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《 模拟电子技术 》

《 模拟电子技术 》. 三极管及放大电路 1. 晶体三 极管放大原理. 一、三极管的结构和符号. 结构特点： 发射区 : 多子浓度高 基区 : 多子浓度很低，且很薄 集电区 : 面积大. 晶体管有三个极、三个区、两个 PN 结. 晶体三 极管放大原理. 二、晶体管的放大原理. 晶体管的最基本特性：电流放大作用. 1. 晶体管的放大条件. 发射结正偏： u BE ＞ U ON 集电结反偏： u CE ≥ U BE. 或. 对 NPN 管： u C > u B > u E 对 PNP 管： u C < u B < u E.

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Presentation Transcript

  1. 《模拟电子技术》 三极管及放大电路 1

  2. 晶体三极管放大原理 一、三极管的结构和符号 结构特点： 发射区: 多子浓度高 基区: 多子浓度很低，且很薄 集电区: 面积大 晶体管有三个极、三个区、两个PN结

  3. 晶体三极管放大原理 二、晶体管的放大原理 晶体管的最基本特性：电流放大作用 1. 晶体管的放大条件 发射结正偏：uBE＞UON 集电结反偏：uCE≥UBE 或 对NPN管：uC>uB>uE 对PNP管：uC <uB<uE

  4. 晶体三极管放大原理 2. 内部载流子的运动 发射区多子浓度高使大量电子从发射 区扩散到基区，扩散运动形成IE电流 因基区薄且多子浓度低，使极少数扩 散到基区的电子与空穴复合 复合运动形成IB电流 因集电区面积大，在外电场作用下大 部分扩散到基区的电子漂移到集电区 漂移运动形成IC电流 电子与空穴均参与导电 故称双极型晶体管

  5. 晶体三极管放大原理 3.电流分配关系 IE＝IB＋IC IC= IB IE＝(1+)IB ---共射极电流放大系数 α---共基极电流放大系数

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