。 3、半导体区别于导体的一个重要特点是空穴的出现。 4、P（3价）、N型半导体（5价）。. § 4 .2 PN 结的形成及特性 一、PN结的形成： 二、PN结的单向导电性。 1、外加正向电压（正偏）。 2、外加反向电压（反偏）。

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第 四 章半导体二极管及其基本电路 半导体器件的优点：体积小、重量轻、使用寿命长、输入功率小和功率转换效率高等。 § 4 .1 半导体的基本知识 一、半导体材料：

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  1. 第四章半导体二极管及其基本电路 半导体器件的优点：体积小、重量轻、使用寿命长、输入功率小和功率转换效率高等。 §4.1 半导体的基本知识 一、半导体材料： 1、本征半导体：是一种完全纯净的结构完整的半导体晶体。 2、空穴：电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后，共价键中所留下的空位。 3、半导体区别于导体的一个重要特点是空穴的出现。 4、P（3价）、N型半导体（5价）。

  2. §4.2 PN结的形成及特性 • 一、PN结的形成： • 二、PN结的单向导电性。 • 1、外加正向电压（正偏）。 • 2、外加反向电压（反偏）。 • 3、PN结的单向导电性是指正向电阻很小，反向电阻很大，其关键在于它的耗尽区的存在，且其宽度随外加电压而变化。 • 三、PN结V—I特性的表达式： • 四、PN结的反向击穿： • 1、反向击穿；2、反向击穿电压；3、热击穿；4、产生PN结电击穿的原因是：在强电场作用下，大大地增加了自由电子和空穴的数，引起反向电流的急剧增加。分为两类：雪崩击穿：碰撞理论解释；齐纳击穿：杂质浓度大（稳压管，齐纳二极管）

  3. §4.3 半导体二极管 • 一、半导体二极管的结构： • 点接触型：PN结面积小，适于做高频检波和脉冲数字电路里的开关，也可作小电流整流。 • 面接触型：适用于整流，不宜用于高频电路。 • 二、二极管的-I特性：（同PN结） • 1、正向特性： • 2、反向特性：电流很小。 • 3、反向击穿，同PN结。 • 三、二极管的参数 • 1、最大整流电流IF是指管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。 • 2、反向击穿电压VBR：指管子未击穿时的电压值。 • 3、反向电流IR：指管子未击穿时的反向电流。

  4. 半导体三极管及放大电路基础 §4.4 半导体BJT 一、BJT（Bipolar Junction Transistor)：是通过一定的工艺，将两个PN结结合在一起的器件。 二、BJT（晶体管）分类： 1、按频率分：高频管；低频管 2、按功率分：大功率管；中功率管；小功率管 3、按材料分：硅管；锗管 4、按结构分：NPN型：虽然发射区和集电区都是N型半导体，但发射区比集电区掺的杂质多，面积小。 PNP型：

  5. 三、BJT的电流分配与放大作用： • 1、BJT的放大作用：1）外部条件：发射结要正向偏置，集电结要反向偏置。2）内部条件：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小。 • 2、BJT内部载流子的传输过程： • 1）发射区向基区注入电子； • 2）电子在基区中的扩散与复合，基极电流就是电子在基区与空穴复合的电流。 • 3）集电区收集扩散过来的电子。 • 3、电流分配关系： • 4、放大作用：输入信号VI是首先通过发射结的电压变化改变输入电流IE的，再利用IE的变化去控制IC，而表征NJT电流控制作用的参数就是电流放大系数。

  6. 三极管处于放大状态时，三个极上的 电流关系： 电位关系： 三极管工作情况总结1： I 状态 发射结 集电结 C 0 截止 反偏或零偏 反偏 b I 放大 正偏 反偏 B b I 正偏或零偏 < 饱和 正偏 B

  7. 三极管工作情况总结2： • 1）根据发射结和集电结的偏置电压来判断；2）根据静态工作点来判断：IBQ 0，管子工作在截止区， ICQ =IBQ，管子工作在放大区， IBQ >ICQ/ ，管子工作在饱和区；3）根据UBEQ值来判断Si ： UBEQ  0.5V，管子工作在截止区， UBEQ  0.6V  UCEQ管子工作在饱和区，4）根据UBEQ值来判断： UCEQ=EC，管子工作在截止区， UCEQ=0，管子工作在饱和区

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