1 / 23

Матюхин С.И., Писарев А.А., Ставцев А.В.

I I I-ой региональный семинар «Компьютерное моделирование и проектирование микро- и наноэлектроники и микроэлектромеханических систем», 9 апреля 2011. Матюхин С.И., Писарев А.А., Ставцев А.В. ВЛИЯНИЕ МИКРОТРЕЩИН НА КОММУТАЦИОННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ.

Download Presentation

Матюхин С.И., Писарев А.А., Ставцев А.В.

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript


  1. III-ой региональный семинар «Компьютерное моделирование и проектирование микро- и наноэлектроникиимикроэлектромеханических систем», 9 апреля 2011 Матюхин С.И., Писарев А.А., Ставцев А.В. ВЛИЯНИЕ МИКРОТРЕЩИН НА КОММУТАЦИОННЫЕХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ

  2. III-ой региональный семинар «Компьютерное моделирование и проектирование микро- и наноэлектроникиимикроэлектромеханических систем», 9 апреля 2011 Актуальность работы:к важным задачам современной физики полупроводниковых приборов следует отнести задачу о качественном и количественном влиянии микродефектов на характеристики приборов и разработку методов прогнозирования надежности этих приборов с целью выявления потенциально ненадежных изделий на ранней стадии изготовления. Цель: изучение качественного и количественного влияния микротрещин на характеристики полупроводниковых приборов.

  3. III-ой региональный семинар «Компьютерное моделирование и проектирование микро- и наноэлектроникиимикроэлектромеханических систем», 9 апреля 2011 Метод:моделирование динамических процессов включения и выключения с использованием пакета программ приборно-технологического моделирования Sentaurus TCAD компании Synopsys. Моделирование влияния микротрещин на коммутационные характеристики диода Д053-7100 проводилось для двух типов трещин – перпендикулярных и параллельных p-n-переходу, при температуре полупроводниковой структуры – Tj= 300 К ; Tj= 443 К.

  4. III-ой региональный семинар «Компьютерное моделирование и проектирование микро- и наноэлектроникиимикроэлектромеханических систем», 9 апреля 2011 Рис. 1 Структура пластины, содержащей микротрещины, пересекающие p-n-переход: а) перпендикулярные; б) параллельные.

  5. III-ой региональный семинар «Компьютерное моделирование и проектирование микро- и наноэлектроникиимикроэлектромеханических систем», 9 апреля 2011 Рис. 2 Структура пластины, содержащей микротрещины, примыкающие к p-n-переходу: а) перпендикулярные; б) параллельные.

  6. III-ой региональный семинар «Компьютерное моделирование и проектирование микро- и наноэлектроникиимикроэлектромеханических систем», 9 апреля 2011 Рис. 3 Структура пластины, содержащей микротрещины, находящиеся вдали от p-n-перехода: а) перпендикулярные; б) параллельные.

  7. III-ой региональный семинар «Компьютерное моделирование и проектирование микро- и наноэлектроникиимикроэлектромеханических систем», 9 апреля 2011 Рис. 4 Прямые ветви ВАХ диода Д053-7100 при Т=300 К: 1 – в отсутствие микротрещин; 2 – при наличии перпендикулярных трещин, пересекающих p-n-переход; 3 – при наличии параллельных трещин, пересекающих p-n-переход; 4 – при наличии перпендикулярных трещин, примыкающих к p-n-переходу; 5 – при наличии параллельных трещин, примыкающих к p-n-переходу; 6 – при наличии перпендикулярных трещин вдали от p-n-перехода; 7 – при наличии параллельных трещин вдали от p-n-перехода.

