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P7. 中間赤外観測装置用 極低温バッファ回路のための 汎用 FET の特性検査. 岡田一志 、宮田隆志、酒向重行、上塚貴史、中村友彦、浅野健太朗、内山瑞穂 ( 東京大学 ). 低温プリアンプのための GaAs FET. 大規模化が進む中間赤外線観測 装置 4 ~ 20K 程度の極低温で動作する低温プリアンプの必要性に せまられる 極低温 で (安定) 動作 されるとされている GaAs FET を 使い、シンプルなプリアンプを構成したい 現在市販されて いる GaAs FET から 、良好な低温特性を もつ もの を 探す. 詳細に関してはポスター P7.
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P7 中間赤外観測装置用極低温バッファ回路のための汎用FETの特性検査 岡田一志、宮田隆志、酒向重行、上塚貴史、中村友彦、浅野健太朗、内山瑞穂(東京大学)
低温プリアンプのためのGaAs FET • 大規模化が進む中間赤外線観測装置 • 4~20K程度の極低温で動作する低温プリアンプの必要性にせまられる • 極低温で(安定)動作されるとされているGaAs FETを使い、シンプルなプリアンプを構成したい • 現在市販されているGaAsFETから、良好な低温特性をもつものを探す