  8. III-ой региональный семинар «Компьютерное моделирование и проектирование микро- и наноэлектроникиимикроэлектромеханических систем», 9 апреля 2011 Рис. 5 Прямые ветви ВАХ диода Д053-7100 при Т=400 К: 1 – в отсутствие микротрещин; 2 – при наличии перпендикулярных трещин, пересекающих p-n-переход; 3 – при наличии параллельных трещин, пересекающих p-n-переход; 4 – при наличии перпендикулярных трещин, примыкающих к p-n-переходу; 5 – при наличии параллельных трещин, примыкающих к p-n-переходу; 6 – при наличии перпендикулярных трещин вдали от p-n-перехода; 7 – при наличии параллельных трещин вдали от p-n-перехода.

  9. III-ой региональный семинар «Компьютерное моделирование и проектирование микро- и наноэлектроникиимикроэлектромеханических систем», 9 апреля 2011 Рис. 6 Обратные ветви ВАХ диода Д053-7100 при Т=300 К: 1 – в отсутствие микротрещин; 2 – при наличии перпендикулярных трещин, пересекающих p-n-переход; 3 – при наличии параллельных трещин, пересекающих p-n-переход; 4 – при наличии перпендикулярных трещин, примыкающих к p-n-переходу; 5 – при наличии параллельных трещин, примыкающих к p-n-переходу; 6 – при наличии перпендикулярных трещин вдали от p-n-перехода; 7 – при наличии параллельных трещин вдали от p-n-перехода.

  10. III-ой региональный семинар «Компьютерное моделирование и проектирование микро- и наноэлектроникиимикроэлектромеханических систем», 9 апреля 2011 Рис. 7 Обратные ветви ВАХ диода Д053-7100 при Т=400 К: 1 – в отсутствие микротрещин; 2 – при наличии перпендикулярных трещин, пересекающих p-n-переход; 3 – при наличии параллельных трещин, пересекающих p-n-переход; 4 – при наличии перпендикулярных трещин, примыкающих к p-n-переходу; 5 – при наличии параллельных трещин, примыкающих к p-n-переходу; 6 – при наличии перпендикулярных трещин вдали от p-n-перехода; 7 – при наличии параллельных трещин вдали от p-n-перехода.

  11. III-ой региональный семинар «Компьютерное моделирование и проектирование микро- и наноэлектроникиимикроэлектромеханических систем», 9 апреля 2011 Рис. 8 Импульс тока, протекающего под действием прямоугольного импульса напряжения (пунктир), приложенного к полупроводниковой структуре диода Д053-7100, не содержащего микротрещин, при температуре структуры Tj= 27 0C

  12. III-ой региональный семинар «Компьютерное моделирование и проектирование микро- и наноэлектроникиимикроэлектромеханических систем», 9 апреля 2011 Рис. 9 Амплитуда прямого тока, протекающего под действием прямоугольного импульса напряжения, приложенного к полупроводниковой структуре диода Д053-7100, при температуре структуры Tj= 27 0C: 1- не содержащего микротрещин; 2- содержащего перпендикулярные p-n- переходу микротрещины; 3- содержащего параллельные p-n- переходу микротрещины.

  13. III-ой региональный семинар «Компьютерное моделирование и проектирование микро- и наноэлектроникиимикроэлектромеханических систем», 9 апреля 2011 Рис. 10 Полупроводниковая пластина не содержит микротрещин. Импульсы обратного тока, протекающего через диод Д053-7100 при переключении прибора из проводящего состояния в непроводящее, при различных значениях амплитуды импульсов обратного напряжения: 1- при U= -2 В; 2- при U= -4 В; 3- при U= -6 В; 4- при U= -8 В. Tj= 27 0C.

  14. III-ой региональный семинар «Компьютерное моделирование и проектирование микро- и наноэлектроникиимикроэлектромеханических систем», 9 апреля 2011 Рис. 11 Полупроводниковая пластина содержит микротрещины перпендикулярные p-n- переходу. Импульсы обратного тока, протекающего через диод Д053-7100 при переключении прибора из проводящего состояния в непроводящее, при различных значениях амплитуды импульсов обратного напряжения: 1- при U= -2 В; 2- при U= -4 В; 3- при U= -6 В; 4- при U= -8 В. Tj= 27 0C.

  15. III-ой региональный семинар «Компьютерное моделирование и проектирование микро- и наноэлектроникиимикроэлектромеханических систем», 9 апреля 2011 Рис. 12 Полупроводниковая пластина содержит микротрещины параллельные p-n- переходу. Импульсы обратного тока, протекающего через диод Д053-7100 при переключении прибора из проводящего состояния в непроводящее, при различных значениях амплитуды импульсов обратного напряжения: 1- при U= -2 В; 2- при U= -4 В; 3- при U= -6 В; 4- при U= -8 В. Tj= 27 0C.

  16. III-ой региональный семинар «Компьютерное моделирование и проектирование микро- и наноэлектроникиимикроэлектромеханических систем», 9 апреля 2011 Рис. 13 Обратный ток восстановления диода Д053-7100, при температуре Tj= 27 0C: 1- не содержащего микротрещин; 2- содержащего перпендикулярные p-n- переходу микротрещины; 3- содержащего параллельные p-n- переходу микротрещины.

  17. III-ой региональный семинар «Компьютерное моделирование и проектирование микро- и наноэлектроникиимикроэлектромеханических систем», 9 апреля 2011 Рис. 14 Заряд обратного восстановления диода Д053-7100, при температуре Tj= 27 0C: 1- не содержащего микротрещин; 2- содержащего перпендикулярные p-n- переходу микротрещины; 3- содержащего параллельные p-n- переходу микротрещины.

  18. III-ой региональный семинар «Компьютерное моделирование и проектирование микро- и наноэлектроникиимикроэлектромеханических систем», 9 апреля 2011 Рис. 15 Время восстановления диода Д053-7100, при температуре Tj= 27 0C: 1- не содержащего микротрещин; 2- содержащего перпендикулярные p-n- переходу микротрещины; 3- содержащего параллельные p-n- переходу микротрещины.

  19. III-ой региональный семинар «Компьютерное моделирование и проектирование микро- и наноэлектроникиимикроэлектромеханических систем», 9 апреля 2011 Рис. 16 S-фактор диода Д053-7100, при температуре Tj= 27 0C: 1- не содержащего микротрещин; 2- содержащего перпендикулярные p-n- переходу микротрещины; 3- содержащего параллельные p-n- переходу микротрещины.

  20. III-ой региональный семинар «Компьютерное моделирование и проектирование микро- и наноэлектроникиимикроэлектромеханических систем», 9 апреля 2011 Рис. 17 Время нарастания обратного тока диода Д053-7100, при температуре Tj= 27 0C: 1- не содержащего микротрещин; 2- содержащего перпендикулярные p-n- переходу микротрещины; 3- содержащего параллельные p-n- переходу микротрещины.

  21. III-ой региональный семинар «Компьютерное моделирование и проектирование микро- и наноэлектроникиимикроэлектромеханических систем», 9 апреля 2011 Рис. 18 Время спада обратного тока диода Д053-7100, при температуре Tj= 27 0C: 1- не содержащего микротрещин; 2- содержащего перпендикулярные p-n- переходу микротрещины; 3- содержащего параллельные p-n- переходу микротрещины.

  22. III-ой региональный семинар «Компьютерное моделирование и проектирование микро- и наноэлектроникиимикроэлектромеханических систем», 9 апреля 2011

  23. III-ой региональный семинар «Компьютерное моделирование и проектирование микро- и наноэлектроникиимикроэлектромеханических систем», 9 апреля 2011 • Результаты: • Появление микротрещин в полупроводниковой структуре диодов приводит: • - к уменьшению амплитуды прямого тока ITM, протекающего под воздействием импульсов прямого напряжения; • к уменьшению амплитуды обратного тока восстановления Irr, протекающего при переключении диода из проводящего состояния в непроводящее. • Увеличение температуры полупроводниковой структуры Tj при увеличении скорости спада прямого тока di/dt приводит к улучшению динамических характеристик прибора. • Влияние микротрещин на коммутационные характеристики полупроводниковых диодов зависит от вида микротрещин

More Related